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使用最佳门源电压去极化在功率SIC MOSFET的短路操作下朝着安全故障模式
摘要 - 本文重点介绍了在短路条件下SIC MOSFET的鲁棒性水平的提高。在这项研究中，提出了两种允许在短电路操作下在平面电源MOSFET设备中确保安全的“失败”（FTO）模式的方法。这些方法基于栅极源电压的直接去极化及其根据FTO和经典不安全热失控之间的临界消散功率（W/mm²）的计算进行估计。他们允许确定门源电压的最大值，以在接近名义值的排水源电压下保留FTO模式。引入了FTO和“ Fafto-Short”（FTS）之间功率密度的边界。对竞争中的两种故障模式进行了完整的实验，该实验可能出现在1.2 kV SIC MOSFET的短路测试（SC）测试中。最后，研究了栅极源电压去极化对国家电阻（R DS（ON））的惩罚，以评估技术效率。
5-α还原酶抑制剂对躁郁症和精神病患者躁狂期性欲亢进的作用；对一种著名药物的新见解
双相情感障碍 (BD) 是一种复杂的精神健康状况，其特征是情绪和精力发生剧烈变化，这种变化可能非常明显，以致于扰乱患者处理日常任务的能力，甚至使日常活动也感到难以承受 ( 1 )。双相情感障碍躁狂发作的早期症状之一是性欲亢进 ( 2 )。受此病影响的患者往往性欲增强，远远超出社会预期，这可能导致冲动甚至危险的性行为 ( 2 )。双相情感障碍患者性欲亢进的确切病因尚不完全清楚，但可能与躁狂发作期间大脑化学变化和激活的奖赏通路有关。多巴胺、内啡肽和催产素等改善情绪的神经递质激增，会产生强烈的愉悦感，这可能会驱使患者寻求性唤起 ( 3 )。躁狂期的性欲亢进可能是激素失衡以及雌激素与睾酮相互作用所致 ( 3 )。
使用最佳门源电压去极化在功率SIC MOSFET的短路操作下朝着安全故障模式
摘要 - 本文重点介绍了在短路条件下SIC MOSFET的鲁棒性水平的提高。在这项研究中，提出了两种允许在短电路操作下在平面电源MOSFET设备中确保安全的“失败”（FTO）模式的方法。这些方法基于栅极源电压的直接去极化及其根据FTO和经典不安全热失控之间的临界消散功率（W/mm²）的计算进行估计。他们允许确定门源电压的最大值，以在接近名义值的排水源电压下保留FTO模式。引入了FTO和“ Fafto-Short”（FTS）之间功率密度的边界。对竞争中的两种故障模式进行了完整的实验，该实验可能出现在1.2 kV SIC MOSFET的短路测试（SC）测试中。最后，研究了栅极源电压去极化对国家电阻（R DS（ON））的惩罚，以评估技术效率。
基于工厂的编码一个逻辑量子位的量子极性码的容错准备
最近提出了一种容错方法来准备 Q 1 码的逻辑码态，即编码一个量子比特的量子极性码。其中的容错性由错误检测装置保证，如果在准备过程中检测到错误，则完全丢弃准备。由于错误检测，准备是概率性的，其成功率（称为准备率）随代码长度的增加而迅速下降，从而阻止了大代码长度的代码状态的准备。在本文中，为了提高准备率，我们考虑工厂准备 Q 1 码态，其中尝试并行准备多个 Q 1 码态副本。使用额外的调度步骤，我们可以避免每次检测到错误时完全丢弃准备，从而反过来提高准备率。我们进一步提供了一种理论方法来估计使用工厂准备准备的 Q 1 码的准备和逻辑错误率，该方法被证明与基于蒙特卡洛模拟的数值结果紧密相关。因此，我们的理论方法可用于为大代码长度提供估计，而蒙特卡罗模拟实际上并不可行。对于电路级去极化噪声模型，我们的数值结果表明准备率显著增加，特别是对于较大的代码长度 N 。例如，对于 N = 256 ，对于实际有趣的物理错误率 p = 10 − 3 ，它从 0.02% 增加到 27%。值得注意的是，N = 256 的 Q 1 码在 p = 10 − 3 和 p = 3 × 10 − 4 时分别实现了大约 10 − 11 和 10 − 15 的逻辑错误率。与具有相似代码长度和最小距离的表面码相比，这相当于提高了大约三个数量级，从而表明所提出的方案用于大规模容错量子计算的前景。
双相情感障碍和历史性人格障碍中的多性和异性疾病：病例报告
种族区很少见，并且经常被忽视的精神病疾病，其特征是强烈，非典型和反复的性行为或行为。本病例报告描述了一名33岁的躁郁症疾病和历史性人格障碍，表现出了性行为和风险的性行为，暗示了定量性 - 性障碍。患者的行为包括通过社交媒体进行显式图像的群体性接触，无保护的性交以及冲动传播明确的图像，最终导致阴道trichomonas阴道感染。管理需要采用跨学科方法，结合药物治疗（碳酸盐和喹硫平），靶向脉冲和情绪调节的认知行为疗法（CBT），以及强调安全的性实践和冲动性控制的心理教育干预措施。
利用双极电化学技术控制导电聚合物中复杂电阻梯度的图案化
导电聚合物因其可用于设计微电子局部电活性图案而备受关注。在这项工作中，我们利用聚吡咯的特性，结合双极电化学引发的无线极化，产生局部电阻梯度图案。物理化学改性是由聚吡咯的还原和过氧化引起的，这会在预定位置的导电基板的不同位置产生高电阻区域。由于聚吡咯具有出色的柔韧性，可以形成 U 形、S 形和 E 形双极电极用于概念验证实验，并进行电化学改性以产生明确的电阻梯度。样品的 EDX 分析证实了局部物理化学改性。与更传统的图案化方法相比，这种方法的主要优势是双极电化学的无线特性以及可能对电化学改性的空间分布进行微调。
内昔芬在双相情感障碍患有高症和肾功能障碍的疾病中：病例报告
躁郁症是一种相对常见的心理健康状况。在全球范围内，大约有4000万人患有躁郁症，大约占世界人口的0.53％[1]。有时对双相情感障碍的治疗涉及对药物的终生摄入量，尤其是在复发发作以防止复发的情况下。传统的情绪稳定药物，例如锂，达氏菌钠和奥沙巴西平，一直是过去半个世纪的双相情感障碍治疗的中流。尽管在过去的50年中已经了解了很多关于躁郁症的病理生理学和管理，但世界各地的各种指南，例如加拿大的情绪和焦虑治疗网络（CANMAT），国家健康与护理研究所（NICE）以及印度精神病学会（IPS）（IPS）仍然建议DivalProex作为第一位级别的混乱[2.2]但是，这些药物具有自己的副作用，使它们难以在医学上病并且患有多种合并症的双极患者中使用。
纳米印刷的激子 - 孔子Metasurfaces
摘要：激子 - 波利顿代表一个有前途的平台，它结合了未来光电设备的光子和电子系统的强度。但是，由于制造方法的成本高成本和复杂性，他们的应用目前仅限于实验室研究，这与用于微电子的成熟CMOS技术不兼容。在这项工作中，我们开发了一种创新，低成本和CMOS兼容的方法，用于制造大型表面极化器件。这是通过通过热纳米膜直接对卤化物 - 玻璃盐薄膜进行直接构图来实现的。结果，我们观察到高度均匀的偏振质量模式Q≈300在室温下，千万尺度上。令人印象深刻的是，该过程提供了很高的可重复性和忠诚度，因为可以将相同的模具重复使用超过10次，以将钙钛矿层贴在不同类型的底物上。我们的结果可能为在室温下运行的低成本集成极化设备的生产铺平了道路。
纳米压印激子极化子超表面
摘要：激子极化子代表了一种有前途的平台，它结合了光子和电子系统的优势，可用于未来的光电设备。然而，由于制造方法成本高、复杂，与为微电子开发的成熟 CMOS 技术不兼容，因此它们的应用目前仅限于实验室研究。在这项工作中，我们开发了一种创新、低成本且与 CMOS 兼容的方法来制造大表面极化子设备。这是通过热纳米压印直接图案化卤化物钙钛矿薄膜来实现的。结果，我们在室温下观察到厘米级上质量因子 Q ≈ 300 的高度均匀的极化子模式。令人印象深刻的是，该工艺提供了高可重复性和保真度，因为同一个模具可以重复使用 10 次以上，以将钙钛矿层压印在不同类型的基板上。我们的研究结果可以为生产在室温下运行的低成本集成极化子设备铺平道路。
单个量子点自旋引起的巨大光学偏振旋转
在光学量子计算和通信框架中，主要目标是构建接收节点，使用单个固定量子位对传入光子实施条件操作。特别是，对可扩展节点的追求推动了腔增强自旋光子接口与固态发射器的发展。然而，一个重要的挑战仍然是，以确定性的方式产生稳定、可控、自旋相关的光子状态。在这里，我们使用电接触柱状腔，嵌入单个 InGaAs 量子点，以展示单个电子自旋对反射光子引起的巨大极化旋转。引入了一种完整的层析成像方法来推断在存在自旋和电荷波动的情况下，由特定自旋状态决定的输出极化斯托克斯矢量。我们通过实验接近庞加莱球中条件旋转π2、π和π2的偏振态，外推保真度分别为（97±1）%、（84±7）%和（90±8）%。我们发现，增强的光物质耦合，加上有限的腔双折射和降低的光谱波动，可以针对庞加莱球中的大多数条件旋转，同时控制经度和纬度。这种偏振控制可能对使自旋光子接口适应各种量子信息配置和协议至关重要。