机构名称：
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官能化石墨烯的有前途的方法之一是将杂原子掺入碳SP2晶格中，因为事实证明，它是一种可控制地调整石墨烯化学的有效且通用的方法。我们提出了与B掺杂剂选择性掺杂石墨烯的独特无污染方法，在标准的CVD生长过程中，它们从大部分Ni（111）单晶体中创建的储层中掺入一层，从而导致清洁，多功能和有效的方法用于创建B-poped Chapeene。我们结合了实验性（STM，XPS）和Theo Retical（DFT，模拟的STM）研究，以了解替代性B DOP蚂蚁的结构和化学性质。与先前报道的FCC位点中的替代B一起，我们首次观察到另外两个缺陷，即在顶部位点中替代B，而在八面体地下位点中的间隙B。广泛的STM在遗迹中证实存在于经过准备的B掺杂的Gra Phene中B掺杂剂的低浓度区域的存在，表明硼龙掺入不均匀。在两个替代部位之间，在低浓度的B掺杂区域中没有观察到偏好，而在高B浓度区域中，优先选择了Sublattices之一，以及缺陷的对准。这将在生长的B掺杂石墨烯中产生不对称的sublattice掺杂，从理论上讲，这将导致显着的带隙。
表面和接口
主要关键词
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