明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量,与原始样品相比,NI 二极管的电子浓度明显下降,表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性,这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明,中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱,但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
电路在暴露于辐射时。绝大多数商用电路在从海平面到飞机飞行高度(< 20 km)的自然环境中运行,其中错误主要由大气中子与硅的相互作用引起。最初,在 14 MeV 和 100 MeV 中子辐照下,测量了电源电压为 2V 至 5V 的静态存储器的软错误率 (SER)。由于电源电压降低而导致的错误率增加已被确定为未来低压电路运行的潜在危害。提出了一种用于准确表征制造过程 SER 的新方法,并通过对 0.6 jj.m 工艺和 100 MeV 中子的测量对其进行了验证。该方法可应用于预测自然环境中的 SER。
依靠双光子过程来实现高分辨率,因此需要在写入焦点处具有高激光强度。因此,DLW 需要材料具有高光学透明度。这排除了大多数有机半导体的 DLW,因为它们由于电荷传输 p 电子系统而固有地带有颜色。相反,电子束光刻 (EBL) 的高分辨率为光处理的微型设备提供了机会。当用电子照射时,有机薄膜会交联并发生局部溶解度的变化。9,10 Persson 等人用 EBL 构造聚(3-辛基噻吩),并用氯化铁 (III) 掺杂所得结构。11 Hikmet 等人图案化聚(对苯乙烯基)衍生物 (PPV) 用于多色有机发光二极管 (OLED)。9 在
摘要:激光消融过程中从目标表面发出的材料会在相反的方向上产生净推力(推进)。这种激光驱动的推进的能量效率由机械耦合系数(𝐶M)给出。在这项工作中,我们考虑了铝6061合金的纳秒紫外线激光消融,以使用不同的辐照条件研究𝐶m行为。这是通过系统变化来完成的:激光束的功能,均匀/非均匀强度和入射角。特别是我们发现,在处理不均匀的激光强度时,专门表征𝐶m,而the则并不完全令人满意,因为辐照区域上的能量分布在消除材料的方式中扮演着键角,在蒸发和相位证明和相位 - 塑性和冲刺之间产生了键作用。
辐射暴露尤其损害造血系统的细胞,诱导全血管减少症和骨髓衰竭。对这些过程的研究,以及开发治疗以防止造血损伤或增强辐射暴露后的恢复,通常需要在辐射后早期对骨髓细胞进行分析。虽然流式细胞术方法的表征很好地鉴定和分析了非辐照环境中的骨髓种群,但在处理辐照组织时会出现多种并发症。是辐射引起的C-KIT丧失,这是小鼠原始造血种群传统门控的中心标记。这些包括造血干细胞(HSC),这些干细胞是血液重建和终身骨髓功能的核心,并且是这些研究中分析的重要靶标。本章概述了HSC识别和分析的技术。
为了推进直接激光写入 (DLW) 的应用,打印结构的适应性至关重要,这促使人们转向打印由不同材料组成和/或可以根据需要部分或全部擦除的结构。然而,包含这些特征的大多数结构通常通过复杂的过程打印或需要苛刻的显影技术。本文介绍了一种用于 DLW 的独特光刻胶,它能够打印可通过暴露在黑暗中擦除的 3D 微结构。具体而言,基于光稳定动态材料的微结构在持续受到绿光照射时保持稳定,但一旦关闭光源就会降解。通过延时扫描电子显微镜深入分析了打印材料的降解和光稳定性。结果表明,这些光刻胶可用于赋予打印结构响应行为,并且至关重要的是,可用作临时锁定机制来控制移动结构特征的释放。
在 DLW 技术中,值得注意的是直接激光金属化 (DLM) 技术,该技术专注于精确选择和合成前体,用一定强度和脉冲持续时间的激光照射,导致化学反应并在表面形成金属微图案 [23,37,38]。例如,研究表明,DLM 可成功用于在玻璃和陶瓷表面制造铜、镍、金和其他金属基微图案 [39,40,41]。由于许多纳米材料的前体制备可能很复杂且耗时,DLM 方法的进一步发展导致找到了廉价、环保且易于合成的新型前体。研究表明,深共熔溶剂 (DES) 可能取代人们所寻求的前体,这种溶剂此前已被证明是分析化学中的有效萃取剂 [42] 以及电化学金属化的介质 [43]。
西北部在多个位置托管核废料。波特兰通用电气商店在哥伦比亚县前特洛伊木马核电站的34个大型混凝土和钢制罐中辐射或用过的核燃料组件。能源西北商店在华盛顿州里奇兰附近的哥伦比亚发电站核电站上花费了核燃料。美国DOE还在汉福德(Hanford)花费了核燃料,并最终将固定在临时存储中的高级核废料。如果最终开设了国家存储库存储设施或临时存储设施,则预计停工核反应堆的燃料预计将是“排队”中的第一个核废料,以转向这样的国家存储库。俄勒冈州能源部将参与广泛的计划和培训,然后这些材料从俄勒冈州运输或通过俄勒冈州。
钨 (W) 因其高密度和极高的熔点而成为靶材的主要候选材料。钨本身具有一个关键缺点,即在室温下脆性(低温脆性)、再结晶脆性和辐照脆性。TFGR(增韧、细晶粒、再结晶)W-1.1%TiC 被认为是解决脆性问题的可行方案。我们在 2016 年开始与 KEK 和金属技术有限公司 (MTC) 合作制造 TFGR W-1.1%TiC。TFGR W-1.1%TiC 样品于 2018 年 6 月成功制造。结果,样品显示出轻微的弯曲延展性和 2.6 GPa 的断裂强度。 TFGR W-1.1%TiC于2018年9月28日纳入HRMT-48 PROTAD实验。冷却后将对辐照后的TFGR W-1.1%TiC进行辐照后检测。