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Cisco DNA软件SD-WAN和路由矩阵
(service side), route maps, BFD PMTU, CoS marking (802.1P), static and service side NAT, NAT pool support for DIA, NAT using loopback interface address, HQoS, per-tunnel QoS, Ethernet subinterface QoS, WAN loopback support, OMP redistribution, service VPN redistribution, mapping BGP communities to OMP tags, match and set communities during BGP to OMP redistribution (localized and centralized policy), secondary IP address support on SVI (interface VLAN), TLOC extension, DHCP options support, BFD for BGP/OSPF/EIGRP - CLI template, NTP server support, DIA Tracker: Interface tracker for DIA, ability to track static route on service VPN, per-class/DSCP BFD for AAR, ACL matching ICMP，增强策略路由（CLI模板），巨型帧（1GE接口），自定义应用程序支持（用于应用程序意识路由），SD-AVC，灵活的Netflow，EVPN，MacSec支持，自动化服务链条和插入。
大脑在基于多源神经反馈游戏期间的竞争和协作中同步
神经元和神经胶质是高度极化的细胞，其远端细胞质功能亚域需要特定的蛋白质。神经元具有轴突和树突状细胞质扩展，其中包含突触，其可塑性受mRNA转运和局部翻译有效调节。这些机制背后的原理对于解释远端神经胶质细胞质投影的快速局部调节（与其细胞核无关）同样有吸引力。然而，与神经元相比，mRNA定位在GLIA中几乎没有实验性关注。尽管如此，有许多功能多样的神经胶质亚型，其中包含长长的细胞质投影网络，其可能局部调节可能会影响神经元及其突触。此外，神经胶质具有许多其他类似神经元的特性，包括电活动，胶质递质的分泌和钙信号传导，例如突触传递，可塑性和轴突修剪。在这里，我们回顾了先前关于神经胶质转录本在影响突触可塑性方面重要作用的研究，重点是涉及局部翻译的一些情况。我们使用已经可用于神经元可用的尖端工具讨论了有关mRNA传输和Glia中局部翻译的各种重要问题。
2020 年员工福利手册 - Walmart One
本地员工：如果公司已批准您具有本地身份，您和您居住在美国的家属将有资格享受与在美国居住和工作的美国公民员工相同的计划福利。任何适用的等待期均免除。您没有资格享受计划下的外籍人士保险。如果您是本地员工，并且符合条件的家属居住在美国境外，则医疗索赔将作为网络福利处理，无论提供商的网络状态如何，并按照适用的自付费用或共同保险费率支付网络费用，但须遵守计划下适用的限制和排除条款。您或您已登记的家属必须根据计划的索赔程序提交报销索赔。
利用双极电化学技术控制导电聚合物中复杂电阻梯度的图案化
导电聚合物因其可用于设计微电子局部电活性图案而备受关注。在这项工作中，我们利用聚吡咯的特性，结合双极电化学引发的无线极化，产生局部电阻梯度图案。物理化学改性是由聚吡咯的还原和过氧化引起的，这会在预定位置的导电基板的不同位置产生高电阻区域。由于聚吡咯具有出色的柔韧性，可以形成 U 形、S 形和 E 形双极电极用于概念验证实验，并进行电化学改性以产生明确的电阻梯度。样品的 EDX 分析证实了局部物理化学改性。与更传统的图案化方法相比，这种方法的主要优势是双极电化学的无线特性以及可能对电化学改性的空间分布进行微调。
轻巧的运动：印刷液晶弹性体的光反应形状变形
摘要软计算机将需要柔软的材料，这些材料表现出丰富的功能多样性，包括形状变形和光反应。这些功能的组合可以在软计算机中有用的行为，可以通过合成表现出局部响应性的材料来进一步发展。可以通过为直接墨水写作（DIW）制定复合墨水来启用液晶弹性体（LCE）的局部响应（LCE），它们是表现出形状变形的软材料。金纳米棒（Aunrs）可以添加到LCES中，以通过局部表面等离子体共振吸收光后光热形状变化。我们比较了LCE公式，重点是DIW和Aunrs的光响应性打印。不同的三维体系结构的局部响应能力启用了可以振荡，爬网，滚动，运输质量并显示其他独特的致动和运动模式，以响应光线，从而使这些有希望的功能材料用于高级应用程序。
局部应变修改对 AlGaN 整体特性的影响 ...
微电子器件的性能和可靠性受器件层内的机械应变控制。通常，这是通过从外部或内部施加均匀分布的应变来研究的。本研究的重点是 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由于其压阻和压电特性，预计它对应变更敏感。因此，我们假设即使是微小但局部的应变也可能对 HEMT 的整体行为产生重大影响。为了研究这一假设，我们通过在 800 × 840 μ m 2 尺寸 HEMT 芯片背面铣削一个深度约为 70 μ m 的 20 × 30 μ m 2 微沟槽来引入高度局部的应变释放。使用微拉曼技术绘制了由此产生的平面内残余应变的局部松弛。我们的结果表明，仅 0.02% 的应变下降就可以使总输出饱和电流降低高达 ~20%。输出电流下降的原因是器件层中的应变释放导致二维电子气 (2DEG) 载流子密度和电子迁移率降低。然而，应变释放的机械过程也会导致界面产生缺陷，从而增加漏电流。我们的局部应变重新分布技术可以成为替代电子设备通道中固有局部应变累积影响的有效工具。
量子计算的投影冷却算法
在当今充满噪声的量子设备时代，需要高效且抗噪声的量子算法。为此，我们引入了用于量子计算的投影冷却算法。投影冷却算法能够构建任何具有平移不变动能和远距离消失相互作用的哈密顿量的局部基态。术语“局部”是指位置空间中的局部化。该方法可以看作是蒸发冷却的量子模拟。我们从初始状态开始，并在较大体积的紧凑区域上提供支持。然后，我们驱动激发的量子态分散并测量留下的波函数的剩余部分。对于我们在此考虑的非平凡示例，与其他方法相比，改进是巨大的。唯一需要的额外资源是在明显大于局部状态大小的体积中执行操作。这些特性使投影冷却算法成为计算自束缚系统（如原子核）的有前途的工具。
筛查疾病控制的硫化葡萄球核化合物晶体，用于相变的记忆应用
模型的哈密顿型与现场障碍，由于所有电子状态均已定位，因此不会发生扩散。十年后，莫特介绍了通用随机汉顿人的移动性边缘的概念：根据定义，移动性边缘将延伸状态与局部化状态分开。[2]在这种更一般的情况下，当费米水平E F位于局部状态的区域时，零温度发生在零温度下。随后，安德森和同事提出了定位的缩放理论，[3]据此，所有电子状态都位于1D和2D无序系统中，只要电子相关性和自旋 - 轨道 - 轨道耦合较弱，就可以看不见随机性的强度。相比之下，3D系统可以在变化障碍或整个迁移率边缘调整EF后经历金属 - 绝缘体过渡（MIT）[2]。疾病诱导的电子定位，例如磷掺杂的硅（SI：P）和铝掺杂的砷化铝（Al X GA 1-X AS）。
