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通过耦合两个一阶拓扑绝缘器
我们通过耦合两个一阶拓扑绝缘子，从理论上研究了具有角状态的二维二阶拓扑绝缘子的工程。我们发现，两个具有相反拓扑不变的拓扑绝缘子之间的层间耦合导致边缘状态间隙的形成，这对于角状态的出现至关重要。使用有效的汉密尔顿框架，我们阐明拓扑角状态的形成需要在晶体系统中保存对称性，或者对邻近边缘状态的有效质量计数器。我们提出的通过层间耦合诱导角状态的策略是多功能的，并且适用于Z 2拓扑绝缘子和量子异常的效果。我们使用多种代表性模型（包括开创性的Kane-Mele模型，Bernevig-Hughes-Zhang模型和Rashba石墨烯模型）来证明这种方法，以通过层间耦合明确表现出角状态的形成。此外，我们还观察到，耦合Z 2拓扑绝缘系统的堆叠导致形成时间反转的三维二阶二阶节点环半学。值得注意的是，可以将Bernevig-Hughes-Zhang模型堆叠的三维系统转换为二阶Dirac半学，其特征是一维铰链Fermi Arcs。我们通过简单的层间耦合工程二阶拓扑阶段的策略有望推进对二维拼写系统中高阶拓扑绝缘子的探索。
电力的导体和绝缘体列表
分类为电导体的材料具有有效携带或运输电流的能力，而由于内部电子的移动有限，绝缘子无法这样做。电子流经物质的易于性主要取决于它们可以轻易地经过其原子和原子核的方式。铁和钢等材料是示例性的导体，而玻璃和塑料等物质的电导率较差。价电子在电导传导中的作用不能夸大；这些最外面的电子与他们的父原子松散结合，并且可以相对容易从其位置移开。易于获得或损失电子的无机材料通常显示高电导率，而有机分子由于将它们固定在一起的强共价键而倾向于绝缘。有趣的是，某些材料可能会根据其组成而表现出不同水平的电导率；例如，纯净水是一种绝缘子，但脏水在某种程度上导致电力。添加杂质或与其他元素掺杂可以显着改变材料的电导率。在电导体中，由于普通条件下的高电导率，银是最好的。然而，它对破坏的敏感性和随后降低电导率的氧化物层的形成不可忽视。相反，经常在需要电流控制的应用中使用强大的绝缘子，例如橡胶，玻璃和钻石。某些材料在极低的温度下成为超导体。材料的形状和大小在确定其电导率水平方面也起着至关重要的作用；较厚的碎片通常表现出比较薄的电导性能更好。此外，温度波动会影响电导率水平，而温度通常会导致材料内的电子迁移率提高。大多数材料根据温度和其他因素表现出不同水平的电导率。凉爽的金属通常是好的导体，而热金属的效率往往降低。传导本身有时会改变材料的温度。在导体中，电子自由流动而不会损害原子或引起磨损。但是，移动电子确实会遇到阻力。因此，流经导电材料的电流会加热它们。金属和等离子体通常是好的导体，这是由于其价电子的移动性。绝缘子通常由有机分子组成，主要由牢固的共价键组合在一起，使电子很难流动。掺杂或杂质等因素也会影响电导率，如纯净水是绝缘体，但由于自由浮动离子而导致的盐水。所有材料都可以根据表1。表1：导体，绝缘体和半导体特性铜是一个众所周知的导体，以最小的对立传递电流。橡胶是一种绝缘子，通常用于涂上用于电动工作的工具手柄。van de Graaff在1930年代。需要极高的电压才能迫使橡胶进入传导。石墨，一种碳的形式，用作半导体，限制了给定电压产生的电流量。在本文中，我们探讨了导体，绝缘体和半导体的一些特征。导体导体是一种对电子流（电流）几乎没有反对的材料。由于其电阻较低，因此通过它产生电流所需的能量很少。最好的导体具有最低的电阻，使其非常适合传输电流。一个原子的价壳决定其电气特性，其价值壳电子和单位体积原子的数量影响电导率。绝缘子绝缘子是具有极高电阻的材料，可防止电流流动。例如，电源线上的绝缘材料可防止电流在接触时到达您。一些元素，例如霓虹灯，是天然绝缘体。用于保护技术人员的常见绝缘子包括橡胶，特氟龙和云母等化合物。正如预期的那样，导体和绝缘子具有相反的特性，绝缘子具有完整的价壳，单位体积的原子很少。半导体的任何表现出导体和绝缘子之间中间电导率的元素都可以视为半导体。半导体：当面对明显的电阻时，导体和绝缘子铜之间具有耐药性的材料最小的对立变得显而易见。当原子紧密相互作用时，它们的能级堆在一起。等式1实现了两个主要目的：它使我们能够计算利息并揭示利息价值及其变量之间的关系。例如，等式1说明$ r = \ rho \ frac {l} {a} $，证明电阻与电阻率，长度和与横截面面积成反比成正比。此外，温度由于温度系数而影响导体的电阻率，导体随着温度的升高而升高。回顾问题概述了导体，绝缘体，半导体的定义，并解释了电导率如何由价电子和原子密度确定。电阻率定义为特定材料体积的电阻，通常以CMIL-ω/FT或ω-CM单位测量。导体表现出正温度系数，表明随着温度升高的耐药性增加。这种基本的理解将材料根据电导率的电导率分类为导体，绝缘体和半导体。例如，如果两个原子连接，则与单个原子相比，相邻能级的数量将是两倍。随着越来越多的原子融合在一起，这种模式继续存在，形成了多个层次的集群。在固体中，许多原子会产生大量的水平，但是大多数高能级均融合到连续范围内，除了根本不存在的特定差距。这些没有级别的区域称为带隙。电子占据的最高能量簇被称为价带。这种现象用于保护与保险丝的电路。导体具有部分填充的价带，具有足够的空位，使电子可以在电场下自由移动。相比之下，绝缘子完全填充了其价带，并在其之间留下了很大的差距。这个较大的间隙可防止电子移动，除非有足够的能量越过。半导体在价和传导带之间的差距较小。在室温下，由于热能，价带几乎已经满，导致某些电子转移到传导带中，它们可以在外部电场下自由移动。Valence带中留下的“孔”表现就像正电荷载体。温度较高的材料倾向于增加对电流的抵抗力。例如，5°C的温度升高可提高铜的电阻率2％。相反，由于电子在传导带中的填充水平升高，绝缘体和半导体的电阻率降低，它们可以在外部电场下移动。价和导带之间的能量差会显着影响电导率，较小的间隙导致温度较低的电导率较高。分子由于放射性元件和宇宙射线的辐射而分离为离子，使大气导电中的某些气体产生。电泳根据颗粒在电解溶液中的迁移率分离。欧姆加热会在电流流过电线时，如电线或灯泡所示。电阻器中消散的功率由p = i^2r给出。但是，在某些材料中，由于碰撞而导致的能量损失在低温下消失，表现出超导性。发生这种情况是因为电子会失去对声子的能量，但是在超导体中，通过电子和材料之间的复杂量子机械相互作用来阻止这种能量损失。常用的超导体是一种niobium and Titanium合金，它需要冷却至极低的温度才能表现出其性质。在较高温度下发现超导性能彻底改变了各个领域，从而实现了液氮而不是昂贵的液态氦气。这一突破为电力传输，高速计算等中的应用铺平了道路。12伏汽车电池展示了如何通过化学反应或机械手段来利用电动力。Van de Graaff Generator是Robert J.由于其概念上的简单性，这种类型的粒子加速器已被广泛用于研究亚原子颗粒。该设备通过将正电荷运送到绝缘输送带上的正电荷从基部到导电圆顶的内部，在那里将其移除并迅速移动到外面。带正电荷的圆顶会产生一个电场，该电场排斥额外的正电荷，需要工作以保持传送带的转动。在平衡中，圆顶的电势保持在正值下，电流从圆顶流向地面，并通过在绝缘带上的电荷运输均衡。这个概念是所有电动力来源的基础，在该源中，在单独的位置释放了能量以产生伏特细胞。一个简单的示例涉及将铜和锌线插入柠檬中，从而在它们之间产生1.1伏的电势差。“柠檬电池”本质上是一个令人印象深刻的伏特电池，能够仅产生最小的电力。相比之下，由类似材料制成的铜锌电池可以提供更多的功率。此替代电池具有两种溶液：一种含有硫酸铜，另一种含硫酸锌。氯化钾盐桥通过电气连接两种溶液。两种类型的电池都从铜和锌之间电子结合的差异中得出了能量。能量，从电线中取出游离电子。同时，来自电线的锌原子溶解为带正电荷的锌离子，使电线具有多余的自由电子。这会导致带正电荷的铜线和负电荷的锌线，该锌线被盐桥隔开，该盐桥完成了内部电路。一个12伏铅酸电池由六个伏特电池组成，每个电池串联连接时大约产生大约两个伏特。每个细胞都具有并行连接的正极和负电极，为化学反应提供了较大的表面积。由于材料经历化学转换的速度，电池会递送更大的电流。电池电位为1.68 + 0.36 = 2.04伏。在铅酸电池中，每个伏电池都包含纯海绵状铅和氧化铅的正电极的负电极。将铅和氧化铅溶解在硫酸和水中。在正电极下，反应为PBO2 + SO -4- + 4H + + 2e-→PBSO4 + 2H2O +（1.68 V），而在负末端，它是Pb + SO -4-→PBSO4-→PBSO4 + 2e- +（0.36 V）。通过汽车发生器或外部电源为电池充电时，化学反应会反转。60Ω电阻连接到电动力。字母A，B，C和D是参考点。源将点A保持在电势12伏高于点D，从而导致VA和VD之间的12伏的电势差。由于点A和B通过具有可忽略的电阻的导体连接，因此它们具有相同的电势，并且点C和D具有相同的潜力。因此，整个电阻的电势差也为12伏。可以使用欧姆定律计算流过电阻的电流：i = va -vd / rb。代替给定值，我们得到i = 0.2安培。可以使用等式（22）：p = i^2 * R计算热量中消散的功率。插入值，我们得到p = 0.04瓦。当热量来自电动力源时消散的能量。该源在将电荷DQ从点d到点A移动的工作中所做的工作由dw = dq *（va -vd）给出。电池传递的功率是通过将DW除以DT获得的，导致P = 2.4瓦。如果两个电阻串联连接，则等效电阻是个体电阻的总和：rab = r1 + r2。使用R1和R2的给定值，我们获得RAB =7Ω。并行连接两个电阻时，电荷具有从C到D流动的其他路径，从而降低了整体电阻。可以使用等式（20）：1/rcd = 1/r1 + 1/r2计算等效电阻的值。代替给定值，我们获得RCD = 1/0.7 =1.43Ω。在阻抗为2欧姆或5欧姆的情况下，值得注意的是，这些方程式可以相对轻松地适应多种电阻。
LAPP 长棒绝缘子
最终，LAPP 长棒绝缘子体现了电气绝缘子技术的飞跃，将数十年的行业经验与创新设计和材料科学相结合。它们进入市场不仅仅是绝缘子技术的一次进化——它向公用事业公司及其客户保证，电力传输的未来比以往任何时候都更加光明、更加安全和更加可靠。
关于拓扑绝缘体的注释
这些笔记中涵盖的主题呈现出不同级别的细节和数学严格的层次。讲座1介绍了后来讲座中考虑的几种拓扑绝缘子模型，并简要描述了关注的主要主题：不对称运输。讲座2的重点是从更多的显微镜描述中衍生宏观部分差分模型。讲座3至5个分析，用于磁性绝缘体的磁性schr odinger和狄拉克模型。这些笔记的核心是讲座6至10的材料。不对称转运首先在一维环境中考虑。然后，二维哈密顿量由一般的伪差异操作员进行建模，由域壁扩展进行分类，并以弗雷德霍尔姆操作机的边缘电导率和折射率的形式分配了几种等效的拓扑，均由Fredholm Opera tork的折叠式和折射率分配。讲座11和12描述了散装不同不变的概念，并调查了几个不变性的定义和计算，包括地图，绕组数字和Chern数字。第13节提出了界面传输问题作为整体方程的重新印象。这使我们能够对界面传输进行准确的数值模拟，并验证拓扑不变的鲁棒。讲座14将这些讲座中开发的理论应用于门控扭曲的双层石墨烯的分析。
绝缘体中与氢相关的缺陷
氢是绝缘子中的大量杂质，可以在半导体行业的生长和各种处理步骤中轻松引入。通过与不同的晶体缺陷反应，H可以钝化它们或形成新型的Elective elective Himctive H活性相关的复合物。[1,2]这些缺陷可能明显影响了微电子设备的电性能，对它们的控制是现代微电子的重要任务。在文献中，致力于研究h h h中与H相关缺陷的电和光学特性的研究相对较少。根据理论，孤立的间质h充当两性杂质，也可能是绝缘子中负电荷的来源。[3 - 5]通过使用第一个原理总计计算，kilic和Zunger [3]降低了间隙H应该根据Fermi水平在绝缘子带中的位置引入浅或深度状态。作者通过暗示存在H的过渡水平（þ /）的存在，应位于真空水平以下约3.0 0.4 eV。该级别的位置定义了绝缘子中孤立H的电荷状态。h应该是负（积极的）。浅氢状态也可以出现在绝缘体的带隙中。过渡级别的存在
在连续体中的对称性，绝缘子和超导性...
是由于最近在扭曲的双层WSE 2中发现超导性的动机，我们在Moiré超级峰值的连续模型的框架中分析了该系统中的相关物理学。在系统的微调极限下使用对称性，当考虑到有限的带宽，位移场和内部电位的相位扰动时，我们确定强耦合接地状态及其命运。我们对超导不稳定性进行了分类，并采用了类似自旋的特性模型，研究了与这些绝缘颗粒孔阶的接近性的超导不稳定。这表明只有一个相邻的间隔相干阶段（具有零或有限波矢量）自然与观察到的超导状态是一致的，我们表明，这在非平凡带拓扑的影响至关重要。取决于细节，超导体将是淋巴结或手性凹陷状态，而包括电子 - 光子耦合将导致完全间隙的，时间逆转的对称配对状态。
非热光子旋转厅绝缘子
光子平台在均衡（P），时间反转（T）和二元性（D）下不变，可以支持类似于具有保守自旋的时间反向不变Z 2电子系统中的拓扑阶段。在这里，我们证明了基本的旋转阶段对非省力效应的弹性，尤其是物质耗散。我们确定非热，pd -Ampricric和相互光子绝缘子属于两个拓扑上不同的类别。我们的分析侧重于PD-对称和相互平行的板波导（PPW）的拓扑。我们发现标记拓扑相变的板中的临界损失水平。发现PT D-对称系统的哈密顿量由具有公共带隙的凯恩 - 梅勒型哈密顿量的无限直接总和组成。这种结构导致波导的拓扑充电是由于粒子孔对称性而导致的整数不良总和。该系列的每个组件对应于自旋极化边缘状态。我们的发现提出了拓扑光子系统的独特实例，该实例可以在其带隙中容纳有限数量的边缘状态。
使用...
在下一代智能城市中，无人驾驶汽车（UAV）也被称为无人机在许多高级应用中起着至关重要的作用，例如电力输电线路，运输，运输，航空航天和监视等。由于过高和宽的传输塔高度，传统的电源线检查方法通常无效。此手稿的主要重点是开发自动座无人机/四轮摩托车，该自动脉/四轮驱动器可以通过沿预先计划的路线飞行来悬停在变速箱上，并捕获照片和视频。四足动物具有独特的功能，可以用现有的飞机区分它们，并且在广泛的应用中具有至关重要的作用，例如对交通和拥挤区域的实时监控，远程位置，交付和检查。此手法还解释了高级传感器和组件，例如全球导航卫星系统（GNSS），光流传感器和这里链接等。为电力传输线应用制造自动脉动四轮驱动器所需的所需。制造的四极管包括一个轻巧的S-500框架，配备了智能控制器，例如Pixhawk Cube Orange（2.1）和NVIDIA NANO板，用于接收和分析基于预定标准的机板传感器和相机的数据。提出的方法提高了效率和准确性，对于智能绝缘体检测和检查具有有希望的未来，这是电力网络的宝贵补充。建议的深度学习技术的检测速度为51.8帧/秒，检测准确性高达90.31％。建议的DL算法在电源网格中的智能绝缘体检查方面具有有希望的未来。
二 - ...
1国家主要微观结构和介观物理学的主要实验室，纳米纳米科学科学中心，北京大学北京大学北京大学的物理学和物理学院2，中华人民共和国2北京人，北京人，北京人国家实验室国家实验室，凝结物理学和涉及中国杂草的体育学院，涉及中国杂期，米哈吉，纽约市。中国科学院，北京100049，中华人民共和国4号相关事项中心，物理学学院，智格大学，编号866，hangzhou 310058，吉安省Yuhangtang Road，中华人民共和国5号物理学系，香港科学与技术系，库洛恩999077，库洛恩999077，香港6跨学科的量子量量量子量；北京北京大学100871，中华人民共和国7北京三角洲大学光电研究所，江苏226010，中国人民共和国
可伸缩2D纳米电子的结晶绝缘子-IUE
在半个多世纪的时间里，微电子学是由摩尔定律驱动的，摩尔的定律预测每18个月的整合密度将增加一倍，从而指数增长，这对于经济和绩效原因非常有益。根据IRDS [1]的规模，尽管摩尔法律已经结束，但在未来十年中，尽管摩尔的法律已经结束。然而，必须克服许多挑战，其中许多与材料缩放达到原子维度的事实有关，尤其是在垂直区域中。例如，硅的迁移率开始恶化在5 nm以下[2]，这对于其他3D材料可以预期。因此，IRDS将分层的2D半导体列为2028年以后超级FET和内存设备的有前途的选择。符合这些要求，有几个组报告了石墨烯[3]，硅[4]，黑磷[5]和过渡金属二北卡尔科氏菌[6,7]表现出极好的晶体管特征。研究工作主要集中在寻找具有最高迁移率和体面的带镜头的最佳渠道材料上。此外，已经进行了MOS 2 FET的电路集成尝试[8]。然而，2D FET还需要合适的绝缘体来将控制门与通道分开，该通道应该是可扩展的，并且理想地与2D半导体一起搭配，就像SIO 2一样，与Sio 2一起使用。缺乏这些绝缘子使得完全利用2D电子设备的预先定价性能潜力是复杂的，尽管