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工程高 Q 值超导钽微波共面
图 4. (a) 三个硅基 CPW 谐振器的内部品质因数 (𝑄 𝑖) 与平均光子数 < 𝑛 𝑝ℎ > 的关系，散点图为测量数据，实线是基于公式 (4) 的拟合数据，误差线在每个数据点的顶部和底部用大写字母表示，(a) 40 nm Ta 在 𝑇= 77 mK。(b) 𝑓 𝑟 = 3.654 在三个不同温度下。(c) 80 nm Ta 在 𝑇= 44 mK 时和 (d) 100 nm Ta 在 𝑇= 40 mK 时。
钽壳的实验测定
了解原子基本参数 (FP)，例如荧光产额、光电离截面和科斯特-克罗尼希跃迁概率，对涉及 X 射线荧光 (XRF) 的任何定量分析都至关重要。不同元素的大部分现有实验和理论 FP 值都是四十多年前获得的。对于某些化学元素和某些 FP，由于不存在实验或理论数据，所以列表数据完全基于插值。不幸的是，大多数列表 FP 数据的不确定性通常不可用或仅是估计的。由于这种情况肯定是可以改善的，国际 X 射线基本参数倡议 [ 1 ] 和其他组织正在努力通过采用最新技术的新实验和计算来重新审视和更新 FP 数据库。在这项工作中，钽 L 壳层基本参数，即荧光产额和科斯特-克罗尼希因子，正在通过实验重新确定。钽是微电子[ 2 , 3 ]、太阳能工业[ 4 ]、医药等领域的关键元素。另一方面，通过实验确定的 Ta-L 壳层荧光蛋白相当稀缺。大多数可用的实验数据都超过 30 年，而最常见表格[ 5 , 6 ] 的不确定性估计值仅为估计值。在这项工作中，我们应用 PTB[ 7 ] 的无参考 XRF 设备以及专用的透射和荧光测量[8] 来重新审视钽的这些参数。
四氯化硅中钽的反应离子蚀刻
金属结构的精确图案化在可行的金属基器件的开发中起着至关重要的作用。通过研究适当蚀刻材料层的蚀刻条件，可以进一步优化和控制蚀刻过程。这项工作报告了使用四氯化硅 (SiCl 4 )/氩 (Ar) 等离子体对钽 (Ta) 微米膜进行反应离子蚀刻 (RIE)。研究了蚀刻特性与 SiCl 4 /Ar 比率、等离子体功率和腔室压力的关系。结果发现，增加 SiCl 4 的流速或等离子体功率会导致蚀刻速率增加。此外，观察结果表明，将 Ar 的流速增加到 30 sccm 以上和将等离子体压力增加到 100 mTorr 以上是无效的。此处实施的工作代表着开发可用于广泛设备的钽基结构的重要一步。
通过加速寿命试验对固体钽电解电容器进行可靠性研究
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可控3R诱导症及其...
分层的过渡金属二分法（TMDS），不仅由多种化合物的组合，而且还具有丰富的晶体结构而爆发了许多可能性。探索新材料，确定其结构和特性一直是材料科学中的原始动机。在这里，我们报告了具有三层堆叠序列（3R）的稀有Tase 2的合成和附魔超导性。环境压力化学蒸气沉积（CVD）策略已用于实现纯3R-Tase 2。低温传输数据显示，在3R-Tase 2中，高超导过渡温度（T C）为1.6 K，这显着高于两层堆叠序列（2H，H：HEXAGONAL）相。结果表明，T C对层堆叠顺序相当敏感，并确认3R在Tase 2中的2H上强烈优选超导性。这项工作证明了一个独特的3R相平台研究超导性能的综合，并提供了有关操纵晶体结构的新见解，以访问超高t c。