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拓扑声学
拓扑声学领域的灵感来源于凝聚态物质中拓扑绝缘体的发现，拓扑绝缘体是一类具有极不寻常电传导特性的材料。与传统半导体一样，拓扑绝缘体的特点是价带和导带之间存在电子能量间隙（带隙）。对于该带隙内的电子能量，拓扑绝缘体在其本体中不导电，因此得名。然而，任何有限的此类材料样本都必然支持沿其物理边界的传导电流；价带和导带的拓扑特征确保了这些边界电流的存在。因此，这些电流的存在与边界形状或不影响带隙拓扑的连续缺陷和瑕疵的存在无关。了解了这一特性，我们只需分析无限介质能带的拓扑特征，就能预测沿此类材料的任何有限样本边界流动的传导电流的存在（Thouless 等人，1982 年；Haldane，1988 年）。因此，这些电流对缺陷和无序表现出不同寻常的稳健性。电子自旋在定义这些材料的拓扑响应方面起着根本性的作用。
进行聚合物对最近的进展进行了全面综述
摘要：聚合物通常与绝缘子有关，世界上每个人都在学习不触摸磨损的电线，您可能会从暴露的导电金属线中受到冲击。我们都知道塑料不会导致电力，并且可以用来隔离电线并保护我们免受电流的侵害。我们大多数人都认为聚合物（塑料）可作为较重的结构材料（例如钢和木材）的轻重替换。传统上，它们被用作绝缘子，以防止电气导体产生电击。通常与绝缘子相关的聚合物可能是一个非常好的导体，这是一个非常出乎意料的发现，即可以使某些聚合物像金属铜一样有效地进行电流，这对许多人来说是一个惊喜，并获得了2000年诺贝尔化学奖。（该奖项授予Alan J. Heeger，Alan G. MacDiarmid和Hideki Shirakawa。）他们总是需要与离子成分的一些“求职”；但是，电阻率可能极低。聚合物等聚合物的可用性和低成本使导电聚合物的领域成为繁荣的行业。导电聚合物已进入许多其他字段索引项 - 聚合物，电导率，电阻率，掺杂，聚乙烯，聚苯胺。
量子自旋霍尔效应：简要介绍
引文：关于物理学中拓扑和对称性的新思想，预测了一种只在表面导电的新材料。描述：自本·富兰克林时代以来，我们就开始区分导电和绝缘的电形式。但查尔斯·凯恩和吉恩·梅勒颠覆了这一概念，他们预测了一种新材料——“拓扑绝缘体”，这种材料在边界上是不可侵犯的电导体，但在内部是绝缘体。他们的发现对量子计算的“太空竞赛”具有重要意义，并可能导致新一代电子设备的出现，从而有望在计算中实现巨大的能源效率。拓扑绝缘体还为深入探究物质和能量的基本性质提供了一个窗口，因为它们表现出类似于物理学基本粒子（电子和光子）的粒子状激发，但可以在实验室中以电子和光子无法控制的方式进行控制。这些连接为控制各种物质状态下的电荷、光甚至机械波的流动提供了一个新的概念框架。意想不到的应用似乎也是不可避免的：当晶体管于 1947 年发明时，没有人能够真正预测到它将带来信息技术，使 TB 级的数据能够塞进一个微小的硅片上。
Claudio Chamon教育：研究经验
•德国的体育社会（Deutsche Physikalische gesellschaft -DPG）会议，德国雷根斯堡，德国邀请演讲：“分数拓扑绝缘子”•波士顿地区碳纳米科学（培根）日，波士顿，波士顿，波士顿，邀请谈话：“驱动的石墨烯是一种可调的仪表式和托架物质•俄罗斯的圣彼得堡邀请演讲：“弹性膜下的非理性的人”•麦克斯 - 彭型式f的physik physik komplexer Systeme，德累斯顿，德国，关于“旋转Orbit纠缠的旋转量子状态：Extronic Systems中的量子状态的异国情调状态”计数问题的复杂性”•布朗大学研讨会：“分数拓扑绝缘子”•西班牙研讨会的马德里材料学院：“驱动石墨烯是具有拓扑特性的可调半导体”
交替扭曲Quadrilayer石墨烯中相关性的出现
最近，交替的Twist多层石墨烯（ATMG）已成为Moiré系统家族，它们与扭曲的双层石墨烯共享几种基本特性，并有望在魔术角附近托管类似强的Electron-Electron相互作用。在这里，我们研究了交替的扭曲Quadrilayer石墨烯（ATQG）样品，扭曲角为1.96°和1.52°，它们从1.68°的魔法角度略微去除。在较大的角度，我们才发现仅当ATQG被掺杂而没有超导性的签名时，我们才能发现相关绝缘子的特征，而对于较小的角度，我们找到了超导性的证据，而相关绝缘体的符号则弱化。我们的结果提供了对ATMG相关相的扭曲角依赖性的见解，并阐明了魔术角范围边缘的中间耦合方案中相关性的性质，在魔术角范围的边缘范围内，分散和相互作用的相同顺序相同。
优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍