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本地旋转和开放量子系统
ˆ p 12 p 2（r 1 s 1，r 2 s 2; r'1'1，r'2'2）= p 2（r 1 s 2，r 2 p 1; r'1'1; r'1'1，r'2'2'2'2'2'2）= -p 2（r 2 s 1，r 2 s 1，r 1 s 1，r''1 t; r''1'1，r'1，r'1，r''2）
分子电子旋转量子矩的脱碳
摘要：量子状态是由无法直接测量相的波函数描述的，但在干扰和纠缠等量子效应中起着至关重要的作用。相对相信息的损失称为折叠，是量子系统与其环境之间的相互作用引起的。变形也可能是通往可靠量子计算的路径上的最大障碍。在这里我们表明，即使在一个孤立的分子中也发生了变质，尽管并非所有相信息都会通过对中央电子自旋量子QPIT与附近核自旋相互作用的原型磁分子中相互作用的理论研究。依赖分子的残留相干性为提议解释实验的核自旋差屏障提供了微观合理化。附近分子对破裂性的贡献对分离有非平凡的依赖性，在中间距离处达到峰值。分子仅影响长期行为。由于残差相干性很容易计算和与连贯性时间良好相关，因此可以用作磁分子中连贯性的描述符。这项工作将有助于建立设计原理，以增强分子旋转量子的连贯性，并有助于激发进一步的理论工作。
搜索镧系元素中的电子自旋纠缠……
材料推动技术发展，例如微电子和纳米技术中的硅基半导体。这些材料虽然本质上是量子的，但它们的宏观特性并不表现出量子世界最引人注目的方面之一：纠缠。因此，半导体中的电子可以在单电子水平上建模。然而，一种新的范式——量子材料——正在出现，在量子计算领域具有潜在的应用潜力。在这些系统中，电子是纠缠的，单电子图像不再是材料特性的准确描述。相反，需要多体、N 电子处理。当前的 QIS 捕获并利用单个原子或离子作为量子比特，即经典比特的量子模拟。由于实验的不完善，需要许多离子才能累积起来代表一个可用的“逻辑”量子比特。捕获这些离子具有挑战性，因此系统既庞大又昂贵。世界上最先进的系统由 IBM 创建，仅捕获 53 个离子。量子材料的一种可能应用是利用物质深处的 N 电子纠缠作为 QIS 应用的资源。材料中的每个纠缠电子都充当量子比特，从而实现更大规模的 QIS。在 Mourigal 实验室博士后 Zhiling Dun 的帮助下，该项目的目标是合成和表征电子自旋可能纠缠的磁性材料。
抑制金属界面处的自旋泵浦
导电金属通常会传输或吸收自旋电流。本文报告了将两层金属薄膜连接在一起可以抑制自旋传输和吸收的证据。我们研究了铁磁体/间隔层/铁磁体异质结构中的自旋泵浦，其中间隔层（由金属 Cu 和 Cr 薄膜组成）将铁磁自旋源层和自旋吸收层分隔开。Cu/Cr 间隔层在很大程度上抑制了自旋泵浦，即既不传输也不吸收大量自旋电流，尽管 Cu 或 Cr 单独传输了相当大的自旋电流。Cr 的反铁磁性对于抑制自旋泵浦并不是必不可少的，因为我们观察到 Cu/V 间隔层也有类似的抑制作用，其中 V 是 Cr 的非磁性类似物。我们推测，自旋透明金属的多种组合可能形成抑制自旋泵浦的界面，尽管其潜在机制仍不清楚。我们的工作可能会激发人们对理解和设计金属多层中的自旋传输的新视角。
利用囚禁离子实现自旋压缩
相干量子现象的利用代表着计量学领域的一个新领域，该领域的研究旨在实现对物理现象的越来越精确的测量。量子计量学实验的原型可能是原子钟中使用的简单的拉姆齐干涉测量法，几十年来，它一直是时间和频率标准校准的基础。然而，现代量子计量学实验通常需要对几个量子自由度进行复杂的操纵才能获得单一的测量结果。例如，考虑量子逻辑光谱时钟测量，其中使用原子的量子力学运动作为总线，将一个原子的内部时钟跃迁状态转移到辅助原子中可检测的跃迁[1]。对 N 个不相关粒子集合进行测量的自然精度极限是标准量子极限，其中测量精度与 ∼ 1 / √ 成比例
利用囚禁离子实现自旋压缩
相干量子现象的利用代表着计量学领域的一个新领域，该领域的研究旨在实现对物理现象的越来越精确的测量。量子计量学实验的原型可能是原子钟中使用的简单的拉姆齐干涉测量法，几十年来，它一直是时间和频率标准校准的基础。然而，现代量子计量学实验通常需要对几个量子自由度进行复杂的操纵才能获得单一的测量结果。例如，考虑量子逻辑光谱时钟测量，其中使用原子的量子力学运动作为总线，将一个原子的内部时钟跃迁状态转移到辅助原子中可检测的跃迁[1]。对 N 个不相关粒子集合进行测量的自然精度极限是标准量子极限，其中测量精度与 ∼ 1 / √ 成比例
非热光子旋转厅绝缘子
光子平台在均衡（P），时间反转（T）和二元性（D）下不变，可以支持类似于具有保守自旋的时间反向不变Z 2电子系统中的拓扑阶段。在这里，我们证明了基本的旋转阶段对非省力效应的弹性，尤其是物质耗散。我们确定非热，pd -Ampricric和相互光子绝缘子属于两个拓扑上不同的类别。我们的分析侧重于PD-对称和相互平行的板波导（PPW）的拓扑。我们发现标记拓扑相变的板中的临界损失水平。发现PT D-对称系统的哈密顿量由具有公共带隙的凯恩 - 梅勒型哈密顿量的无限直接总和组成。这种结构导致波导的拓扑充电是由于粒子孔对称性而导致的整数不良总和。该系列的每个组件对应于自旋极化边缘状态。我们的发现提出了拓扑光子系统的独特实例，该实例可以在其带隙中容纳有限数量的边缘状态。