半导体表面上的原子单层代表了二维极限的新兴功能量子材料 - 从超导体和莫特绝缘体到铁电和量子旋转厅绝缘子的范围。indenene是iDenene的iDenene,含量约为120 MeV的im依的三角形单层是一种量子自旋霍尔绝缘子,其微米尺度的SIC上的显式外延生长(0001)使其在技术上具有相关性。然而,它对室温旋转的适合性受到空气中拓扑特征的不稳定的挑战。必须制定一种在现场加工和装置制造过程中保护indenene拓扑性质的策略。在这里,我们表明,将泛烯烯酮插入到外延石墨烯中,可以有效地保护氧化环境,同时保留完整的拓扑特征。我们的方法开放了一个现有实验机会的丰富领域,启动单层量子旋转厅绝缘子,以实现逼真的设备制造并访问拓扑保护的边缘通道。
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第 2 单元:静态场中绝缘体的介电特性:极化和介电常数、非原子气体介电常数的原子解释、非原子气体介电常数的定性分析、多原子分子的定性和定量介电常数、固体和液体中的内部场、固体的电常数、铁电材料的一些特性、自发极化压电性。
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二维拓扑绝缘体又称量子自旋霍尔绝缘体,具有受拓扑结构保护的边缘态[1]。由于该通道可支持无耗散电子传输,有望实现下一代低损耗电子器件,得到了广泛的研究[2−4]。自2006年起,斯坦福大学Zhang团队预言在HgTe/CdTe量子阱中存在量子自旋霍尔效应(量子自旋霍尔效应,QSH)[5]。次年,维尔茨堡大学物理研究所Molenkamp团队的实验证实了这一点[6]。研究人员进行了大量的理论预测和实验探索,以寻找更加实用的天然QSH材料[7−9]。与复杂量子阱结构相比,天然QSH材料在样品制备和异质结器件构筑方面更具有优势。但在天然单层二维体系中实现QSH效应仍然十分困难,自上而下的机械剥离法和自下而上的外延生长法是成功制备单层QSH材料的两种常用方法。
1 简介:二次量子化、相互作用电子、哈伯德模型及其派生模型 1 横向磁场中的量子伊辛模型:通过 Jordan 1 Wigner、Fourier 和 Bogoliubov 变换的精确解。量子相变和临界性。有序与无序。对偶性。激发和畴壁。 1 纠缠熵:面积定律和对数发散。 3 半整数自旋链:海森堡反铁磁体、Lieb-Schultz-Mattis 1 定理、有序与无序、Goldstone 玻色子、Mermin-Wagner 定理、通过坐标 Bethe 假设的精确解。 4 整数自旋链:Haldane 猜想、Affleck-Kennedy-Tasaki-Lieb 模型、MPS(矩阵积态)和张量网络简介。无间隙边缘模式和对称保护拓扑序。 5 自由费米子系统的拓扑分类:拓扑绝缘体和超导体的周期表,Su-Schriefer-Heeger模型和Kitaev的量子线:拓扑简并和马约拉纳边缘模式。 6 高维自旋模型,自旋液体,规范理论和Kitaev的环面代码模型,拓扑序和任意子 还将有一个小组项目,可以选择为文献综述(例如量子霍尔效应,Levin-Wen弦网络模型,拓扑绝缘体,