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总部位于中国的研究者报告说，硅（SI）上的高光泽绿色依赖二氮（INGAN）发光二极管（LED）[Haifeng Wu等人，Light：Science＆Applications，V13，V13，P284，2024]。将外延材料以1080x780格式的7.5μm螺距下的正常大小的LED和5µm像素的阵列。30x30阵列在1000a/cm 2电流注入时达到1.2x10 7 cd/m 2（nit）的亮度，声称是此类微型LED的最高报告。来自匈牙利大学的研究团队，Innovision Technology（Suzhou）Co Ltd，Lattice Power（Jiangxi）Corp，中部南大学，北京数字光学设备IC Design Co Ltd和Hunan Normal University，认为Spectrum的绿色部分对于“准确的色彩再现和整体图像质量”特别重要。微主导的显示被视为在虚拟/增强真实环境中具有即时应用的关键下一代视觉接口。研究人员使用金属有机化学蒸气
超高光明绿色Ingan在硅上
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