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硅MOS电容器中的低压AC电致发光
低功率硅的光源和检测器在易于过程集成的情况下对芯片光子电路具有吸引力。然而，常规的硅发光发射二极管发射光子，该光子在带边缘附近的能量，相应的硅光dectors缺乏响应性。另一方面，先前报道的使用反向偏置二极管的热载体电发光硅设备需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下运行的硅金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化载体电容。在每个电压瞬变期间，在源接触的边缘创建大能带弯曲，远大于稳态下可实现的要素。结果，将电子和孔从单个源对相应的电压瞬变处的硅通道进行效率注入，然后它们随后经过影响电离电离和声子辅助的侧带重组。值得注意的是，我们通过使用20 nm厚的高j门电介质显示低压操作至2.8 V。我们可以通过减少栅极介电厚度来显示进一步的电压缩放，从而为硅光电集成电路提供一个低压平台。
GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失
尽管目前正在探索SIC材料平台上几种新应用的开发，但仍被广泛认为是电力电子首选的材料。二维（2D）材料（例如石墨烯和钼二硫）（MOS 2）的整合提供了碳化硅（SIC）具有其他功能，从而可以扩大其应用范围。本文回顾了SIC上石墨烯和MOS 2的可扩展生长的最新方法，特别是在六边形多型上。还讨论了材料整合中的一些开放研究方向，例如使用外延石墨烯（Epi-Gr）作为van der waals（vdw）在SIC底物上的GAN或GA 2 O 3的外观上的相互膜，以及由epi-gr/SIC接口处的受封闭性外观的2D形式的GAN材料的生长。最后，提供了这些物质系统的最近提出的电子/光电应用的概述，特别是针对高频电子，量子计量，THZ和UV检测器的概述。这项工作可能是在这些开放研究方向上的硅碳化物社区的有用指南。
可编程的硅光子芯片（在IMEC的...
第一个提出的网格架构是用于纯病房的网格，其中光在一组输入波导端口和一组脱离波导端口之间向一个方向流动。正确尺寸后，此类网格可以生成输入中光的任何可能的线性组合。如果输入端口处的光波的振幅和相位代表复数的向量，则电路本身将实现矩阵 - 向量乘法（MVM），其结果由光学输出波的振幅和相表示。这种近乎实用的算术是开发程序Mable光子学的主要驱动因素之一，因为MVM操作位于许多神经网络和机器学习算法的核心。相同的网格体系结构也证明对量子信息处理非常有价值，当与单个光子一起使用时，它们的组件充当潜在的量子逻辑门。
Foundry开发从...
光子整合技术已成为大量现有和利基应用程序的核心，就像微电子技术在[1]之前开发的几十年一样。以光子学为关键的促成技术[2]，集成是具有稳定，便携式和低功耗设备的成本效益填充应用程序市场的自然路径，类似于电子集成电路的传播。虽然光子整合技术的主要应用程序开发在Tele/DataCom [3，4]领域，但这些领域逐渐进入了其他领域，例如土木工程[5]，生物和生命科学[6]，环境传感[7-10]和自动动力[11]，以及许多其他领域。自然而然地，光子整合技术开发的最初努力专门用于整体整合，以建立稳定且可加入的单个平台。关键因素是纳入通用技术哲学[12，13]。这些早期活性基于硅（SI），磷化物（INP）和氮化硅（SIN）材料[14-17]的三种主流技术。尽管如此，当前的评论和路线图[18-20]倡导混合和异质整合[21，22]，承认使用单个材料平台的使用不能涵盖所有现有的应用程序。SI和SIN膜的整体组合也是研究的主题[23，24]。与基于SI指南的平台和二氧化硅平台（所谓的Planar Lightwave电路，PLC [27]）相比，Sin Photonics将两者的良好特征结合在一起。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。 与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。 与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。 因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。由IIII-V半导体带来，并带有检测和调节，也存在于Si Photonics中，但指导光的非常基本的功能是SIN光子学的关键优势，无论是线性和非线性方案，都得到了SI 3 n N 4的固有的光学宽带，均受si 3 n 4的固有宽带（米将）[sir-nif-nif）[ 26]。与PLC相比，由于较高的指数对比度以及光学模式的限制，但具有可比的传播损失，因此提供了减少的足迹。与SI纳米线光子学相比，后者是一个优势[14]，但与厚的Si光子学相比[17]。因此，罪可以广泛地说一个平台，将良好的传播损失数字和足迹结合在一起，以及覆盖Vis波长范围的附加值。
通过铁掺杂的碳化硅石墨烯单层吸附布洛芬：DFT探索药物输送见解
通过执行密度功能理论（DFT）计算来研究非甾体类抗炎药的吸附，提供了抽象的药物输送见解。布洛芬（IBU），由铁掺杂的碳化硅（FSIC）石墨烯单层。在这方面，优化了IBU，SIC和FSIC的单个模型以获得其稳定的几何形状和特征，其中为增强的FSIC石墨烯单层发现了出色的成就，可用于原始的SIC石墨烯单层，以与IBU物质相互作用。随后，通过重新调整Bimolecular模型来获得IBU@SIC和IBU@FSIC复合物，并以-1.44 kcal/kcal/kcal/kcal/kcal/mol和-43.14 kcal/mol/mol/mol，相应地，对IBU的相互作用和SIC和SIC和FSIC的单层相互作用的形成进行了研究。此外，还发现了铁掺杂区域在管理FSIC和IBU对应物之间的相互作用方面的显着作用。o…fe相互作用在IBU@FSIC复合物中的存在得到了分子（QTAIM）分析中原子量子理论的结果肯定。电子分子轨道结果表明，与SIC石墨烯单层相比，FSIC石墨烯单层较软，可以更好地参与与IBU物质的相互作用。比较了态度（DOS）图（DOS）图和能量差距（GAP）距离的距离（GAP）的距离（GAP）的距离（GAP）距离与单一石墨烯单层与复杂状态的边界分子水平的距离相比，FSIC比SIC更容易IBU检测IBU检测。作为最后的说明，在该领域进一步研究后，发现了IBU@FSIC复合物的适用性，可作为拟议的药物输送平台工作。
碳化硅如何帮助最大程度提高可再生能源系统的效率
与 IGBT 相比，SiC 电源开关易受短路影响，短路可能会严重损坏电力电子系统。通常，IGBT 的短路耐受时间约为 10 µs，而 SiC 的短路耐受时间约为 2 µs。因此，在使用 SiC 电源开关进行设计时，务必考虑添加去饱和或过流保护等保护元件。某些栅极驱动器（例如 UCC21710 栅极驱动器）具有内置短路保护功能，可检测和响应短路事件。要了解有关 SiC FET 短路保护的更多信息，请参阅应用说明“了解 SiC MOSFET 的短路保护”。
RSC Advances
我们报告说，尽管3C - SIC高度有缺陷，但在3C-SIC 12,14上使用Ni/Cu BiLayer在大尺度上均能使用均匀的石墨烯，而不是3C - SIC的调用热分解途径。17镍与SIC形成镍硅的催化反应和释放原子碳的催化反应，并结合铜分布在大面积上释放的碳并促进其绘画的催化反应，尽管伴有高度有缺陷的性质性质，但仍可以连续地石墨烯覆盖。12尤其是，我们将这种改进归因于该系统在1100°C下的液相外观生长18 - 20条规范，与通过3C - SIC的3C热分解相比，碳原子具有更长的二次分解长度。12
硅光子学中的异质集成
摘要：硅光子学的应用范围正在从用于数据和电信的高速收发器迅速发展到适用于许多不同市场的广泛功能，尤其是在传感和计算领域。因此，对新构建模块和增强性能的需求正在加速和多样化。在这种背景下，新材料、芯片和薄膜芯片的异构集成正变得至关重要。但要实现满足这种多样化需求的工业供应链将具有挑战性，可能需要一种新的供应链模型，在参与各方之间建立专门的标准化和测试方法。这篇评论文章讨论了硅光子学中异构集成带来的机遇和挑战，特别是未来市场增长和异构集成工艺流程的设计。
硅基氮化物外延开发
市场新闻 6 智能手机出货量将在 2023 年第三季度小幅下滑后复苏 微电子新闻 8 CML 完成对微波技术的收购 宽带隙电子新闻 10 DENSO 和三菱电机向 Coherent 的 SiC 部门投资 10 亿美元 • Soitec 启动 SmartSiC 晶圆生产工厂 • J2 和 HKSTP 在香港建立第一家 SiC 晶圆厂 • onsemi 完成韩国 SiC 晶圆厂扩建 • 英飞凌完成对 GaN Systems 的收购 • 英飞凌签署多年期协议，为现代/起亚供应电源半导体 • 美国国防部为北卡罗来纳州立大学牵头的“CLAWS”微电子公共区域创新中心拨款 3940 万美元 • GlobalFoundries 获得美国政府 3500 万美元资助，以加速 200 毫米 GaN-on-Si 芯片的生产 • 佛蒙特大学-GF 联盟被指定为技术中心 • Element Six 入选美国国防部 LADDIS 计划 • 首款 JEDEC 标准顶部冷却表面贴装 TOLT GaN晶体管 • 东京农工大学和日本酸素公司通过MOVPE实现高纯度Ga 2 O 3薄膜的高速生长 材料和加工设备新闻 27 Riber的MBE 49 GaN将与MOCVD竞争200mm GN-on-Si • ELEMENT 3–5的ACCELERATOR 350K为批量生产提供单晶AlN • Aehr的收入同比几乎翻了一番 LED新闻 32 Mojo Vision的A轮融资几乎翻了一番，达到4350万美元 • NS Nanotech获得100万美元NSERC资助，用于开发纳米级LED和激光器 • ams OSRAM筹集22.5亿欧元以满足2025/26年的融资需求 光电子新闻 38 SuperLight Photonics在与DeepTechXL和oost NL的投资轮中获得种子资金 光通信新闻 40 ECOC 2023的新闻 • Coherent和Kinetic延长合作伙伴关系以启用网络边缘的 100G 服务 • OpenLight 与 Spark 合作扩展设计服务 • imec 推出 SiGe BiCMOS 光接收器，总数据速率达到 200Gbps 光伏新闻 50 NREL 创下 D-HVPE 生长的单结 GaAs 电池 27% 的效率记录
超符合硅碳化物涂料通过前体脉冲化学蒸气沉积
在这项工作中，碳化硅（SIC）涂层通过脉冲化学蒸气沉积（CVD）成功生长。未在连续流中提供四氯化硅（SICL 4）和乙烯（C 2 H 4），而是以H 2作为载体和清除气体交替脉冲到生长室中。典型的脉冲CVD循环为SICL 4脉冲 - H 2净化 - C 2 H 4脉冲 - H 2吹扫。这导致了超符号SIC涂层的生长，在相似的过程条件下，使用恒定的流动CVD工艺无法获得。我们通过脉冲CVD提出了一个两步的SIC生长框架。在SICL 4脉冲期间，沉积了一层Si。在以下C 2 H 4脉冲中，该Si层被渗入，并形成SIC。据信SICL 4脉冲后，高氯表面覆盖范围可以通过生长抑制作用来实现超级生长。