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最初发表于以下网址：钦（Chen），Xin； Tsvetkov，Andrey S；沉，汉明； Isidoro，Ciro； Ktistakis，Nicholas t; Linkermann，Andreas； Koopman，Werner J H
z , Jinbao Lyu is , Jong-Lyel Roh bb , Enyong Dai cc , Gabbor Juhasz dd,ee , Wei Leu's , Jai' Piacentini mm,n , Wen-Xing Ding' Zhivotovsky xx,yy,ys , Sébastein Besteiro horror , Dmitry I. Gabrilovich bbb , Do-Hyung Kim CCC，Valerian E. Kagan DDD，HülyaBayiree，Guang-Cho Chen FF，Skot Ayton Ggg'，Masaki Comatsu，Stefan Krautwadd JJJ Michael Thumm，Martin Campmann vv，Martin Campmann VV， BBBB，Helbert J. Zeccc Guido Croemer’
2023 ESH 动脉高血压管理指南欧洲高血压学会动脉高血压管理工作组
祭坛。Abd Elhady Algharably、Michel Asia、AH Jan. Stephane Laurent ll、Drano Lovic 和 Mahious Miglinas、Crzystof Narkeewicz vv、Teemu Niiranen Pathac Bub、Alexandre Perssu、波兰人、Josep Redon Stefano Fatherdei、Thomopoulos 海岸、Maciage Tomasski 和 Philippe Van de Borne、Christoph qqq
无氧化硅的湿化学表面功能化
硅是迄今为止微型电源行业中最重要的半导体材料，主要是由于Si/Sio 2接口的高质量。因此，需要化学官能化Si底物的应用集中在SIO 2表面的分子移植上。不幸的是，存在与氧化硅（SIO 2）上接枝的许多有机层的均匀性和稳定性的实际问题，例如硅烷和磷酸盐，与SI-O-SI和SI-O-P键的聚合和水解有关。这些问题刺激了在无氧化物Si表面上接管功能分子方面的努力，主要是在潮湿的化学过程中。因此，本综述直接集中于从H端的Si表面开始的无氧化物Si表面的湿化学表面功能化。首先总结了无氧化物H-终止SI的主要制备方法及其稳定性。官能化被分类为通过功能性有机分子（例如氢硅烷化）和其他原子直接取代的H-终止的间接取代（例如卤素）或小型官能团（例如哦，NH 2）可用于进一步反应。重点放在最近发现的方法上，以在其他无氧化物，无h端和原子平坦的Si（111）表面上产生官能团的纳米图案。这种模型表面特别有趣，因为它们使得能够获得表面化学反应的基本知识。关键字硅表面，氢终止，有机官能化，自组装单层，表面激活，纳米图案缩写SI，硅； Sio 2，氧化硅；山姆，自组装的单层； XPS，X射线光电子光谱； FT-IR，傅立叶变换红外； AFM，原子力显微镜； nn，最近的邻居； nnn，下一个最近的邻居； RT，室温； TFT，薄膜晶体管； ALD，原子层沉积； MPA，甲膦酸； ODPA，八烷基膦酸； DFT，密度功能理论； KMC，动力学蒙特卡洛； ML，单层； H，氢； T-bag，通过聚集和生长束缚；哦，羟基； UHV，超高真空； MOF，金属有机框架； SURMOF，表面金属有机框架； lbl，逐层； PL，光致发光； F，氟；
Enigma-Chronic疼痛：识别慢性疼痛相关的全球倡议
John Jahanshad，Andoh D，Georgia Antoniou，Apkar Vania Apkarian，Laurco-Hino-Hininal IS。 Martin Domin，Natalia Egorova-Brumley DN，James Fachon，OO，Jodi M. Gilman。 Marco L. Loggia和BBB，Marco L.Loggia和BBB，Marco L.Loggia，Marco L. Millard的评估，Susanne，Samantha K. Millard，Rajeny A.公园，小龙格GGG，耶稣·普约尔P，琳达·罗博波，施特林·桑，德林·孙，MMM，A。AnnaWoodbury ckk，www，www，Fadel XXX，Ravi R. Bhatt C，Christopher R.K. Paul M. Thompson C
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