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使可再生能源成为“主要电源”
【监控系统安装实用程序】tepco HD研究所・ TOHOKU电力NW总部办公室・ CHUBU EPCO Research Institute ・ Kansai Electric Power Power Research Institute ・ Chugoku Epco NW总部
纳米级
图1显示了第一代溅射铂NW的室温LF噪声谱，该NW采用基片阶梯光刻技术制造，其工艺顺序如图2所示。5,7,8,51通过基片阶梯光刻技术制造的NW是多晶的，其晶粒尺寸小于线直径。5,7 – 9,16,20,51 – 54图1中NW的噪声幅度在近五十个频率范围内以1/f 1.15的速率增加。f = 1 Hz时的Hooge参数为γH≅3×10−4，这是溅射Pt线和薄膜的典型值。51,71,96,97方程(2)中噪声幅度的1/N≈1/NA依赖性推测波动来源于体源。 20 世纪 70 年代末到 80 年代中期的几项重要实验证明了缺陷和杂质在金属低频噪声中的关键作用。52,55,66,83,95,98 – 103 一个具有单一特征散射或跃迁时间 τ 的缺陷会导致 RTN，其 Lorentzian 频谱在高于 1/ τ 的频率下下降为 1/ f 2，在低于 1/ τ 的频率下保持恒定。55,62,66,95,104 – 106 第 II.B 节中给出了 ZnO NW 的示例。如果噪声是由具有以下分布的多个缺陷引起的
通过压电响应力显微镜和 FEM 模拟研究半导体 ZnO 纳米线的直径相关压电响应
半导体压电纳米线 (NW) 是开发由生物相容性和非关键材料制成的高效机械能传感器的有希望的候选材料。人们对机械能收集的兴趣日益浓厚，因此研究半导体 NW 中的压电性、自由载流子屏蔽和耗尽之间的竞争至关重要。到目前为止，由于表征这些纳米结构中的直接压电效应所带来的实验挑战，这一主题很少得到研究。在这里，我们使用 DataCube 模式下的 PFM 技术并通过逆压电效应测量有效压电系数来摆脱这些限制。我们证明了垂直排列的 ZnO NW 的有效压电系数随着半径的减小而急剧增加。我们还提出了一个数值模型，通过考虑掺杂剂和表面陷阱来定量解释这种行为。这些结果对基于垂直排列的半导体 NW 的机械能传感器的表征和优化有很大影响。
审查NASA关于人类健康风险的证据报告
国家科学院出版社•西北第五街500号•华盛顿特区20001年，该项目得到了NNH13CK19B合同的支持，任务订单NNH13CK20D，国家科学院与国家航空航天学院和国家航空航天学院之间。本出版物中表达的任何意见，调查结果，结论或建议不一定反映出为该项目提供支持的任何组织或代理商的观点。国际标准书编号13：国际标准图书编号10：本报告的其他副本可从Nation Academies Press，NW，NW，NW，NW，KECK 360，华盛顿特区，20001年第五街500号出售； （800）624-6242或（202）334-3313; http://www.nap.edu。版权所有2016年，由美国国家科学院（National Science）。保留所有权利。在美利坚合众国印刷的建议引用：国家科学，工程和医学学院。2016。《美国国家航空航天局关于人类健康风险的证据报告：2015年信函报告》的审查。华盛顿特区：国家科学院出版社。
利用分子束外延自生长的六方锗...
图 1：(a) GaAs 核（蓝色）- Ge 壳（红色）NW 示意图，具有受控晶相：纤锌矿 (WZ)、闪锌矿 (ZB)，具有堆垛层错 (SF) 区域。通过 RHEED 原位监测样品，以获得有关 GaAs/Ge NW 晶体结构的实时信息。在 WZ GaAs 生长期间（b）29 分钟（c）35 分钟和六方 Ge 生长期间（d）3 分钟（e）10 分钟，沿 [1-10] 方位角记录的 RHEED 图案。WZ 点以白色箭头突出显示。(f) 45° 倾斜 SEM 图像（二次电子对比度）显示 GaAs/Ge NW。比例尺为 1 m。
Piezotronic Algan Nanowire Schottky在金属基板上生长的连接
包括GAN，INN，ALN和ZnO的极性 - 肺导体的非中心对称晶体结构在研究了其菌株诱导的纳米能产生的潜力方面对科学共识感兴趣。耦合的半导体和压电性能产生了一个压电电源，可调节跨其异质结构界面的电荷传输。通过使用导电性原子显微镜，我们研究了在钼（MO）底物上生长的α纳米线（NWS）中产生的压平作效应的机制。通过使用PT – IR探针在NWS/MO结构上施加外部偏置和力，可以调节跨两个相邻的Schottky连接的电荷转运，这是由于明显的Schottky屏障高度（SBHS）的变化，而Schottky屏障高度（SBHS）是由于应变诱导的压电电位而导致的。对于背景力，我们测量了SBH的增加为98.12 MeV，该背景力对应于SBH变化∂ϕ∂F为6.24 MeV/nn，对于半导体/Ti/Mo界面。SBH调制负责对压电效应，通过测量从室温到398 K的温度依赖性I – V曲线进行进一步研究。从Algan NWS/Mo棚的独特结构中获得的见解，这些见解是在Algan/Mo Shed的独特结构上，对Metal-Sendoctor interface的电子特性以及Algan n Nw nw nw nw piquzoe nw pique的电子特性的启发光电子，传感器和能源产生应用。
p型门的低温传输特性 -
摘要：基于主流的块状结局效果晶体管（Finfet）技术，制造了16 nm-L G P型栅极栅极硅纳米线（Si NW）金属氧化物半氧化物晶体管效应晶体管（MOSFET）。已系统地研究了正常MOSFET的电气特性以及低温时的量子运输的温度依赖性。我们证明了GAA SI NW MOSFET的低温栅极控制能力和身体效应的免疫力，并观察纳米线（110）通道方向子频段结构的两倍退化孔子带的运输。此外，在GAA SI NW MOSFET中证明了明显的弹道传输特性。由于存在典型MOSFET的间隔物，因此在较低的偏差下也成功实现了量子干扰。
日记牙前线
Brief Running Title: OMA & NLA Joint Expert Review of Obesity and Dyslipidemia Harold Edward Bays, MD, FOMA, FTOS, FACC, FNLA, FASPC Medical Director / President Louisville Metabolic and Atherosclerosis Research Center Clinical Associate Professor University of Louisville School of Medicine 3288 Illinois Avenue Louisville KY 40213 hbaysmd@outlook.com Carol Kirkpatrick，PhD，MPH，RDN，CLS，FNLA中西部生物医学研究，艾迪生，IL，IL辅助教师，Kasiska卫生科学司，爱达荷州州立大学，Pocatello，id ckirkpatrick@mbclinicalrick@mbclinicalrick c.clinicalrick.com kevin C.研究，艾迪生，印第安纳大学公共卫生学院，布卢明顿，用kmaki@mbclinicalresearch.com peter P. peter.toth@cghmc.com Ryan T. Morgan，Do，Facoi，Foma，BC-ADM，Vitalis代谢健康临床临床辅助教授，俄克拉荷马州立大学健康科学中心首席研究员Lynn Health Sealth Institute of Lynn Health Scients Institute 3555 NW 58 T. 910-W Oklahohoma City，Ok 733112 <3555 nw 58 nw 58 nw/
复杂有机混合物中的机器学习
卡尔加里大学化学系，加拿大艾伯塔省卡尔加里市2500 University Drive NW University Drive NW，T2N 1N4。b地球与大气科学系的石油地球化中心（CPG），休斯顿大学休斯敦大学，德克萨斯州休斯顿大学77204-5007，美国地球，能源和环境系，卡尔加里大学，2500大学，University drive同样贡献。
可见光驱动的tio2@n-au纳米机器人穿透玻璃体陈的bin；丁，少量；棕褐色，海辛；王，shuanghu； Liu，L。；王，菲； Gao，J。;
对于眼科，对于传统的基于被动扩散的药物干预，仍然存在许多不确定性和挑战。主要障碍之一是由复杂的玻璃体体和内部生物学大分子引起的有限渗透。在这里，我们第一次证明了新型TiO 2 @N-AU纳米线（NW）电动机/机车机器人由无线自然可见光诱导的动作可以自主，有效地通过光电粒的机制自动渗透到玻璃体体内。具有效率的推进，以及与玻璃体网络的空隙相匹配的NW电动机的纳米级尺寸，无创深入玻璃体体，并克服非均匀的非牛顿液（剪切薄和粘弹性）。我们设想了主动可见的轻型TIO 2 @N-AU NW电动机可容纳深眼病和无线生物电子药物的巨大应用前景。©2022 Elsevier Ltd.保留所有权利。