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尽管目前正在探索SIC材料平台上几种新应用的开发，但仍被广泛认为是电力电子首选的材料。二维（2D）材料（例如石墨烯和钼二硫）（MOS 2）的整合提供了碳化硅（SIC）具有其他功能，从而可以扩大其应用范围。本文回顾了SIC上石墨烯和MOS 2的可扩展生长的最新方法，特别是在六边形多型上。还讨论了材料整合中的一些开放研究方向，例如使用外延石墨烯（Epi-Gr）作为van der waals（vdw）在SIC底物上的GAN或GA 2 O 3的外观上的相互膜，以及由epi-gr/SIC接口处的受封闭性外观的2D形式的GAN材料的生长。最后，提供了这些物质系统的最近提出的电子/光电应用的概述，特别是针对高频电子，量子计量，THZ和UV检测器的概述。这项工作可能是在这些开放研究方向上的硅碳化物社区的有用指南。
GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失
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