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印刷电路板孔表面的调理和蚀刻
莫斯科，俄罗斯联邦 电子邮件：mariya.solopchuk.96@mail.ru，bardinaoi@yandex.ru，ngrigoryan@muctr.ru。摘要：这项工作致力于研究印刷电路板 (PCB) 孔化学镀铜之前的清洁调节和微蚀刻阶段的溶液。结果表明，在调节溶液中存在季胺的情况下，PCB 孔的带负电的初始表面会重新带电。这显然促进了随后带负电的钯活化剂胶体颗粒在 PCB 孔中的静电吸附。结果表明，微蚀刻溶液中铜离子的存在会导致表面粗糙度增加，这有助于提高所得金属层与电介质的粘附强度。关键词：印刷电路板、印刷电路板通孔、化学镀铜、通孔金属化、介电表面处理、表面充电、微蚀刻、清洁调节。1. 简介
<可持续未来的有机合成和催化
社会面临着巨大的挑战，以维持和改善世界上每个人的生活，涉及健康，环境，能源，食物，水，最后但并非最不重要的是和平。尽管许多方面在实现这些目标方面发挥了作用，但资源的可用性及其可持续用途仍处于保证社会福祉的最前沿。化学将是提供解决方案的主要力量，现在，如果没有化学在合成和催化中所做的贡献，世界就无法维持世界。尽管化学的进步取得了巨大进步，但随着世界不断增长的人口和减少的化石原料，仍需要开发新的合成方法和技术，以实现可再生资源作为化学生产基础的转型。催化在驱动化学过程中起着重要作用。然而，催化剂通常是基于通常比黄金稀少的贵金属，这使得它们被土壤丰富的金属替代，这是对未来的巨大需求。结合了光催化和流动化学等新兴技术，可再生原料用3D的金属催化剂的催化转化是最大的挑战之一，但也是几代人将获得可持续未来的最大希望之一。本课程将在可再生资源转换的背景下概述当前的合成和催化状态，重点是用3D-Metal的催化剂，例如Iron，Iron，cobalt，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickel，Nickelt，catalys，Palladium，Rhodium或Ruthenium等珍贵金属催化剂。
生物修复
是具有少于100 nm的晶体尺寸的多孔纳米材料，具有独特的外表面反应性2）用于修复苯的活化碳纤维（ACF）。（ACF）如何在生物修复过程中工作？活化的碳，也称为活性炭，是一种通常用于过滤水和空气中污染物的碳的形式，以及许多其他用途。已处理（激活）具有小的低体积孔，增加了可用于吸附的表面积（吸附为：固体保持气体或液体或溶质的分子作为薄膜，而与吸收不相同的过程，这是一种吸收或吸收的过程或吸收的过程，或者是由另一个吸收的过程。或化学反应。3）用于修复氯化乙烷的双金属纳米颗粒（PD/Fe纳米颗粒）。pd是钯，化学元件具有铂金的最低密度和最低的熔融。4）用于修复重金属离子的纳米晶TiO2。
贵金属供应链政策
valcambi的供应链政策是设计和实施的，以确保我们的订婚和运营符合：经合组织的尽职调查指南对受冲突影响和高风险地区（OECD DDG）的负责任供应链（OECD DDG）； OECD DDG补充金有关；负责的珠宝委员会实践守则（RJC COP）和监护链（RJC COC）；公平贸易和公平的标准； LBMA负责的黄金指导； LBMA负责的银色指导； LPPM负责的铂/钯指南；欧盟冲突矿产法规；以及与卡拉斯和童工的矿物质和金属有关的尽职调查和透明度的条例，以抗击系统的或广泛的滥用人权和童工，以避免造成冲突的贡献，并避免为白领犯罪做出贡献。这包括遵守反洗钱（AML）的标准，打击恐怖主义（CFT）的融资以及避免不符合环境和可持续性法律要求的违规行为。
enepig腐蚀机制
印刷电路板的常见电气镍浴通常在镍沉积物中按重量掺入≤10％的磷。镍沉积结构的半球结节看起来像肥皂气泡。使用电镍沉积物，R/D比很关键，并确定了边界腐蚀的尖尖应力和倾向。 电动力（EMF）分析表明，镍比钯的移位较容易移位约三倍。 如果孔位于钯层中，则黄金将优先与下面的镍交换，从而在钯尼古尔互面部引起镍腐蚀。 腐蚀有三种主要类型的带有enepig沉积物：灾难性的地平线，结节坑和边界坑。 镍缝腐蚀是一种特定的边界坑腐蚀类型，它源自不同的起源。 通过设计的实验，通过统计过程控制的过程管理以及减少辅助沉浸式黄金的过程优化是减轻Enepig腐蚀机制的最佳方法。使用电镍沉积物，R/D比很关键，并确定了边界腐蚀的尖尖应力和倾向。电动力（EMF）分析表明，镍比钯的移位较容易移位约三倍。如果孔位于钯层中，则黄金将优先与下面的镍交换，从而在钯尼古尔互面部引起镍腐蚀。腐蚀有三种主要类型的带有enepig沉积物：灾难性的地平线，结节坑和边界坑。镍缝腐蚀是一种特定的边界坑腐蚀类型，它源自不同的起源。通过设计的实验，通过统计过程控制的过程管理以及减少辅助沉浸式黄金的过程优化是减轻Enepig腐蚀机制的最佳方法。
理解-Trimer- ...
酸性催化的三聚化涉及使用酸性催化剂将单体分子组合到三聚体中。单体官能团的质子化促进了单体之间的化学键形成。 碱催化的三聚化依赖于基本催化剂来促进单体分子之间的反应。 单体的去质子化增强了它们的反应性，从而形成了三聚产物。 金属催化剂可以通过与单体协调并促进其组装成三聚合结构来介导三聚化反应。 过渡金属（例如钯，铂或镍）通常用作金属催化剂的三聚化反应中的催化剂。 三聚体分子具有相应单体的分子量的三倍，从而增强了尺寸和质量。 与单体前体相比，三聚体分子可能表现出不同的物理特性，例如沸点，熔点，溶解度和粘度。 三聚体分子通常由于单体单元之间形成其他化学键，通常显示出增加的化学稳定性。 三聚体分子可以采用特定的单体官能团的质子化促进了单体之间的化学键形成。碱催化的三聚化依赖于基本催化剂来促进单体分子之间的反应。单体的去质子化增强了它们的反应性，从而形成了三聚产物。 金属催化剂可以通过与单体协调并促进其组装成三聚合结构来介导三聚化反应。 过渡金属（例如钯，铂或镍）通常用作金属催化剂的三聚化反应中的催化剂。 三聚体分子具有相应单体的分子量的三倍，从而增强了尺寸和质量。 与单体前体相比，三聚体分子可能表现出不同的物理特性，例如沸点，熔点，溶解度和粘度。 三聚体分子通常由于单体单元之间形成其他化学键，通常显示出增加的化学稳定性。 三聚体分子可以采用特定的单体的去质子化增强了它们的反应性，从而形成了三聚产物。金属催化剂可以通过与单体协调并促进其组装成三聚合结构来介导三聚化反应。过渡金属（例如钯，铂或镍）通常用作金属催化剂的三聚化反应中的催化剂。三聚体分子具有相应单体的分子量的三倍，从而增强了尺寸和质量。与单体前体相比，三聚体分子可能表现出不同的物理特性，例如沸点，熔点，溶解度和粘度。三聚体分子通常由于单体单元之间形成其他化学键，通常显示出增加的化学稳定性。三聚体分子可以采用特定的
低温加热银介导的 MoS2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过
低温加热银介导的 MoS 2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过