机构名称：
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硅是迄今为止微型电源行业中最重要的半导体材料，主要是由于Si/Sio 2接口的高质量。因此，需要化学官能化Si底物的应用集中在SIO 2表面的分子移植上。不幸的是，存在与氧化硅（SIO 2）上接枝的许多有机层的均匀性和稳定性的实际问题，例如硅烷和磷酸盐，与SI-O-SI和SI-O-P键的聚合和水解有关。这些问题刺激了在无氧化物Si表面上接管功能分子方面的努力，主要是在潮湿的化学过程中。因此，本综述直接集中于从H端的Si表面开始的无氧化物Si表面的湿化学表面功能化。首先总结了无氧化物H-终止SI的主要制备方法及其稳定性。官能化被分类为通过功能性有机分子（例如氢硅烷化）和其他原子直接取代的H-终止的间接取代（例如卤素）或小型官能团（例如哦，NH 2）可用于进一步反应。重点放在最近发现的方法上，以在其他无氧化物，无h端和原子平坦的Si（111）表面上产生官能团的纳米图案。这种模型表面特别有趣，因为它们使得能够获得表面化学反应的基本知识。关键字硅表面，氢终止，有机官能化，自组装单层，表面激活，纳米图案缩写SI，硅； Sio 2，氧化硅；山姆，自组装的单层； XPS，X射线光电子光谱； FT-IR，傅立叶变换红外； AFM，原子力显微镜； nn，最近的邻居； nnn，下一个最近的邻居； RT，室温； TFT，薄膜晶体管； ALD，原子层沉积； MPA，甲膦酸； ODPA，八烷基膦酸； DFT，密度功能理论； KMC，动力学蒙特卡洛； ML，单层； H，氢； T-bag，通过聚集和生长束缚；哦，羟基； UHV，超高真空； MOF，金属有机框架； SURMOF，表面金属有机框架； lbl，逐层； PL，光致发光； F，氟；
无氧化硅的湿化学表面功能化
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