宽频段晶体中的抽象缺陷中心对它们在光电和传感器技术中的应用中的潜力引起了人们的兴趣。然而,众所周知,由于钻石,碳化硅或氧化铝的高度绝缘晶体中的缺陷,由于其较大的内部耐药性,因此很难电气兴奋。为了应对这一挑战,我们意识到了基于十六角硼(HBN)的碳中心的垂直隧道连接处令人兴奋的缺陷范式。通过Van der Waals技术的设备的合理设计使我们能够升高和控制与缺陷到波段和intradefect的电致发光有关的光学过程。对隧道事件的基本理解是基于HBN中的谐振缺损状态之间电子波函数振幅转移到石墨烯中金属状态的,这导致由于组成材料的不同条带结构而导致电子特性的巨大变化。在我们的设备中,通过隧道通路的电子衰变与辐射重组竞争,由于特征性隧道时间在屏障的厚度和结构上具有显着的敏感性,导致载体动力学的可调性程度。这使我们能够实现Intrade的过渡的高耐高率电激发,超过了几个数量级,因此在子兰段式方案中光激发的效率。这项工作代表了通用且可扩展的平台的显着进步,用于使用宽带间隙晶体中的缺陷中心的电动设备,其特性通过在设备工程水平上激活不同的隧道机制进行调制。
摘要:目前,单结钙钛矿基太阳能电池的光电转换效率已达到26%以上。钙钛矿基光电器件效率的进一步提升主要受到缺陷的限制,缺陷会导致载流子的非辐射复合。为了提高效率并确保可重复地制造高质量的层,了解钙钛矿的成核和生长机制以及相关的工艺控制以降低缺陷密度至关重要。在本研究中,我们研究了一种有前途的窄带隙钙钛矿——甲脒甲基铵碘化铅 (FAMAPbI 3 ),用于高性能单结太阳能电池。通过掠入射广角 X 射线散射和光致发光实时检查了 FAMAPbI 3 真空共沉积过程中结构和光电特性的时间演变。这种分析技术的组合揭示了钙钛矿沉积早期阶段与晶格应变相关的固有缺陷密度和层形貌的演变。关键词:铅卤化物钙钛矿、真空沉积、原位表征、缺陷、固有应力■简介
伦敦,英国摘要本文研究了基于从公众对科学看法收集的定量数据得出的概率模型,研究了拉丁美洲科学的文化参与。我们探讨了社会分层和背景因素的影响 - 性别,年龄,教育,社会经济水平以及对科学的兴趣以及其他对位于阿根廷,巴西,智利,智利,萨尔瓦多,墨西哥,巴拿马,巴拿马和巴拉圭的科学博物馆的兴趣。数据表明,博物馆的出勤受到影响其他文化实践的相同社会决定因素。个人在社会中占据的立场调解了他们的机会和主观性格。文化参与科学的参与是由社会不平等分层的,使最受保护的社会阶层边缘化:教育和收入水平较低的公民,老年人,妇女以及居住在大城市和城市地区以外的人。该证据挑战了科学博物馆的管理和交流:不平等问题参与式民主努力,将文化参与转变为公平和社会正义的问题。关键词科学博物馆;社会不平等;拉丁美洲
摘要:传统的π偶联发光大分子通常患有聚集引起的淬火(ACQ)和高细胞毒性,它们需要复杂的合成过程。相反,具有非偶联结构的非惯例发光宏观分子(NCLM)具有出色的生物相容性,易于制备,独特的发光行为以及在光电子,生物学,生物学和药物中的新兴应用。NCLM当前被认为由于固体/骨料状态中重叠电子轨道的空间结合而产生固有的发光。然而,随着实验事实继续超过预期,甚至推翻了以前的某些假设,关于NCLM的详细发光机制仍然存在争议,需要进行广泛的研究以进一步探索该机制。这种观点重点介绍了NCLM的最新进展,并从分子设计,机理探索,应用以及挑战和前景的角度进行了分类和总结。目的是为NCLM的巨大基本和实践潜力提供指导和灵感。
(未通过同行评审认证)是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。该预印本版的版权持有人于2024年6月13日发布。 https://doi.org/10.1101/2024.06.13.598801 doi:biorxiv Preprint
化合物具有良好的基础,因为它们具有多种优势。它们表现出可调的发射特性;因此,可以针对特定C应用定制发射光的颜色和强度。11 - 13这种可调节性是创建可以补充人类视觉敏感性的磷光器的关键特征,从而带来最佳的照明和显示质量。ca 3(vo 4)2(一种钒酸盐)具有一种结构结构,当用某些稀土离子掺杂时,可以定制以在可见光谱中发出光。14此功能使CA 3(VO 4)2成为需要绿色排放的引人注目的选择,例如在W-LED和显示技术中。15基于Ca 3(vo 4)2的磷光体的可调节性能源于其可调节的特性,从而能够以受控和有效的方式产生材料。发射白光二极管(LED)的发展在很大程度上取决于绿色发射磷。在发光活化剂中,TB 3+离子以其出色的量子产率,辐射纯度和稳定性而闻名。16,17用于研究绿色发光,最近将TB 3+离子添加到宿主材料中,例如BioCl和Sral 2 O 4。 18,19 4f 8 - 4f 7 5d 1转换负责TB 3+离子在(220-300)NM区域中显示的广泛激发属性。 令人惊讶的是,在此激发范围内还吸收了孤立的VO 4 3-部分,可能用作TB 3+离子敏化剂。 kuz'Icheva等。 在TM掺杂的Ca 3(vo 4)2中证明了光谱发光特性。 20 Voronina等。16,17用于研究绿色发光,最近将TB 3+离子添加到宿主材料中,例如BioCl和Sral 2 O 4。18,19 4f 8 - 4f 7 5d 1转换负责TB 3+离子在(220-300)NM区域中显示的广泛激发属性。令人惊讶的是,在此激发范围内还吸收了孤立的VO 4 3-部分,可能用作TB 3+离子敏化剂。kuz'Icheva等。在TM掺杂的Ca 3(vo 4)2中证明了光谱发光特性。20 Voronina等。描述Mn掺杂的Ca 3(vo 4)2,21
3D打印构成了技术的进步,通过使制造商能够从数字蓝图制造复杂的定制组件来彻底改变当代工业。此外,3D打印与尖端材料的融合导致了具有多种应用范围的诱人元素。因此,这项工作描述了与Yb 3 +和ER 3 +掺杂的发光材料Nayf 4的合并,并嵌入树脂中以进行3D打印以创建电动发光齿轮。制造的发光齿轮利用了525 nm(2 H 11/2→4 I 15/2)和550 nm(4 s 3/2→4 I 15/2)的ER 3 +排放之间的强度比,这些强度比热耦合,以检测齿轮通过Friction的较小温度变化。该技术可以与热电视互补,证明对于监测使用热摄像机测量或直接接触温度计的元素中的温度特别有价值。发现光学测量值与热电视相比,温度读数具有增强的(统计)精度,发光温度计为𝜹 t = 0.07 k,而热摄像机则与𝜹 t = 0.3 k相比。这项工作可以使用具有令人兴奋的特性的3D打印和材料来激发新的研究方向,从而促进当代工业技术中的创新解决方案。
图1:无等值的电子孔重组(左)和CW泵送(右)下的非平衡电子分配。在两个面板中,费米水平都用水平,黑色虚线在能量µ f处描绘。右图:通过从泵浦光束吸收频率ωL的光子通过吸收光子,将低能电子升级为在费米水平上。这些热电子及其相应的热孔的积累受到平衡的松弛限制,这主要是由于电子电子相互作用。在固定方案中,激发与松弛之间的竞争产生了稳定的热电子和孔(红线),各自的职业概率k n和1 -k n。左图:两个电子孔(E-H)重组事件的方案,一个高于费米水平的一个,一个是通过电子的非平衡分布来实现的。相应的状态职业概率由蓝色虚线表示。请注意,k n〜0的夸张值。2已用于简化说明,当逼真的值为k n〜 i l /(10 11 w.cm -2)时,样品处的泵浦强度。请参阅非平衡分布的分析形式的方法和k n的解释。
yttrium硼酸盐用欧洲离子掺杂,通过在900 o C的消气炉中的固态合成制备4小时,而在消音炉中,在1000 o C再次制备了1000 o C的兰田和铝制硼酸盐。所产生的材料是细的白色粉末。在稀土离子中,Europium是最常用的激活剂之一,因为EU 3+和EU 2+的离子可以用作宿主晶格中的发射位点。EU 3+离子可以在不同基质组成中产生有效的尖锐发射峰。 进行样品的光致发光分析,基于通过比较特征确定EU 3+离子的发光强度。 YBO 3:EU 3+磷光是光学活跃的,化学稳定。 它的特征是由于5 d 0→7 f 1和5 d 0→7 f 2电子跃迁,在≈591nm,≈612和≈696nm处有强橙红色发射。 在≈592和≈615nm处的labo 3:eu 3+也观察到了红色发射,表征了5 d 0→7 f 1和5 d 0→7 F J(j = 0,1,2,3,4)的过渡。 虽然用欧洲离子掺杂的铝制硼酸盐在≈612nm处显示出强烈的发射,因此该材料适用于照明设备。 使用傅立叶变换红外光谱(FTIR)的技术来研究获得的材料的结构。EU 3+离子可以在不同基质组成中产生有效的尖锐发射峰。光致发光分析,基于通过比较特征确定EU 3+离子的发光强度。YBO 3:EU 3+磷光是光学活跃的,化学稳定。它的特征是由于5 d 0→7 f 1和5 d 0→7 f 2电子跃迁,在≈591nm,≈612和≈696nm处有强橙红色发射。在≈592和≈615nm处的labo 3:eu 3+也观察到了红色发射,表征了5 d 0→7 f 1和5 d 0→7 F J(j = 0,1,2,3,4)的过渡。虽然用欧洲离子掺杂的铝制硼酸盐在≈612nm处显示出强烈的发射,因此该材料适用于照明设备。使用傅立叶变换红外光谱(FTIR)的技术来研究获得的材料的结构。
印度发光协会在2015年12月18日至19日在印度巴罗达(Baroda)举行了一次国际发光材料研讨会(ISWLM-2015)研讨会,作为2015年Light-2015年的庆祝活动。自LSI成立以来,这次会议是LSI组织的一系列年度会议中的第28届会议。会议是对先前的ICLA-2023(CSIR-IICT,海得拉巴)的后续活动,NCLA-2021(Govt。v.y.t.pg.自动。College Durg)NCLA-2020(NIT-Warangal),ICLA-2019(Pt。RSS大学,Raipur),NCLA- 2018,(NIIST,Trivandrum),NCLA-2017,(IICT,Hyderabad)NCLA-2016,(R.T.M. 纳格布尔大学,纳格布尔),ICLA-2015(Pesit,Bengaluru),NCLA-2014(Jabalpur)(Jabalpur),NCLA-2013(Pesit,Pesit,Bengaluru),ICLA-2012,ICLA-2012 NCLA-2010(Gru,Gandhigram),NCLA-2009(CGCRI,Kolkata),ICLA-2008(NPL,新德里,新德里),NCLA-2007,NCLA-2007,NCLA-2007(BU,COIMBATORE),NCLA-2006(NCLA-2006(BU)(SGBBB University) ICLA-2004(BARC,孟买),NCLA-2003(NPL,新德里),RDU,NCLA-2002(JABALPUR),NCLA-2001(OU,HYDERABAD),ICLA-2000(ICLA-2000(MSU,MSU,BAR),NCLA- 1998年,1998年(MU,IMPHAL),NCLA-195(NCLA-197)(BILASC-197) Raipur),NCLA-1992(MSU,Baroda)。RSS大学,Raipur),NCLA- 2018,(NIIST,Trivandrum),NCLA-2017,(IICT,Hyderabad)NCLA-2016,(R.T.M.纳格布尔大学,纳格布尔),ICLA-2015(Pesit,Bengaluru),NCLA-2014(Jabalpur)(Jabalpur),NCLA-2013(Pesit,Pesit,Bengaluru),ICLA-2012,ICLA-2012NCLA-2010(Gru,Gandhigram),NCLA-2009(CGCRI,Kolkata),ICLA-2008(NPL,新德里,新德里),NCLA-2007,NCLA-2007,NCLA-2007(BU,COIMBATORE),NCLA-2006(NCLA-2006(BU)(SGBBB University) ICLA-2004(BARC,孟买),NCLA-2003(NPL,新德里),RDU,NCLA-2002(JABALPUR),NCLA-2001(OU,HYDERABAD),ICLA-2000(ICLA-2000(MSU,MSU,BAR),NCLA- 1998年,1998年(MU,IMPHAL),NCLA-195(NCLA-197)(BILASC-197) Raipur),NCLA-1992(MSU,Baroda)。
