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通过多任务学习跨工程机队的知识转移的等级贝叶斯建模
摘要 - 我们提出并在实验上基于双波长DFB激光器，基于四个相移的Moiré光栅（4PS-SMG）。通过在山脊波导的每一侧设计4PS光栅，在腔内的两侧进行了等效的引入，从而实现了两种π相移，从而使设备能够展示双波长激光。山脊波导每一侧的4PS-SMG的采样周期分别为4668 nm和4609 nm。可以通过电子束光刻（EBL）以高质量实现采样周期的59 nm差异。此外，侧壁光栅结构只需要一个暴露才能定义山脊波导和光栅，从而避免了与光栅和山脊波导之间的未对准有关的问题。将电流注入130 mA至210 mA范围内的DFB激光器时，该设备会提供出色的双波长性能，其功率差在两种主要模式之间的功率差不到2 dB。该设备在39.4 GHz处提供高质量的射频（RF）信号，狭窄的线宽约为5.0 MHz。索引项 - 毫米波，双波长DFB激光器，DFB半导体激光器，采样Moiré光栅。
通过光子线粘结启用的薄膜锂硅锂上的高功率和窄线宽激光
薄膜硅锂（TFLN）已成为实现高性能芯片尺度光学系统的有前途的平台，涵盖了从光学通信到微波光子学的一系列应用。此类应用程序依赖于将多个组件集成到单个平台上。然而，尽管其中许多组件已经在TFLN平台上进行了证明，但迄今为止，该平台的主要瓶颈是存在可调，高功率和狭窄的芯片激光器的存在。在这里，我们使用光子线粘结解决了这个问题，将光学放大器与薄膜锂锂反馈电路集成在一起，并证明了扩展的腔二极管激光器，产生了78 MW的高芯片上功率，侧模式抑制较大，大于60 dB，大于43 nm的宽波长可调节性。在短时间内的激光频率稳定性显示了550 Hz的超鼻中固有线宽，而长期记录表明，光子线键合激光器的高无源稳定性具有46小时的无模式跳动操作。这项工作将光子线粘结验证为用于高性能在芯片激光器上的可行集成解决方案，为系统级别的升级和瓦特级输出功率打开了路径。
强烈的全定量近定位表征...
图3：检索EPP特性。（a）激子 - 平面极性子在金上沉积的13 nm厚的WSE 2的分散关系。colormap显示了反射系数的虚构部分，该部分用TMM计算。带有误差条的白线对应于从数据中提取的实验波形。垂直误差条对应于入射激光器的线宽，水平误差条是峰位置上的不确定性。使用TMM计算的理论分散关系的橙色线。红色虚线表示空气中的光线，水平虚线WSE 2的A-Exciton的能量，而蓝色虚线则在没有A-Exciton的情况下将样品的分散体。（b）与耦合振荡器模型（COM）相比，EPP的分散关系。两个极化分支以紫色绘制，实验波形为黑色。（c）实验性（黑色曲线）和理论（橙色曲线）的传播长度。水平误差条对应于拟合的不确定性。（d）使用Munkhbat等人的WSE 2介电函数计算出13 nm厚的WSE 2对黄金的反射性的比较。40（蓝色虚线），直接用传统的远场显微镜（绿线）直接测量，使用介电函数计算得很适合拟合远距离的反射（红线），并从近乎测量的测量值（紫色squares）中提取。
制造过程杂志
在这项研究中，我们提出了一条基于冷喷雾剂的新型制造路线，该路线可以在高空间分辨率的情况下自定义生产灵活的电子产品（FE），而无需高温后插图后。提议的制造路线顺序包括：（1）冷喷涂金属化； （2）飞秒激光加工； （3）超声波塑料焊接。首先，柔性聚合物（即，PET）表面通过真空和无面膜条件下的锡（SN）颗粒的冷喷涂直接写入锡（SN）颗粒。然后精确地切成任意设计的高分辨率电极（即，500μm线宽）通过飞秒激光加工。最后，激光切割电极通过超声塑料焊接连接到碱基聚合物底物上，以构成机械弹性和保形的Fe。以这种方式，提出的路线可以利用Fe中的冷喷水沉积物的独特特征（例如，强烈的粘附，高电导率，最小的热输入）。所得的打印件显示出极好的电导率（1.08×10 6 s·m -1），柔韧性（60％伸长）和粘附强度，而没有显着损害内在的聚合物和功能涂料特性。此外，还制造了蛇形形的柔性微型热器（10×10 mm 2），以证明在柔性微电子中引入平台的生存能力。这项工作有可能提供有希望的途径，以机械弹性和保形的方式快速，可扩展和成本效益的高分辨率和高性能FE产生。
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
直接成像掩模版写入器
下一代成像技术融合了我们可调四波 LED 投影仪技术、新数据处理方法、外部光栅化引擎、无捕获相关数据重新加载、全区域高分辨率缩放、产量和质量改进工具等诸多方面的重大进步。吞吐量：下一代光引擎功能强大，允许您根据吞吐量选择更少的光引擎，从而降低机器投资成本。四波：下一代采用 360、370、390、405nm LED。这些 LED 可以进行调整以匹配光刻胶灵敏度，从而提高成像效率和调整壁陡度，并允许灵活选择光刻胶和阻焊层类型。符合 DART 标准：下一代包括外部光栅化引擎。这允许高速光栅化，包括数字线宽补偿和缩放，无需等待。使用 DART 优化套件进行全过程控制。视觉增强：Miva 的新视觉技术允许特征测量并改善目标获取。 NextGen 的视野更大，使面板放置更加简单，并且无需重新加载与捕获相关的数据。分辨率：NextGen 目前提供 30µm、15µm 或 6µm 分辨率。
集成的光子学和电光设备
David Barton Northwestern University，材料科学与工程系dbarton@northwestern.edu摘要薄薄膜锂尼贝特在绝缘子上（TFLN）是一个有前途的经典和量子光子学的平台，因为它具有内在的宽敞的电 - 功能效果，宽阔的透明度窗口，宽阔的透明度窗口和宽面额的可用性。该平台中驾驶电场和折射率之间的直接连接使光场和电场之间的相互作用有了新的相互作用。本演示文稿将主要关注我使用此平台的博士后工作的工作，以创建集成的光子设备到新的和无与伦比的功能。首先，我将在该平台中描述一些设备示例，以利用强大的电彩调制功能，包括飞秒脉冲的产生，高功率和窄线宽激光器以及微波量量子传感器。接下来，我将重点介绍我们在西北部正在从事的一些工作，以了解该材料系统困扰的低频漂移和稳定性问题的材料起源。最后，我们将提出一些未来的工作，以开发新的集成光子材料和设备，以克服尼贝特锂在绝缘子上的局限性。一起，这项工作开发了更好的结构 - 处理 - 良好的设备的绩效指标，同时激发了综合光子学的新材料开发以突出性能和效率的限制。
发现信息和通信技术的纳米结构光发射器的最新进展
具有低维度（如量子点和量子破折号）的抽象半导体纳米结构是实现高性能光子设备的最具吸引力和启发式解决方案之一。当纳米晶方法的一个或多个空间维度时，纳米级的大小效应会产生载体的空间量化，从而使能量水平的完全离散化以及其他量子现象以及其他量子现象（如纠缠 - photon产生或挤压光态）。本文回顾了我们最新的基于纳米结构的光发射器的发现和前景，其中用量子点和量子扣纳米结构制成活跃区域。从基于硅的集成技术到量子信息系统的许多应用都依赖于此类激光源的利用。在这里，我们将材料和基本属性与设备物理联系起来。为此，仔细检查了频谱宽度，极化各向异性，光学非线性以及微波，动态和非线性特性。该论文重点是在天然基材（INP和GAA）上生长的光子设备，以及在硅底物上生长的异质和外展生长的光子设备。这项研究将使用纳米结构作为获得媒体的光发射器开发的最令人兴奋的最新创新，并突出了纳米技术对工业和社会的重要性，尤其是塑造未来的信息和通信社会。
纳米线量子点对原子过渡的可逆调整
不降低发射光子的性质，并且可以独立用于同一芯片上的单个NW-QD，到目前为止仍然是一个挑战。解决此问题对于将光子与需要MHz相连的量子系统与Sub-GHz精确的量子系统（例如原子集合）在量子网络中充当记忆的量子系统至关重要。在这里，我们演示了一种可逆的调整方法，可以将NW-QD的发射频率通过sub-GHz精度调整为300 GHz以上。我们通过气体凝结实现这一目标，然后通过局部激光消融将其部分逆转。此过程可很好地调节用于量子点的应力，从而调整其发射频率。我们通过调整跨原子共振的发射单光子的频率来验证该方法的精度和稳定性，以探测其吸收和分散体。我们观察到在D 1-Line共振下，在热纤维蒸气中，NW-QD的单光子吸收多达80％，并且与D 1-LINE基态的超精细转变相关的组速度下降75倍。我们观察到NW-QD发射的二阶自相关函数，寿命或线宽的效果没有明显的效果，最多可以调音300 GHz，并且在调音高达100 GHz时，我们看到对NW-QD的细胞结构分裂的影响最小。
硅光子微机电系统分插环形谐振器在铸造过程中
摘要 光子分插滤波器是光纤通信系统中实现波分复用 (WDM) 的关键组件。光子集成领域的最新进展表明，将光子分插滤波器与高性能光子构建块集成在芯片上，可以构建用于 WDM 的紧凑而复杂的光子集成电路。通常，实现基于带有集成加热器或基于自由载流子色散的调制器的微环谐振器来调整滤波器波长。然而，加热器的功耗很高，而自由载流子会导致光吸收损耗，限制了向超大规模电路的可扩展性。我们展示了基于垂直可移动 MEMS 驱动环形谐振器的紧凑型分插滤波器的设计、仿真、制造和实验特性。MEMS 驱动的分插滤波器在 IMEC 的 iSiPP50G 硅光子平台中实现，并使用短后处理流程在晶圆级兼容工艺中安全释放悬浮的 MEMS 结构。该滤波器在 1557.1 nm 处表现出约 1 nm (124.37 GHz) 的直通端口线宽，并且在 27 V 的驱动电压下保持 20 dB 的端口消光和 > 50 dB 的端口隔离。低功耗和紧凑尺寸的结合证明了其适用于光子电路中的超大规模集成。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 International 许可证出版。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.JOM.2.4.044001]