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补充信息，以控制相变的约瑟夫森连接处半流通状态的可控操作
所研究的设备包含平面JJS，由厚度为70 nm的NB膜制成。该胶片是通过在氧化的Si晶片上在室温下在室温下溅射沉积的。首先通过光刻和活性离子蚀刻将薄膜构成约6 µm宽的桥梁，然后由Ga+聚焦离子束（FIB）FEI NOVA 200。JJS具有可变的厚度桥结构。它们是通过通过fib在NB层中切一个狭窄的凹槽而制成的。单线切割，名义宽度为零，在10 pA和30/10 kV加速电压下进行。蚀刻时间是自动限制的。“长” JJ2是使用30 kV梁制成的，其斑点尺寸约为7 nm，而“短” JJ1是用10 kV fib制成的，其斑点大小约为两倍。由于NB的重新沉积，FIB切割的深度在纵横比（深度/宽度）〜2处是自限制（请参阅参考文献中的讨论[1]）。结果，JJ1既比JJ2更宽又深，如图3（a），导致临界电流的相应差异。
表面处理和耦合剂在异质结的双层复合材料
摘要：在汽车，航空航天和电子行业等行业中对轻质和耐用材料的需求不断增长，促使异性结构双层复合材料的发展，将金属的结构完整性与聚合物的多功能性结合在一起。本研究介绍了不锈钢（SUS）和聚酰胺66（PA66）之间的临界界面，重点是表面处理和各种硅烷偶联剂在增强异径sus/pa66双层复合材料的粘附强度方面的关键作用。通过系统的表面修饰（通过扫描电子显微镜，原子力显微镜和接触角分析显示），该研究评估了增加表面积，粗糙度和SUS能量的影响。X射线光电子光谱评估证实了特定硅烷偶联剂的战略选择。尽管某些偶联剂几乎没有影响力学，但值得注意的是，氨基丙基三氧基硅烷（A1S）和3-甘油同基氧甲基三甲氧基硅烷（ES）显着增强了杂气结的机械性能。这些进步归因于金属 - 聚合物界面处的界面相互作用。这项研究强调了靶向表面处理的重要性，以及明智的耦合剂在优化金属 - 聚合物复合材料的界面粘附和整体性能方面的明智选择，为材料的制造提供了有价值的见解，在减轻重量和增强耐用性的情况下，材料的制造是最重要的。
采用 AMPS 的 a-SiC/i 界面/n-Si 异质结太阳能电池...
在本研究中，使用微电子和光子结构分析 (AMPS-1D) 模拟器检查并表征了异质结 (P + a-SiC/i 本征/n-Si) 太阳能电池。在这种异质结太阳能电池中，施加了本征层以提高效率和性能。使用该本征层，可以实现 36.52% (Voc = 1 714 V、Jsc = 27 006 mA/cm 2 和 FF = 0 789) 的最佳效率。还观察了没有本征层的太阳能电池。在这种情况下，观察到的最大效率为 2.378%，这非常差。还研究了具有电子阻挡层 (EBL) 和缺陷层的异质结太阳能电池。在这种情况下，模拟结果显示效率 (34.357%) 低于之前。本研究论文介绍了一种异质结太阳能电池的优化模型，该模型通过增加本征层来提高效率。所提出的设计在其理论框架中显示出巨大的潜力。展望未来，该设计可以在实验室环境中实现，并有可能扩大应用范围。
基于Nio/Si异质结的自动宽带光电探测器，并结合石墨烯透明导电层
摘要：在这项研究中，通过在SI底物上的纳米结构NIO的直接自旋涂层制造了基于石墨烯/Nio/N-Si的自动宽带光电探测器。Nio/Si异质结构的Curren T – V Oltage测量表现出在光照明下具有增强的pho-drumerent的整流特性。在300 nm至800 nm的范围内测量了光反检测能力，并且由于NIO的宽带隙，观察到紫外线区域的较高光响应。顶部的石墨烯透明导电电极的存在进一步增强了整个测得的波长区域的响应性，从350至800 nm。，在插入石墨烯顶层时，发现NiO/Si检测器在350 nm处的光响应从0.0187增加到0.163 a/w。在零偏置处的高摄影电流比（≃104）表明该设备在节能高性能宽带光电检查器中具有有利的应用。
pembrolizumab含有铂和氟咪定的化学疗法，用于未经治疗的HER2阴性晚期胃或胃食管接口
•评估委员会将再次开会，以考虑证据，该评估咨询文件和利益相关者的评论。•在该会议上，委员会还将考虑不是利益相关者的人的评论。•考虑了这些评论后，委员会将准备最终的指导草案。•在利益相关者的任何上诉中，最终指导草案可以用作NICE在英格兰NHS中使用Pembrolizumab与铂和氟吡啶基化学疗法的指导的基础。
多结太阳能电池的进展
摘要。先进的多结太阳能电池 (MJSC) 已成为光伏文献中效率更高的领跑者。它以效率仅为 20% 的串联太阳能电池开始其发展历程，如今，它已通过六个结组合达到了令人印象深刻的 47.1% 的光转换效率 (PCE)。自 20 世纪 90 年代初以来，这些太阳能电池已用于太空应用。最近，也有将这种类型用于地面应用的趋势。然而，在过去的三十年中，制造工艺的复杂性和高成本一直是重大挑战。光伏 (PV) 界见证了各种解决这些障碍的制造方法。本文回顾了 III-V MJSC 及其制造工艺的计算和实验研究方法的进展。此外，它还解决了阻碍这些电池及其前景发展的障碍。本评论收集了有关 III-V 族 MJSC 的少量文章的见解，以便及时、有意识地为新进入者、专家和从业者提供有关研究方法、发展技术、现状、挑战和机遇的全面指导。
铝约瑟夫森结微结构和电性能的退火改进 Nikita D. Korshakov 1,2，Dmitry O. Moskale
基于 Al/AlO x /Al 约瑟夫森结的超导量子比特是通用量子计算机物理实现最有希望的候选者之一。由于可扩展性和与最先进的纳米电子工艺的兼容性，人们可以在单个硅芯片上制造数百个量子比特。然而，由非晶电介质中的双层系统（包括隧道势垒 AlO x ）引起的这些系统中的退相干是主要问题之一。我们报告了一种约瑟夫森结热退火工艺开发，用于结晶非晶势垒氧化物（AlO x ）。获得了热退火参数对室温电阻的依赖关系。所开发的方法不仅可以将约瑟夫森结电阻提高 175%，还可以将其降低 60%，R n 的精度为 10%。最后，提出了关于隧道势垒结构修改的理论假设。建议的热退火方法可用于为广泛使用的固定频率 transmon 量子比特形成稳定且可重复的隧道屏障和可扩展的频率调整。
马约拉纳三结的设计 摘要 1 简介
马约拉纳态的编织展示了它们的非阿贝尔交换统计数据。编织的一种实现方式需要控制三结器件中所有马约拉纳态之间的成对耦合。要具有绝热性，三结器件需要所需的对耦合足够大并且不需要的耦合消失。在这项工作中，我们设计并模拟了二维电子气中的三结器件，重点关注连接三个马约拉纳态的正常区域。我们使用优化方法在多维电压空间中找到器件的工作状态。利用优化结果，我们通过绝热耦合不同的马约拉纳态对而不关闭拓扑间隙来模拟编织实验。然后，我们评估了在不同形状和无序强度下在三结器件中进行编织的可行性。
光催化剂编辑中的异性结论的特殊主题
为了抑制光生的电子和单个光催化剂中孔的重组，一种重要的方法是通过结合两个光催化剂来设计异构。此方法已广泛用于增强复合材料的光催化性能。在开始时，大多数人都使用II型电荷载体传递机制来解释复合半导体的出色活性。虽然II型杂插机制可以说明空间中光所产生的电子和孔的分离，但它面临着巨大的问题和挑战。首先，复合光催化剂的还原能力随着光基电子从高传导带（CB）转移到低CB的转移而降低。同样，复合光催化剂的氧化能力随着孔从较低的价带（VB）转移到较高的Vb而降低。因此，从热力学的角度来看，由于系统的氧化还原能力降低，该电荷载体转移对光催化的降低有害。其次，从动态的角度来看，由于其强的电子电子库仑排斥力，因此不可能将电子从一个光催化剂转移到另一个光催化剂。同样，孔也不可能从低Vb转移到高VB。因此，近年来越来越多的研究表明，II型异质结载体转移机械机械不正确。在2019年，为了解决II型异质结构机制中电荷载体转移机制的问题，首先提出了一种新的步骤方案（S-SCHEME）杂结概念。S-Scheme杂结包含两个不同的半导体光催化剂，即还原光催化剂（RP）和氧化光催化剂（OP）。RP的CB，VB和费米水平高于OP。在RP和OP接触之后，由于RP和OP具有不同的费米水平，RP中的电子将转移到OP，直到其界面处的费米级别相等。该电子转移分别以正电荷和负电荷导致RP和OP。最后，在界面上构建了内置电场，其方向是从RP到OP。在光照射下，电子从两个光催化剂的VB都激发到其CBS。然后，内置的电场驱动了光生电子从OP转移到RP。因此，光生的电子和孔在空间上