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倒塌的手性碳纳米管的超晶格
光与物质之间的相互作用允许实现量子固体中平衡状态不平衡状态。特别是，非线性语音是在非平衡中实现固定电子状态的最有效方法之一。在此，通过扩展的从头算分子动力学方法，我们确定长期持久的光驱动的准几何形状可以稳定HGTE化合物材料家族的拓扑性质。我们表明，红外活性声子模式的相干激发会导致原子几何形状的变形，其寿命为几个picseconds。我们表明，在这种非平衡几何形状中，四个Weyl点恰好位于费米水平，使其成为理想的长寿命稳定的Weyl半学。我们建议，可以通过Fermi Arc表面状态的光电子光谱或非线性霍尔效应的超快泵送传输测量值来识别这种亚稳态的拓扑相。
先进能源材料博士后研究员（太阳能材料缺陷）
结合密度泛函理论 (DFT) 计算和机器学习 (ML) 方法来研究太阳能电池材料中的缺陷。使用 ML 力场模拟缺陷结构演化以获得更长的轨迹以发现罕见事件。使用 DFT 和量子动力学理论确定这些事件对光生载流子复合的影响。使用 ML 模型进一步分析了结构变形和复合动力学之间的相关性。该项目旨在帮助理解和设计用于太阳能电池、光催化和光电化学应用的先进能源材料。有关进一步阅读，请参阅：Wei Li、Yalan She、Andrey S. Vasenko、Oleg V. Prezhdo。金属卤化物钙钛矿中电荷载流子的从头算非绝热分子动力学//纳米尺度。2021 年。第 13 卷。第 23 期。P.10239-10265。关于 HSE 大学
界面扩散对纤锌矿短周期GaN/AlN超晶格拉曼光谱的影响
摘要：我们进行了广泛的理论和实验研究，以确定短周期 GaN/AlN 超晶格 (SL) 中 GaN 和 AlN 层之间的界面相互扩散对拉曼光谱的影响。通过从头算和随机元等位移模型框架，模拟了具有尖锐界面和不同界面扩散程度的 SL 的拉曼光谱。通过对 PA MBE 和 MOVPE 生长 SL 的理论计算结果与实验数据的比较，表明与 A 1 (LO) 限制声子相关的能带对界面扩散程度非常敏感。结果获得了 A 1 (LO) 限制声子范围内的拉曼光谱与 SL 中界面质量之间的相关性。这为使用拉曼光谱分析短周期 GaN/AlN SL 的结构特征开辟了新的可能性。
格点场论规范冗余数字化的量子误差阈值
量子场论中的规范对称性产生了极其丰富的现象。最突出的是，SU（3Þ×SU（2Þ×U（1Þ）规范对称性描述了标准模型的相互作用。进行从头算预测以与实验进行比较需要大量的计算资源。特别是，由于超级计算机和算法的进步，格点规范理论（LGT）中的蒙特卡罗方法在过去的几十年里取得了丰硕成果。然而，由于玻尔兹曼权重变为复值，涉及早期宇宙非平衡演化[1-4]、夸克胶子等离子体的传输系数[5]和强子碰撞中的部分子物理[6-11]等动力学问题出现了符号问题。未来，大规模量子计算机可以通过在哈密顿形式中进行实时模拟来避免这一障碍[12-16]。
基于硝酸氢硼的光子量子技术
摘要：由于其二维性质及其在其较大的带隙内的托管缺陷的能力，六角硼硝酸盐正在迅速成为光子量子技术的平台，作为光子量子技术的平台，可以充当室温单个单光子发射器。在本审查论文中，我们概述了（1）硝化氢硼的结构，性质，生长和转移； （2）通过与从头算的计算相比，在光子量子技术中的应用计算中，颜色中心的颜色中心和缺陷分配； （3）用于颜色中心的电气调整和电荷控制的异质结构设备，构成了Photonic量子技术设备的基础。这篇评论的目的是为读者提供基于六角硼的光子量子量子技术的缺陷工程和装置制造进度的摘要。
交换交换和旋转轨道诱导的相关阶段在接近的Bernal双层石墨烯
前范德华的异质结构利用了可调的层极化，以交换电子活动区域中的近距离交换和自旋轨道耦合。也许最简单的例子是由一侧分层磁体和另一侧的强型旋转材料封装的Bernal Biyer石墨烯（BBG）。将WS 2 / BBG / CR 2 GE 2 TE 6作为代表性的前循环装置，我们从头开始使用现实的Ab ISSIM启发的哈密顿量和有效的电子电子相互作用，以研究随机相位近似中相关相的出现。我们发现，可以将交换和自旋轨道耦合诱导的石器和Intervalley连贯性不稳定性交换为给定的掺杂水平，从而使人们可以探索单个设备中的整个相关相。
通过交叉分子束反应的方法
奇数碳自由基往往是共振稳定自由基 (RSFR)，并被认为能促进燃烧火焰中的 PAH 形成和生长。38,39 人们一致认为，环戊二烯基 (cC 5 H 5 ) 自由基的化学性质在萘和菲的形成中起着重要作用，从而在 PAH 的形成中起着重要作用。1,40–43 尽管如此，环戊二烯基 (cC 5 H 5 ) 及其结构异构体的起源仍然难以捉摸。Gabriel da Silva 通过炔丙基自由基 (C 3 H 3 ) 与乙炔 (C 2 H 2 ) 的反应从头算研究了 C 5 H 5 势能面 (PES)。 44 将乙炔（C 2 H 2 ）加到炔丙基自由基（C 3 H 3 ）的末端，通过类似的势垒生成初始复合物 1-戊烯-4-炔基（HCCH 2 CCHCH ）和 1,3,4-戊三烯基（H 2 CCCHCHCH ），能量约为 59 kJ mol 1
EDA的应用
摘要：为了提高3D过渡金属复合物中M @ L键的理解，可以通过能量分解分析分析化学价模型（EDA-NOCV）的天然轨道，因为它提供了对M @ L Incractions的完整，定量和化学直觉的缩写描述。在这项研究中，由于过渡温度（T 1/2）对M @ l键的微妙变化而言，通过使用八面体自旋（SCO）配合物来建立并验证了通常适用的碎片和计算方案。Specifically, EDA-NOCV analysis of Fe @ N bonds in five [Fe II ( L azine ) 2 (NCBH 3 ) 2 ], in both low-spin (LS) and paramagnetic high-spin (HS) states led to: 1) development of a general, widely applicable, corrected M + L 6 fragmenta- tion, tested against a family of five LS [Fe II ( L azine ) 3 ](BF 4 ) 2复合物；这证实了三个L苯二氮更强
潜在的巴雷特学者2025项目表
项目描述：量子点（QD），例如硫元素QDS，是太阳能收集的出色候选者，因为它们能够吸收广泛的阳光，包括红外线，通常在常规太阳能电池中浪费。在我们最近的研究中与Argonne National Laboratory的散射科学家合作进行的研究中，我们证明了Chalcogenide QD铅在光激发时表现出快速，可逆的对称性变化，这会影响其吸收波长。此外，我们发现限制QD的配体材料也会影响这种对称性变化。在此项目中，我们将使用依从算计算来阐明配体在不同温度下如何影响QD对称响应对光激发的响应。了解这种对称变化机制将有助于确定最佳条件，包括配体物种，密度和温度，以进行有效的太阳能收集。
非晶态HfO_2中的氧空位和氢
非晶态二氧化铪 (a-HfO 2 ) 广泛用于电子设备，例如超大规模场效应晶体管和电阻存储单元。a-HfO 2 中氧空位 (OV) 缺陷的密度对非晶态材料的电导率有很大影响。最终，OV 缺陷是造成导电细丝路径形成和断裂的原因，而导电细丝路径可用于新型电阻开关设备。在这项工作中，我们使用从头算方法研究了 a-HfO 2 中的中性 OV。我们研究了 OV 的形成能、双 OV 的结合能、不受干扰和在氢原子附近存在时的 OV 迁移以及氢原子向 OV 的迁移。与结晶 HfO 2 中的势垒 (2.4 eV) 相比，a-HfO 2 中存在浅而短程的 OV 迁移势垒 (0.6 eV)。附近的氢对 OV 迁移的影响有限；然而，氢可以通过在OV之间跳跃而轻易扩散。