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视觉特征是在人脑的导航提供之前处理的
图1：A）EEG范式。参与者查看了50张室内场景的图像，并被要求在幕后精神计划可能的出口路径。散布的捕获试验参与者必须响应屏幕上显示的出口路径是否对应于先前试验中的任何出口路径。b）EEG RDMS。我们计算了每个脑电图时间点的RDM（相对于图像开始，每10毫秒从-200到+800 ms）。DNN RDMS。我们从从2D，3D和语义任务训练的RESNET50 DNN的第四块和输出层中提取的激活中计算了RDM。d）NAM模型和RDM（Bonner和Epstein，2018年）。e）方差分区。我们计算了每个模型所解释的唯一脑电图方差，从而揭示了不同的时间激活模式。线下方的线表明使用t检验（FDR校正的p <0.05）表示大量时间。f）不同模型的峰值潜伏期。条表示不同模型的峰值潜伏期。错误条表示16名受试者的标准偏差。恒星上方的恒星表明不同模型之间的显着差异（*p <0.05，** p <0.01，*** p <0.001，t检验fdr校正）。
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
用于有机发光器件的 PECVD 处理碳化硅涂层
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) SiC 基阻隔涂层已被开发用于保护包括聚合物发光二极管 (PLEDS) 在内的发光设备。薄膜封装由不同 PECVD 层的堆叠组成，各个层针对特定的涂层特性进行了优化，包括应力控制和高水/氧阻隔特性。这些阻隔涂层已成功应用于 PLED 设备，优化的阻隔堆叠既没有出现可见的机械故障，也没有出现任何颜色光谱功率分布偏移。阻隔层的 PECVD 沉积会导致设备电流效率略有下降，这是在没有水和氧的情况下测量时发光寿命延长的代价。PECVD 堆叠的阻隔特性已显示可将发光寿命提高高达 70% 的玻璃密封设备寿命，并且目前受到薄膜阻隔中出现的缺陷的限制。
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
适合高性能应用的伽玛辐射处理聚合物材料：综述
高能辐射加工可以定制和增强聚合物的性能，高能辐射加工是调整各种热塑性和弹性聚合物成分的物理、化学、热、表面和结构性能的有效技术。伽马射线和电子束辐射是用于交联、增容和接枝各种聚合物共混物和复合材料系统的最常用辐射技术。伽马射线诱导的接枝和交联是一种有效、快速、清洁、用户友好且控制良好的聚合物材料技术，可改善其性能，以用于不同环境下的高性能应用，如核能、汽车、电绝缘、油墨固化、表面改性、食品包装、医疗、灭菌和医疗保健。同样，电子束辐射交联是一种众所周知的性能开发技术，与化学交联技术相比具有经济效益。本综述重点介绍了聚合物多组分系统（功能化聚合物、共混物和纳米杂化物）的开发，其中部分纳米级粘土的加入可实现所需的性能，部分通过控制共混物和纳米复合材料的高能辐射交联。在本综述中，对聚合物系统的开发和改性进行了各种研究，并使用控制剂量的伽马辐射处理了聚合物共混物和粘土诱导复合材料。重点研究了聚合物主链上各种单体的辐射诱导接枝。同样，重点研究了伽马和电子束辐射及其对性能发展的影响的比较研究。高能辐射改性聚合物已用于多个高性能领域，包括汽车、电线电缆绝缘、热缩管、灭菌、生物医学、核能和空间应用。
T4噬菌体Y基因分裂产物是一种加工蛋白
T4 sun Y 基因是已鉴定出的含有自剪接 I 组内含子的 4 个噬菌体基因之一（7、12、30、32）。4 个含内含子的噬菌体基因中，3 个的功能是已知的。噬菌体 T4 的 td 基因（编码胸苷酸合酶）和 nrdB 基因（编码核糖核苷二磷酸还原酶的小亚基）均参与 DNA 前体的合成，噬菌体 SPOI 中鉴定出的内含子位于编码 DNA 聚合酶的基因 31 中。然而，sun Y 基因的功能尚不清楚。据我们所知，sun Y 基因并非必需基因，因为干扰噬菌体发育的突变尚未定位到该基因座上。作为表征 sun Y 基因功能的第一步，我们鉴定了 sun Y 蛋白并确定了其合成的时间进程。虽然我们尚未确定太阳 Y 基因的功能，但我们做出了一个奇怪的观察：它的表达涉及蛋白质以及 RNA 基因产物 (gp) 的处理。
报告名称：印度尼西亚更新转基因加工产品法规
2024 年 11 月 18 日，印度尼西亚政府 (GOI) 发布了第 19/2024 号《转基因食品监管条例》，该条例更新了转基因 (GE) 产品的标签要求，并规范了微生物生物技术、基因组编辑和含有堆叠基因的产品的食品安全评估。具体而言，印度尼西亚政府计划执行一项现有要求，即含有至少 5% 转基因材料的加工食品必须贴上相应的标签。这可能对美国对印度尼西亚的转基因产品出口影响不大，目前出口额超过 21 亿美元，因为新鲜转基因产品（例如大豆）和经过精制且不再含有转基因 DNA/蛋白质的产品不受此限制。到目前为止，还没有含有 5% 转基因材料的加工食品在印度尼西亚政府注册，因此雅加达 FAS 不知道印度尼西亚市场上有任何产品需要根据这项新法规贴上标签。
食品科学和技术在导航超级加工食品的健康问题中的作用
摘要食品加工被视为双刃剑。有人认为有助于为城市化社会提供稳定且安全的粮食供应，但是，通过Nova定义了现在与疾病有关的超级加工食品。食品科学技术可以说是两者的主要贡献者。这些潜在的危害不是故意的行为，它们仅符合对食品企业成功的法律和市场义务。因此，如何将食品科学和技术重新回到改善健康需求探索中，需要在包括可持续性在内的其他问题中考虑。另外，对植物性肉类替代品的需求不断增长，Fortifientation以及可持续包装和物流的作用，以增强食品的物理特性和营养价值，同时最小化将它们从农场运输到板块的需求进一步。最后，将如何支持我们的食品系统进行下一个精通和技术革命，以提供粮食环境和供应，其主要目标是支持人类和行星健康，但以一种经济上成功的社会成员而言。
使用机器学习和遗传算法来预测激光peen形成的区域
激光peen形成使用激光 - 脉冲诱导的应变来通过调节激光参数和镀金模式来变形。在几乎有限解决方案的广阔空间中找到最佳模式是具有挑战性的。本研究使用简化的模型提出了一种工作流，以预测变形。使用基于机器学习的细胞自动机神经网络（CANN）和遗传算法（GA）用于模式词典。实验显示高过程不确定性，证明了简化的建模合理。CANN预先指定的模式可靠，但由于各种过程参数的不足变形数据而缺乏概括。GA所需的优化工作以减少计算时间，但在概括模式预测方面取得了成功。2023作者。由Elsevier Ltd代表制造工程师协会（SME）出版。这是CC下的开放访问文章（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）。
在光子平台上将溶液处理的BATIO3薄膜与高蛋白系数的整合
在硅（SI）和氮化硅（SIN）基于光子整合电路（PICS）的基于硅（SI）上的薄膜（SIN）上的薄膜（PICS）的异质整合在未来未来的纳米光子薄片调制器的发展中起着至关重要的作用。由于铁电薄膜的电形（EO）特性在很大程度上取决于它们的晶体相和质地，因此在这些平台上的Batio 3薄系统的整合远非微不足道。到目前为止，已经开发了使用SRTIO 3模板结合使用SRTIO 3模板纤维与高真空沉积方法结合使用的常规集成途径，但是它的吞吐量较低，昂贵，需要单晶基板。要缩小这一差距，需要一种成本效率，高通量和可扩展的方法来集成高纹理的Batio 3薄膜。因此，提出了使用LA 2 O 2 CO 3模板膜与化学溶液沉积（CSD）过程结合使用LA 2 O 2 CO 3模板膜整合的替代方法。在这项工作中，溶液处理的BATIO 3薄片的结构和EO特性是表征的，并评估了其整合到光圈谐振器中。BATIO 3纤维表现出纹理，其大型皮孔系数（r E e镜）为139 pm v-1，并且在基于环的谐振器调制器中积分显示为1.881 V cm的V le，带宽为40 GHz。这可以使Batio 3薄膜在PIC平台上进行低成本，高通量和富裕整合，并在PIC平台上以及潜在的大规模制造纳米光子BATIO 3薄片调制器。