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研究使用 TeO2-WO3-Bi2O3-MoO3-SiO 基玻璃屏蔽伽马射线和电子辐射的效率，以保护电子电路免受电离辐射的负面影响
摘要：本文探讨了碲化物玻璃中的 MoO 3 和 SiO 添加剂对在辐射背景或宇宙辐射增加的条件下工作的电子微电路的屏蔽特性和保护的影响。之所以选择 MoO 3 和 SiO 掺杂剂，是因为它们的特性（包括绝缘特性）可以避免辐射损伤引起的击穿过程。这项研究的意义在于提出使用防护玻璃保护电子电路中最重要的组件免受电离辐射负面影响的方法，电离辐射可能会导致故障或导致电子设备不稳定。使用标准方法评估伽马和电子辐射的屏蔽效率，以确定放置在屏蔽后面并受到不同剂量辐照的微电路的阈值电压（∆U）值的变化。结果表明，玻璃结构中 MoO 3 和 SiO 含量的增加可使伽马辐射屏蔽效率提高高达 90%，同时在长时间暴露于电离辐射的情况下仍能保持微电路性能的稳定性。根据所得结果，我们可以得出结论：使用基于 TeO 2 –WO 3 –Bi 2 O 3 –MoO 3 –SiO 的防护玻璃非常有希望为在背景辐射或宇宙辐射增加的条件下工作的微电路和半导体器件的主要部件提供局部保护。
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7。安装和安装............................................................................................................................................................................................................................................................. 14 7.1安装安全说明....................................................................................... ....................................................................................................................................... 15 7.2.3设备上安装MX模块............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................. 16 7.2.4多个MX模块......................................................................... 7.3.1 Cables and wiring .................................................................... 20 7.3.2 Permitted wire and cable types for blue'Log power supply ......... 20 Wire and cable types for device connection ............................................ 21 7.3.3 Shielding ................................................................................. 22 7.4 Interfaces ....................................................................................................................................................................................................................... 22 7.4.1电源...................................................................................................................................................
复合材料热中子屏蔽性能研究...
虽然TiB 2 基复合材料的各种优异性能及制备方法已被广泛研究，但是其中子屏蔽性能尚未受到足够的重视。本文将对先前制备的TiB 2 -Al复合材料的中子屏蔽性能进行研究。利用光中子源装置对厚度为10 mm 的试验样品进行中子辐照试验。TiB 2 基含硼复合材料的平均热中子屏蔽率为17.55%，且屏蔽率随BN含量的增加而增大。复合材料的热中子宏观截面总体呈现稳定趋势，当BN含量为10%时，热中子宏观截面达到最大值7.58cm -1 。随着BN含量的增加，热中子注量率呈现逐渐减小的趋势。
技术指南 - 海军 FST
开发的技术：光子学和低温电子学与磁屏蔽混合集成 (HIPCEMS) 技术为超导电子学的磁屏蔽提供了一种定制解决方案，同时允许光学互连以实现节能的信息传输。该技术提供了一种芯片级屏蔽和封装解决方案，可在低温下提供磁隔离。磁隔离对于基于单通量量子 (SFQ) 架构的信号处理 SCE 芯片至关重要，因为信息以磁通量量子的形式存储。HIPCEMS 技术为 SCE 设备的更密集集成提供了一种途径，同时仍提供所需的磁噪声抑制。
机械压的聚合物矩阵复合材料
摘要。对微型化，高功率密度和高频电子设备的需求不断增长，突显了具有高电磁干扰（EMI）屏蔽的聚合物复合材料的重要性。这些复合材料对于维护设备，减少沟通错误和保护人类健康至关重要。在这项研究中，我们通过静电相互作用和热压缩技术开发了一种机械压力的聚苯乙烯，MXENE和硝酸硼纳米片（BNNS）的复合材料。在复合材料中构建3D填充网络导致了显着的EMI屏蔽效果，尤其是在低频范围内。此外，观察到与非涂层样品相比，BNNSS包被的样品促成了优质EMI屏蔽效率。这表明BNNSS通过在复合材料中提供其他接口来提高EMI屏蔽效果，并有助于防止MXENE降解。我们希望我们的研究能够为复合材料中3D结构化填充网络的发展提供宝贵的见解，同时有助于改善导热性和EMI屏蔽性能。
开发on-...
需要对在狮子座及其他地区运行的小型卫星进行轻巧和新颖的辐射屏蔽。艺术屏蔽材料的当前状态包括铝和聚乙烯，或由于重量和尺寸考虑而没有屏蔽。正在开发新材料，这可能比当前选择具有优势。这些材料包括新颖的轻质复合材料，这些复合材料浸入了金属纳米颗粒，几丁质衍生的生物塑料和气凝带 - 家庭材料。一个紧凑的实验平台，允许同时测试许多潜在的屏蔽材料，将有助于比较和验证它们。现在正在进行的努力试图开发一个微型，模块化的有效载荷，该有效负载将允许使用1U立方体的形式模块对材料进行测试，其中四个闪烁体辐射探测器在四个样本材料窗口后面延伸到空间。第一个提议的任务将利用2U有效载荷量来托管两个测试四重奏，从而可以测试八种材料。这样的测试平台可能有可能用作各种航天器上的托管有效载荷，以便将来测试其他材料。