机构名称：
¥ 2.0
电路在暴露于辐射时。绝大多数商用电路在从海平面到飞机飞行高度（< 20 km）的自然环境中运行，其中错误主要由大气中子与硅的相互作用引起。最初，在 14 MeV 和 100 MeV 中子辐照下，测量了电源电压为 2V 至 5V 的静态存储器的软错误率 (SER)。由于电源电压降低而导致的错误率增加已被确定为未来低压电路运行的潜在危害。提出了一种用于准确表征制造过程 SER 的新方法，并通过对 0.6 jj.m 工艺和 100 MeV 中子的测量对其进行了验证。该方法可应用于预测自然环境中的 SER。
CMOS 电路中中子引起的软错误
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