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通过石墨烯插入在原子薄量子旋转厅绝缘子中实现环境稳定性
半导体表面上的原子单层代表了二维极限的新兴功能量子材料 - 从超导体和莫特绝缘体到铁电和量子旋转厅绝缘子的范围。indenene是iDenene的iDenene，含量约为120 MeV的im依的三角形单层是一种量子自旋霍尔绝缘子，其微米尺度的SIC上的显式外延生长（0001）使其在技术上具有相关性。然而，它对室温旋转的适合性受到空气中拓扑特征的不稳定的挑战。必须制定一种在现场加工和装置制造过程中保护indenene拓扑性质的策略。在这里，我们表明，将泛烯烯酮插入到外延石墨烯中，可以有效地保护氧化环境，同时保留完整的拓扑特征。我们的方法开放了一个现有实验机会的丰富领域，启动单层量子旋转厅绝缘子，以实现逼真的设备制造并访问拓扑保护的边缘通道。
应用催化A，一般-Orca -Cardiff University
比较了CVI在Ga 2 O 3上沉积在Ga 2 O 3上的PD行为，以与甲醇的CO 2的氢化进行比较。ga 2 o 3仅是不活跃的，但是在2 O 3中具有良好的转换，并且选择性高达89％，至CH 3 OH。在2 O 3中，向催化剂中添加PD的影响相对较小，但是相反，将PD添加到Ga 2 O 3中，具有很大的作用，引起了对甲醇的高活性和选择性。两种氧化物形成PD Interallics -PD 2中的PD 2和PD 2 GA。然而，对于催化剂中，氧化物的厚（〜3 nm）叠加剂也有厚度（〜3 nm），而对于GA催化剂，则没有这样的覆盖层。因此，这就是为什么与ga。此外，研究了Pd和Zn共沉积对GA o o o₃o和IN₂O₃中的影响，以及支持形态的效果。在PD和Zn的共沉积后，还原后，3催化剂中的PD 2保持相位稳定，而PD 2 GA合金被PDZN取代，并改善了甲醇的产量。
Robert Sittig*、Cornelius Nawrath、Sascha Kolatschek、Stephanie Bauer、Richard Schaber、Jiasheng Huang、Ponraj Vijayan、Pascal Pruy、Simone Luca Porta
摘要 ：GaAs 基材料系统因可承载具有出色光学特性的 InAs 量子点 (QD) 而闻名，这些量子点的发射波长通常为 900 nm 左右。插入变质缓冲区 (MMB) 可以将这种发射转移到以 1550 nm 为中心的具有技术吸引力的电信 C 波段范围。然而，常见 MMB 设计的厚度（> 1 𝜇 m）限制了它们与大多数光子谐振器类型的兼容性。在这里，我们报告了一种新型 InGaAs MMB 的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长，该 MMB 具有非线性铟含量渐变分布，旨在在最小层厚度内最大化塑性弛豫。这使我们能够实现晶格常数的必要转变并为 180 nm 内的 QD 生长提供光滑的表面。展示了沉积在此薄膜 MMB 顶部的 InAs QD 在 1550 nm 处的单光子发射。通过纳米结构技术将新设计集成到靶心腔中，证明了新设计的强度。
分析CIFFAT光学纳米复合FE3O4-OXADE石墨。
人类生命的快速发展会影响不断增长的能源需求以及寻找可持续替代能源的创新需求。已经开发的创新之一是太阳能电池技术，可以将阳光转化为电能。然而，通常使用的透明底物或电极的高生产成本，例如FTO（氧化氟锡）和ITO（Indium Tin氧化物）是主要障碍。因此，本研究探讨了将图形氧化物用作太阳能电池制造中的替代半导体材料。玉米棒含有碳化合物，可以用作图形氧化物生物量的来源，用作纳米复合材料Fe 3 O 4-图形氧化物。这项研究的目的是确定组合物变化对使用悍马修饰方法从玉米棒的基本成分合成的纳米复合fe 3 O 4-纳米复合氧化物的光学特性的特性的影响。使用UV-VIS测量吸光度，透射率，反射率和间隙能量，成分变化为40％：60％，30％：70％和20％：80％的结果。在混合物中，获得的带的能量值随着磁铁矿（Fe₃o₄）的增加而降低，这表明纳米复合fe fe₃o ox -图形氧化物是半导体，值为3.39 eV（40％：60％），3.62 ev（3.62 ev（30％：70％：70％）和3.94 EV（3.94 EV（20％）：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％：80％。关键字：玉米棒，纳米复合fe 3 o 4-氧化物图形，光学特性，紫外线 - vis，间隙能量
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。
超高光明绿色Ingan在硅上
总部位于中国的研究者报告说，硅（SI）上的高光泽绿色依赖二氮（INGAN）发光二极管（LED）[Haifeng Wu等人，Light：Science＆Applications，V13，V13，P284，2024]。将外延材料以1080x780格式的7.5μm螺距下的正常大小的LED和5µm像素的阵列。30x30阵列在1000a/cm 2电流注入时达到1.2x10 7 cd/m 2（nit）的亮度，声称是此类微型LED的最高报告。来自匈牙利大学的研究团队，Innovision Technology（Suzhou）Co Ltd，Lattice Power（Jiangxi）Corp，中部南大学，北京数字光学设备IC Design Co Ltd和Hunan Normal University，认为Spectrum的绿色部分对于“准确的色彩再现和整体图像质量”特别重要。微主导的显示被视为在虚拟/增强真实环境中具有即时应用的关键下一代视觉接口。研究人员使用金属有机化学蒸气
1206 芯片电阻器的热疲劳可靠性...
摘要 将含有大量铋 (Bi)、锑 (Sb) 和铟 (In) 合金添加剂的多种高性能无铅焊料合金的耐热疲劳性与近共晶 SAC305 (Sn3.0Ag0.5Cu) 焊料合金进行了比较。该研究使用带有零欧姆 1206 表面贴装片式电阻器的菊花链测试板作为测试工具。热循环采用三个不同的热循环曲线（0/100°C、-40/125°C 和 -55/125°C）进行，以满足电信、消费和航空航天/国防工业的资格要求。将焊料合金的相对热循环性能与早期研究使用两个球栅阵列测试组件的结果进行了比较。在之前的研究中，片式电阻器的合金性能排序与 BGA 组件不同。结果强调了使用多个测试组件来更彻底地了解新合金系统的热循环行为性能的重要性。使用威布尔统计、微观结构表征和故障模式分析来比较合金性能。
电光调制损耗模式谐振
摘要：传感器的灵敏度、选择性、可靠性和测量范围是其广泛应用的重要参数。各种检测系统数量的快速增长似乎证明了全世界为增强一个或多个参数而做出的努力是合理的。因此，作为一种可能的解决方案，多域传感方案已被提出。这意味着传感器在光学和电化学等领域同时被询问。光学透明和电化学活性透明导电氧化物（TCO），如氧化铟锡（ITO），为在单个传感器内结合这两个领域提供了机会。这项工作旨在理解 ITO 涂层光纤传感器中观察到的电光调制有损模式共振（LMR）效应。由数值建模支持的实验研究可以识别负责两个领域性能的薄膜特性以及它们之间的相互作用。已发现半导体 ITO 中的载流子密度决定了电化学过程的效率和 LMR 特性。载流子密度会提高电化学活性，但会降低电光调制能力
电光调制损耗模式谐振
摘要：传感器的灵敏度、选择性、可靠性和测量范围是其广泛应用的重要参数。各种检测系统数量的快速增长似乎证明了全世界为增强一个或多个参数而做出的努力是合理的。因此，作为一种可能的解决方案，多域传感方案已被提出。这意味着传感器在光学和电化学等领域同时被询问。光学透明和电化学活性透明导电氧化物（TCO），如氧化铟锡（ITO），为在单个传感器内结合这两个领域提供了机会。这项工作旨在理解 ITO 涂层光纤传感器中观察到的电光调制有损模式共振（LMR）效应。由数值建模支持的实验研究可以识别负责两个领域性能的薄膜特性以及它们之间的相互作用。已发现半导体 ITO 中的载流子密度决定了电化学过程的效率和 LMR 特性。载流子密度会提高电化学活性，但会降低电光调制能力