Yang Yang博士在纳米级界面学习了电化学工程,并获得了博士学位。 2010年从Tsinghua大学获得。 从2010年到2012年,他是亚历山大·冯·洪堡博士后研究员,并与德国埃伦根·纳鲁堡大学的帕特里克·施穆基(Patrik Schmuki)博士合作。 从2012年到2015年,他是彼得·M·&露丝·尼古拉斯博士后研究员,并在莱斯大学的理查德·E·斯玛利学院(Richard E. Smalley Institute)与James M. Tour教授合作。 自2015年以来,他一直是中央佛罗里达大学材料科学与工程系的能源转换和推进群的纳米科学技术中心的助理教授。 他目前的研究兴趣涵盖了电化学工程,能源材料的接口工程,能量转换和存储以及太阳能收集,特别关注水性电化学系统。 他发表了100多种经过同行评审的文章,包括自然通信,能源与环境科学,JACS,Angewandte Chemie,Advanced Materials等,总引用超过6600+,H-Index的43个。。Yang Yang博士在纳米级界面学习了电化学工程,并获得了博士学位。 2010年从Tsinghua大学获得。从2010年到2012年,他是亚历山大·冯·洪堡博士后研究员,并与德国埃伦根·纳鲁堡大学的帕特里克·施穆基(Patrik Schmuki)博士合作。从2012年到2015年,他是彼得·M·&露丝·尼古拉斯博士后研究员,并在莱斯大学的理查德·E·斯玛利学院(Richard E. Smalley Institute)与James M. Tour教授合作。自2015年以来,他一直是中央佛罗里达大学材料科学与工程系的能源转换和推进群的纳米科学技术中心的助理教授。他目前的研究兴趣涵盖了电化学工程,能源材料的接口工程,能量转换和存储以及太阳能收集,特别关注水性电化学系统。他发表了100多种经过同行评审的文章,包括自然通信,能源与环境科学,JACS,Angewandte Chemie,Advanced Materials等,总引用超过6600+,H-Index的43个。他的实验室网站是http://www.yangyanglab.com。
摘要:我们报告了沉积在石墨烯上的 5,5′-双(萘-2-基)-2,2′-联噻吩 (NaT2) 薄膜的微观结构、形貌和生长,以掠入射 X 射线衍射 (GIXRD) 为特征,并辅以原子力显微镜 (AFM) 测量。NaT2 沉积在两种类型的石墨烯表面上:定制样品,其中我们将化学气相沉积 (CVD) 生长的石墨烯层转移到 Si/SiO 2 基底上,以及常见的商业转移 CVD 石墨烯到 Si/SiO 2 上。原始 Si/SiO 2 基底用作参考。NaT2 晶体结构和取向在很大程度上取决于下面的表面,分子主要位于石墨烯表面(面向取向),并在 Si/SiO 2 参考表面上几乎位于平面外(边缘取向)。生长后的 GIXRD 和 AFM 测量表明,晶体结构和晶粒形态会根据石墨烯表面是否有聚合物残留而有所不同。原位 GIXRD 测量表明,在沉积过程开始时,结晶边缘相的 (111) 反射强度的厚度依赖性不会与零相交,这表明在表面 - 薄膜界面处形成了对应于 1-2 个分子层的初始润湿层。相比之下,在整个沉积过程中,结晶正面相的 (111) 反射强度以恒定的速率作为薄膜厚度的函数增长。■ 简介
摘要:异质性超导性发作是Cuprate和基于铁的家族的高-T C超级导管的常见现象。它是由从金属到零抗性状态的相当广泛的过渡表现出来的。通常,在这些强烈的各向异性材料中,超构型(SC)首先显示为孤立域。这会导致t c以上的各向异性过量电导率,并且传输测量值提供了有关样品内部深处的SC结构域结构的宝贵信息。在大量样品中,这种各向异性SC发作给出了SC晶粒的平均形状,而在薄样品中,这也表明SC晶粒的平均大小。在这项工作中,在各种厚度的FESE样品中,测量了层中的和内层的电阻率。为了测量层间电阻率,使用FIB制造了跨层的FESE MESA结构。随着样品厚度的降低,观察到超导过渡温度T C的显着增加:T C在厚度〜40 nm的微生物中从散装物质的8 K提高到12 K。我们应用了分析和数值计算来分析这些数据和早期数据,并发现了FESE中SC域的纵横比和大小与我们的电阻率和Diamamnetic响应测量相一致。我们提出了一种简单且相当准确的方法,用于估计各种小厚度样品中T C各向异性的SC域的长宽比。讨论了FESE中的nematic和超导域之间的关系。我们还将分析公式推广到异质各向异性超级导管中的电导率,以与两个具有相等体积分数的两个垂直方向的细长SC结构域的情况,对应于基于Fe的各种FE基超导体中的nematic结构域结构。
GKW2 (GKW3):Gerstung、Kaiser 和 Weise (2020)。包括 YN (YN+YNN) 相互作用的手性 EFT 计算。LY-IV:Lanskoy 和 Yammoto (1997)。Skyrme 型 Λ 势能再现 Λ 结合能。
为了将空间分辨率极限推向纳米级,基于同步加速器的软 X 射线显微镜 (XRM) 实验需要向材料施加更高的辐射剂量。然而,相关的辐射损伤会影响精细生物样品的完整性。本文报道了软 X 射线辐射损伤在安装在 Si 3 N 4 膜上的常见薄冻干脑组织样本中的程度,如傅里叶变换红外显微镜 (FTIR) 所示。研究发现,冻干组织样本受到振动结构普遍退化的影响,尽管这些影响比文献中报道的石蜡包埋和水合系统中观察到的影响要弱。此外,在常规软 X 射线曝光中,首次可以识别出组织-Si 3 N 4 相互作用的弱、可逆和特定特征,进一步突出了生物样本、其制备方案和 X 射线探针之间的复杂相互作用。
摘要电子和离子运输控制锂离子电池(LIB)操作。在不同电荷状态下锂离子过渡金属氧化金属(LMOX)阴极中电子传输的操作研究可以评估LIB的健康状况及其性能的优化。我们报告了在离子门控晶体管(IGT)构造中在Operando中控制的不同电荷状态的Lib阴极材料中的Electronic运输。我们考虑了LINI 0.5 MN 0.3 CO 0.2 O 2(NMC532) - 和LIMN 1.5 Ni 0.5 O 4(LNMO)基于常规Lib Cathodes中的配方材料,在有机电解质LP30中运行,并在有机电解质LP30中运行(1M Lipf 6中的LIPF 6中的LIPF 6中:乙烯碳酸烯基碳酸盐:Dimethylyyy基碳酸盐碳酸盐碳酸盐1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V)NMC532-和基于LNMO的阴极材料被用作转移通道材料,LP30用作离子门控培养基。超出了其对Lib的领域的影响,我们的工作将基于混合离子和电子传输(包括神经形态计算)的新型设备设计。
摘要:我们使用基于神经网络力场的平衡分子动力学模拟探索了含有缺陷的双层PTST的声子传输性能。缺陷证明在降低结构的热导率方面非常有效,并且花缺陷具有与双重空缺相当的效果特别强大。此外,由于在高温下结构不稳定性而导致的结构的电导率表现出异常的温度依赖性。,我们通过预测的状态声子密度来研究对缺陷围绕正常模式的失真,并找到包括局部模式和蓝移的多种现象。■引言二维(2D)晶体通常具有缺陷,可以通过各种方法在合成过程中意外或故意引入它们。1研究这些缺陷对2D材料中声子传输的影响不仅对于在现实条件2,3中理解热传输物理学至关重要,还要为诸如热电和光电设备等应用找到最佳候选系统,以及热晶体管。1,4
在旋转电流的生成,控制和检测中进步,并且电荷 - 自旋互转换在这些过程中起着基本作用。[2–4]电荷和自旋电流之间的互音版本取决于两个现象:旋转大厅(SHA)和旋转霍尔(ISHE)效应,这些效应允许在横向旋转电流中转换电流电流,反之亦然,而具有大型旋转 - 轨道 - 轨道 - 轨道 - 轨道 - 轨道 - 轨道互联网(SOI)。[2-5]研究这些过程的基本系统是正常的金属(NM)/磁性材料(M)双层,这是由复杂的自旋混合结构G↑↑州= G R + Ig I的旋转传输跨NM/ M界面。[6]当自旋电流到达NM/M界面时,可以根据M材料的磁磁为m和旋转极化σ的磁磁(由于σ和m为非collineare exter exters exters extere extere and CollineARINERINE)的磁极偏振电流(g r and g r and g r and g r and i与damping like compand coptime coptimeclike和dymeke like compected promeke and tor pemplice),可以吸收或反射。[7]此外,当σ与σ呈线时,自旋 - 链接电导(G s)[8]与界面处的自旋挡泥散射有关。但是,其他界面效应,例如,磁接近效应,[9] Rashba-Edelstein效应[10]或[10]或Nomal nomal nomal nomalos nomal onomal onals onaloal nomal onals onaloal nomal onaloal nomal onaloal nomal onnomal效果,也可能会播放clinef的作用。由于旋转设备的开发必然涉及自旋电流的流动,因此界面的重要性及其适当的表征是显而易见的。[12]因此,具有正确的材料和正确的表征技术对于旋转的发展至关重要。幸运的是,可用于研究通过NM/M界面的自旋传输的理想技术,即自旋霍尔磁磁性(SMR)。smr是由She和Ishe同时作用引起的非平衡接近效应。[7,13] Being sensitive only to the magnetic properties of the topmost atomic layers of the magnetic material, M, close to the NM/M interface, [14,15] SMR allows to study interfacial magnetic proper- ties of magnetic materials in contact to NM via magnetotrans- port experiments and to determine important parameters, such as spin diffusion length, λ sd , and the spin Hall angle, Θ SH , of different NM层或不同的自旋电导。SMR已用于研究几种磁性绝缘材料中的磁性结构,包括铁磁性,[13,16,17]和反磁性有序。[18,19]此外,SMR已证明
由于其出色的物理,化学和电化学特性,热解碳已成为各种技术应用的有前途的材料[1]。热解碳可以通过在受控条件下在高温和惰性气氛中的受控条件下的聚合物碳前体进行热解。通过调整热解条件,碳原子的杂交以及衍生碳的物理化学特性可以量身定制。尽管一些研究人员试图以原子量规模研究石墨化过程,但全面的理解仍然难以捉摸。透射电子显微镜(TEM)非常适合研究纳米级热处理过程中聚合物薄膜的石墨化[2]。的确,TEM提供了原位分析能力的优势,这些功能可以揭示热解过程中热解碳的纳米结构。但是,聚合物薄膜样品的制备仍然是一个挑战。这项工作介绍了通过两光子聚合物化(2pp)3D打印技术的基于mems的TEM加热芯片(密集溶剂)上悬浮的聚合物薄膜结构的微结构[3]。我们还报告了原位研究的结果,用于追踪热解碳的石墨化。
使用实时相对比(RT-PC)MRI对CSF和静脉流进行的抽象目的测量,MRI促进了对两种流体系统动力学和生理学的新见解。但是,在临床实践中,使用RT-PC MRI仍然有限。由于在婴儿期和童年时表现出许多形式的脑积水,因此在此期间研究正常流量参数以评估CSF循环的病理是一种先决条件。本研究旨在使用RT-PC MRI在健康受试者中建立CSF和静脉流的参考值,并确定其年龄依赖性。方法在44名健康志愿者(20名女性,5-40岁)中进行了RT-PC MRI。CSF流量。静脉流量测量包括硬膜外静脉,颈内静脉和下腔静脉。分析的参数是峰值速度,净流,脉动和目标区域(ROI)。统计检验:线性回归,学生的t检验和方差分析(ANOVA)。导致成人志愿者的结果,没有观察到流程参数的显着变化。相反,小儿受试者在AQD,C3和L3中表现出明显的CSF净流量和脉动性降低。几个静脉流参数在C3时的年龄上显着降低,在L3时变化更大。结论流参数取决于解剖位置和年龄。我们在5-40岁之间建立了大脑和脊柱动力学的变化。RT-PC MRI在临床护理中的应用可能会改善我们在个别患者中对CSF流动病理的理解。