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量子点中电荷状态自动调节的微型神经网络
摘要 量子计算机规模化的一个关键挑战是多个量子位的校准和控制。在固态量子点 (QD) 中，稳定量化电荷所需的栅极电压对于每个单独的量子位都是唯一的，从而产生必须自动调整的高维控制参数空间。机器学习技术能够处理高维数据（前提是有合适的训练集），并且过去已成功用于自动调整。在本文中，我们开发了极小的前馈神经网络，可用于检测 QD 稳定图中的电荷状态转变。我们证明这些神经网络可以在计算机模拟产生的合成数据上进行训练，并稳健地转移到将实验设备调整为所需电荷状态的任务上。此任务所需的神经网络足够小，可以在不久的将来在现有的忆阻器交叉阵列中实现。这为在低功耗硬件上小型化强大的控制元件提供了可能性，这是未来 QD 计算机片上自动调整的重要一步。
观察大量自发发射率在破碎的对称慢灯波导中的量子点的增强
可以在纳米级上操纵光和物质的量子状态，以提供有助于实施可扩展光子量子技术的技术资源。实验进步取决于光子和量子发射器内部自旋状态之间耦合的质量和效率。在这里，我们演示了一个带有嵌入式量子点（QD）的纳米光子波导平台，该平台既可以实现Purcell-Enhathenced发射和强性手性耦合。设计在滑动平面光子晶体波导中使用慢光效应，并使用QD调整，将发射频率与慢灯区域匹配。模拟用于绘制手性，并根据偶极子发射极相对于空气孔的位置来绘制手续的增强。最高的purcell因子和手性发生在单独的区域中，但是仍然有一个显着的区域，可以获得两者的高值。基于此，我们首先证明了与20±2倍purcell增强的相对应的巨大辐射衰减率为17±2 ns -1（60±6 ps寿命）。这是通过将QD的电场调整到慢灯区域和准共振的声子端谱带激发来实现的。然后，我们证明了具有高度的手性耦合到波导模式的DOT的5±1倍purcell增强功能，实质上超过了所有先前的测量值。共同证明了使用依靠手性量子光学元件的芯片旋转光子剂的可扩展实现中使用QD的出色前景。
量子点自组装实现低阈值激光
钙钛矿量子点 (QD) 是溶液处理激光器所关注的焦点；然而，它们的俄歇寿命较短，限制了激光操作主要在飞秒时间范围内进行，在纳秒范围内实现光学增益阈值的光激发水平比在飞秒范围内高出两个数量级。本文作者报告了 QD 超晶格，其中增益介质促进激子离域以减少俄歇复合，并且结构的宏观尺寸提供激光所需的光学反馈。作者开发了一种自组装策略，该策略依赖于钠——一种钝化 QD 表面并诱导自组装以形成有序三维立方结构的组装导向器。考虑 QD 之间吸引力的密度泛函理论模型可以解释自组装和超晶格的形成。与传统的有机配体钝化量子点相比，钠具有更高的吸引力，最终导致微米级结构和反馈所需的光学刻面的形成。同时，新配体使点间距离减小，增强了量子点之间的激子离域，动态红移光致发光就是明证。这些结构充当激光腔和增益介质，实现阈值为 25 μ J cm –2 的纳秒级持续激光。
2023年诺贝尔化学奖：量子点
光子技术在材料和生命科学中的许多应用都需要可以将吸收的光子转换为紫外线（UV），可见（VIS），近红外（NIR）和短波红外（SWIR）区域中的发射光子。在这方面，量子点（QD）具有独特的光电特性，因为它们的尺寸决定了它们的吸光度和光量（PL）光谱。此外，它们表现出较大的长期系数和高PL量子产率（PL QY）。结合其小纳米尺寸，QD成为许多研究领域的重要工具，也是纳米技术巨大应用潜力的一个很好的例子。在2023年，诺贝尔化学奖2023年因发现和开发合成程序以获得胶体稳定的QD而授予了诺贝尔奖。长期以来，纳米颗粒可以从理论上显示量子现象，例如量子大小效应（QSE）和大小依赖性物理学特性，但长期以来对这些知识的实用和适用益处。在1980年代初期，Aleksey Ekimov开发了一种用于
量子点表面对电化学DNA传感机制的影响
电化学基因传感器技术的发展与纳米科学一起成为科学界最令人兴奋的领域之一，实验发展受到对新技术应用的迫切需求的推动。开发用于灵敏和特异性检测生物分子的高效电化学基因传感器对于基础生物医学研究和临床诊断都至关重要。由于零维量子点具有优异的性能，例如比高维结构（即块体、量子阱和量子线）具有更高的态密度、[1] 优异的传输和光学特性、[2,3] 异常高的表面体积比、[4] 窄且尺寸可调的发射光谱、多功能表面改性、连续吸收光谱和独特的电化学活性，[5–7] 零维量子点被认为是开发具有高灵敏度、良好特异性和简单性的高效基因传感器的一种有利且有前途的替代方案。这意味着可以用一系列传感元件（如 DNA、肽和抗体）轻松修饰量子点表面，以构建有用的量子点标记探针/传感器。该传感器主要由通过连接器固定在电极上的 QD 组成，因此当受到激发时，
有效的平面外数学 xmlns="http://www.w3. ...
半导体量子点 (QD) 是可扩展自旋量子比特操作的有前途的平台[1– 13]。虽然许多研究都使用了硅基电子 QD，但锗中的空穴表现出许多相同的理想特性，但也有一些有益的不同：不存在简并谷态[14]，原子 p 轨道特性可以自然抑制超精细引起的退相干[15–18]，大自旋轨道耦合[14, 19]，允许使用电偶极自旋共振控制量子比特[15]。由于这些潜在的优势，应变 Ge QD 近期一直在研究中[20, 21]。值得注意的是，应变 Ge/SiGe 异质结构中的空穴自旋量子比特已从 QD 演示迅速发展到量子比特逻辑[22– 25]。这种材料中重空穴和轻空穴子带之间的巨大分离因 Ge 阱内的应变和约束而增大。这导致重空穴空间单带模型中有效非对角项减少。± 1 / 2 态的能量分裂超过了这些空穴应经历的自然自旋 3/2 塞曼项，从而减少了外部磁场 (B) 对 ± 3 / 2 态的混合。这导致对平面内排列的 B 场的响应较弱，表明 g 因子各向异性较大[26]。这已在一维中得到证实
双重稳定的钙钛矿纳米晶发光下调
和现代建筑建立在更普遍的有机LED（OLEDS）的基础上。[1,3-5]在整个可见频谱中具有电荷平衡和高效率仍然远离最佳的QD，QD通常被用作颜色 - 纯发光下调转换器，用于在背光无机LED中显示。[2,6]虽然对设备档案的研究对于将来的开发至关重要，但许多小组也在探索QD的替代材料，以降低成本，最大程度地减少丰富的问题并限制毒性。[7-9]最初在2012年作为照片伏特的有前途的材料出现，[10]卤化物钙钛矿对于几乎所有光启动器件（例如光电探测器）具有巨大的潜力，例如光电探测器，[11]激光器，[12]和LED。[13–15]卤化物钙钛矿NC对于光发射特别有利，其发射波长可以通过组合和形态在整个可见范围内进行调谐，[16]超高的量子产量（Qys）（Qys），即使接近统一，甚至接近统一，[17-19]，[17-19]和合成，通常是actile and facile conigile facile cookile cookile，sable，便宜，易于扩展。[20,21]相比之下，传统QD通常需要Inorranic Core-shell结构，高前体纯度和复杂的，乏味的合成以获得令人印象深刻的光学特性。[22]但是，钙钛矿NC缺乏足够的稳定性
Haomin歌曲| IAPME
摘要SI是最重要的半导体材料之一，因为它一直是现代电子产品的支柱。但是，由于Si是间接带隙的结果，因此它不广泛用于发光源，因为Si是效率低下的发射极。硅底物上III-V纳米结构的直接外延生长是在硅平台上实现光子设备的最有前途的候选者之一。III-V在Si上的整体整合的主要问题是高密度螺纹位错的形成。TDS的传播将导致IIII-V外部活性区域中非辐射重组中心的高比例。为了停止TD传播，已经应用并在本演示文稿中使用了不同的外延策略，例如INGA（AL）作为应变层，GE缓冲层和图案化的底物。作为零维的材料，量子点（QD）具有三维量子约束，它会产生三角函数，例如状态的密度。因此，III-V QD激光器具有较低的阈值电流，温度不敏感的操作以及对螺纹位错的敏感性较小，这是在III-V型激光器中形成活性区域的理想候选者。自2011年以来，在UCL的寿命和高功率上，已提出并开发了在SI和GE底物上生长的1300-nm INM/GAAS QD激光器。在本演讲中，将汇总在SI平台上单体生长的INAS/GAAS QD激光的开发里程碑，并且还将预测未来几年的潜在趋势。
糖尿病 - 二甲双胍扩展释放药物数量管理政策 - Per rx
可以使用授权的供应商指南来支持医疗必要性和其他覆盖范围确定。c Igna n nation f ormulary c超老化：o verview延长释放二甲双胍的产物被指示为饮食和运动的辅助，以改善2型糖尿病的成年人的血糖控制。1-3剂量建议给予所有扩展释放二甲双胍产品的剂量相似。1-3建议的起始剂量每天每天500毫克（QD），晚餐。 根据血糖控制和耐受性，剂量每周可能增加500 mg，最大建议的剂量为2,000 mg QD。 如果该剂量不提供足够的血糖控制，请考虑每天两次1,000毫克（BID）。 根据Glucophage XR（产品过时）标记，如果需要较高剂量，则患者应以每日总剂量的总剂量转换为二甲双胍立即释放，高达2,550 mg。 21-3建议的起始剂量每天每天500毫克（QD），晚餐。根据血糖控制和耐受性，剂量每周可能增加500 mg，最大建议的剂量为2,000 mg QD。如果该剂量不提供足够的血糖控制，请考虑每天两次1,000毫克（BID）。根据Glucophage XR（产品过时）标记，如果需要较高剂量，则患者应以每日总剂量的总剂量转换为二甲双胍立即释放，高达2,550 mg。 2
Robert Sittig*、Cornelius Nawrath、Sascha Kolatschek、Stephanie Bauer、Richard Schaber、Jiasheng Huang、Ponraj Vijayan、Pascal Pruy、Simone Luca Porta
摘要 ：GaAs 基材料系统因可承载具有出色光学特性的 InAs 量子点 (QD) 而闻名，这些量子点的发射波长通常为 900 nm 左右。插入变质缓冲区 (MMB) 可以将这种发射转移到以 1550 nm 为中心的具有技术吸引力的电信 C 波段范围。然而，常见 MMB 设计的厚度（> 1 𝜇 m）限制了它们与大多数光子谐振器类型的兼容性。在这里，我们报告了一种新型 InGaAs MMB 的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长，该 MMB 具有非线性铟含量渐变分布，旨在在最小层厚度内最大化塑性弛豫。这使我们能够实现晶格常数的必要转变并为 180 nm 内的 QD 生长提供光滑的表面。展示了沉积在此薄膜 MMB 顶部的 InAs QD 在 1550 nm 处的单光子发射。通过纳米结构技术将新设计集成到靶心腔中，证明了新设计的强度。