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社区分布式发电净信用手册（价值堆栈）
CDG 卫星 3 5% 30.000% (180) $ - $ (180) $ 50 $ (50) $ -$2.50 (47.50) $ 不包括锚定卫星 N/A 10.000% (60) $ (400) $ (460) $ 1,000 $ (460) $ - $
市场观点 - 加拿大经济如何发展...
今年加拿大货币政策最重要的发展是通胀低于预期。在美国，情况正好相反，价格重新加速一直是当前利率重新评估的主要驱动力。在本周期中，加拿大和美国数据出现分歧并不是新鲜事——GDP 增长一段时间以来一直处于两个不同的水平——但就价格压力而言，这是一个新发展。这引发了关于加拿大央行在这种环境下应该做什么的争论。“传统观点”认为加拿大央行受到美联储的制约。无论鲍威尔去哪里，麦克勒姆都不能偏离太远。从经验上看，加拿大和美国的利率确实存在很强的相关性，但这至少部分是因为这两个经济体的相关性非常强，加拿大四分之三的出口产品都出口到南方。但是，
电堆压力和温度对无阳极锂金属电池的化学机械影响
使用可充电锂金属阳极的电化学电池对工作温度和电堆压力很敏感。目前的理解通常假设温度驱动锂金属表面化学的变化，而电堆压力影响阳极形态。在本研究中，我们为这些假设提供了量化证据，并提出了指导理解温度和压力对锂金属电池动力学影响的机制。除了压力与力学、温度与动力学的直接耦合之外，我们还探讨了温度对电池力学和电堆压力对电池化学的可能影响。我们使用一系列原位和非原位技术研究了基于 LiDFOB 盐的电解质成分。温度和压力依赖性电池行为的机理映射将有助于开发改进的锂金属电池。© 2022 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可证（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）的条款发布，允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，只要对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/1945-7111/ac91a9]
Louis E. Eliasberg, Sr. 收藏 - Stack's Bowers 画廊
此次拍卖结束时，总成交额接近 11,598,000 美元，1997 年 4 月还将有更多成交。第二次拍卖将于 1997 年 4 月举行，拍卖品包括二十美分硬币、银元和贸易银元。拍卖品中将包括许多珍稀硬币，如 1876-CC 版二十美元硬币、1827 年原版和 1873-CC 版无箭头四分之一美元、1817/4 版加盖版、1838-0 版和 1853 版无箭头半美元、1804 版、1870-S 版和其他银元、精美的 1884 版和 1885 版贸易银元以及许多其他硬币。此外，还有精美的美国纸币收藏、许多有趣而罕见的代币和奖章以及美利坚联盟国一分硬币收藏，其中包括一枚金币。关于目录可用性的公告将很快发布。
带有陶瓷中介层的双面堆叠低电感无引线键合 SiC 功率模块
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JOHN J. FORD, Jr. 收藏 - Stack's Bowers 画廊
我为新一代钱币收藏家感到惋惜。他们不仅发现在大多数情况下，硬币被一层坚硬的塑料涂层遮挡，而且他们从未有过与非凡的钱币收藏家见面和交流的宝贵机会。这些人是通往迷人但有些陈旧的过去的桥梁，并建立了现代市场的基础。这些杰出人物（他们确实有个性）的名单很长，也很丰富：从科索夫到克里斯伯格再到卡金。但在纽约地区，这个“最伟大”的一代尤其生动，其中包括（其中一种情况仍然包括）彬彬有礼的查尔斯·沃姆瑟；迷人而淘气的汉斯·舒尔曼；国王哈维、诺曼和本·斯塔克；温和的莱斯特·默金，当然还有约翰·福特。
体积变化和堆叠压力对固态电池阴极的影响
不稳定性发生在固态复合阴极（SSC）中，该阴极（SSC）由阴极活性材料（CAM），SE和通常碳添加剂的颗粒混合物组成。氧化物和硫化物是SE的两个最精心研究的群体。氧化物类型的SE具有优势，包括高机械强度，高温耐受性，对空气和溶剂的稳定性以及广泛的电化学稳定窗口。11然而，基于氧化物的刚性SE不能在没有高温烧结的情况下在颗粒和晶粒之间形成良好的联系。高温烧结将导致CAM和氧化物之间的不希望的元素分化。12–14因此，在大多数类型的阴极中形成直接的阴极/氧化物部分接触是具有挑战性的。不同于氧化物，基于硫化物的SE具有高离子电导率和低/中等温度下的可变形性，希望将电极处理到高，接近理论密度。15–20然而，硫化物易于在CAM（例如Li（Ni X Co Y Mn 1-X-Y）O 2和Li（Ni X Co Y Al 1-X-Y）O 2）的工作势下氧化。21–23即使凸轮颗粒涂有保护层（例如，氧化物），这些保护层部分钝化了表面，例如电子渗透所需的碳添加剂，例如碳纳米诺纤维（CNF），也可能在氧化硫化物电解质中发挥作用。24,25在两种情况下，持续的化学相互作用都破坏了保留的能力和可环性。 26–30凸轮颗粒本身的破裂也可能发生。 每个凸轮都合并24,25在两种情况下，持续的化学相互作用都破坏了保留的能力和可环性。26–30凸轮颗粒本身的破裂也可能发生。每个凸轮都合并从机械上讲，在诱导的插入/提取时，li-ion插入/提取的循环体积变化会导致硫化物SE，CNF和CAM之间的突然或进行性接触损失，从而导致无能力失效和不可逆转的能力损失。31–34为了减轻某些机械效应（以及由于亚最佳电极制备引起的持续孔隙率），细胞可能会在循环测试期间受到超过50 MPa的一层堆栈压力。然而，实践应用需要较低的堆栈压力，例如在电动汽车中，35,36，并且压力过大可能会加速凸轮的损坏并导致LI金属电极的变形。鉴于SSC容量褪色机制的这种复杂性和相互作用，机械降解与化学和电化学侧反应的分离对于阐明发生的各种过程并寻找相应策略至关重要。在这里，我们研究了CAM体积变化和堆叠压力对SSC容量衰减的影响。两种具有相同电压窗口的活性材料，但循环过程中的不同体积变化是Chos的，包括Li 4 Ti 5 O 12（LTO），具有可忽略不计的volume变化和α-NB 2 O 5，其中4％的LI Intercalation in Intercalation 37,38比较了内在的伏特 - UME对已保留能力变化的影响。
用于垂直堆叠 R/G/B 微型 LED 像素的先进外延
异质集成中一种突出的方法是基于转移的组装，其涉及去除由不同批次和工序制成的外延层。[5] 但这种方法在高密度器件集成方面面临障碍。首先，传统的外延生长将外延层器件紧密结合到基板上。分离它们通常需要高功率激光或化学蚀刻剂，这可能会损坏基板和外延层。这种风险限制了器件性能和产量。[6] 此外，在转移和组装阶段，必须将不同的功能器件分割成微小的芯片。这对于将它们准确转移和组装到高密度器件阵列的目标表面或基板上至关重要。在这个芯片键合过程中，即使是轻微的错位也会破坏器件与其底层电路之间的连接。这些困难不仅会增加微型和微型发光二极管 (μLED) 显示器等产品的生产成本，而且在制造高密度垂直堆叠器件时也带来了重大挑战。这种复杂性对于生产高分辨率显示器尤其重要，例如增强现实（AR）或元宇宙设备以及异质集成电子产品中使用的显示器。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·BTBT·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。
使用电导方法
手稿于2020年7月26日收到；修订于2020年10月13日和2020年10月19日； 2020年10月22日接受。2020年11月16日出版日期；当前版本的日期，2020年11月24日。This work was supported in part by the Applications and Systems-driven Cen- ter for Energy-Efficient Integrated Nano Technologies (ASCENT), one of six Centers in the Joint University Microelectronics Program (JUMP), a Semiconductor Research Corporation (SRC) Program sponsored by DARPA, and in part by the Air Force Office of Scientific Research.本文最初在2020年VLSI技术的虚拟研讨会上发表。本文的评论由编辑M. Kobayashi安排。（通讯作者：Peide D.ye。）Yiming Qu和Junkang Li与Birck纳米技术中心，电气和计算机工程学院，普渡大学，西拉斐特的普渡大学，美国47907，以及电子工程与信息科学学院，Zhejiang University，Zhejiang University，Hangzhou 310027，中国。Mengwei Si，Xiao Lyu和Peide D. Ye在美国47907的Purdue University，Purdue University，Purdue University，Purdue University，美国47907的Birck Nanotech-Notech-Notech-Notech-Notech-Notech-Notech中心（电子邮件：yep@yep@purdue.edu）。本文中一个或多个数字的颜色版本可在https://doi.org/10.1109/ted.2020.3034564上找到。数字对象识别10.1109/ted.2020.3034564