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糖尿病中的人群特异性葡萄糖预测，基于变压器的深度学习边缘
摘要 - 利用连续葡萄糖监测（CGM）系统，实时血糖（BG）预测对于积极的干预措施至关重要，在增强1型糖尿病（T1D）和2型糖尿病（T2D）的管理中起着至关重要的作用。但是，开发了一种概括为人群的模型，然后将其嵌入可穿戴设备的微芯片中，带来了很大的技术挑战。此外，T2D中BG预测的结构域在发光中仍未探索。鉴于此，我们提出了一个特定于人群的BG预测模型，利用时间融合变压器（TFT）的功能根据个人人口统计数据来调整预测。然后，训练有素的型号嵌入到芯片上的系统上，这是我们的低功率和低成本定制可穿戴设备的组成部分。此设备通过蓝牙无缝与CGM系统无缝通信，并使用Edge Computing提供及时的BG预测。当对两个公开可用的临床数据集进行评估，总共有124个具有T1D或T2D的参与者时，嵌入式TFT模型始终显示出卓越的性能，与一系列机器学习基线方法相比，预测错误达到了最低的预测错误。在我们的可穿戴设备上执行TFT模型需要最少的记忆力和功耗，从而在一次LI-Poly电池充电下可以连续51天进行决策支持。这些发现证明了拟议的TFT模型和可穿戴设备的重要潜力，可以增强糖尿病患者的生活质量并有效地应对现实世界中的挑战。
Manoj Kumar 博士，理学硕士、哲学硕士、哲学博士
半导体学会（印度），注册号 -209，印度，http://www.ssi.org.in 国家热物理学会（NTPS），印度 名称列于《世界名人录》第 28 周年纪念版。 研究技能和专业知识 - 总结 19 年左右的经验，涉及重要技术电子材料（外延和多晶薄膜）的制造和特性以及设备开发：薄膜晶体管 (TFT)、非易失性存储器、发光二极管 (LED) 和光电探测器 (PD)。复合半导体纳米材料：II-VI 和 III-V（ZnO、GaN）全面的知识和专业技能 1）薄膜沉积技术：溅射、PLD、电子束蒸发器、溶胶-凝胶、ALD 和 PECVD 2）结构、光学和电学特性：XRD、AFM/SEM、TEM、PL、UV-VIS、霍尔效应等； 3）使用光刻、电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）、电子束蒸发器和剥离工艺等标准程序开发和表征 TFT、基于 TFT 的非挥发性存储器、LED 和 PD 设备；布局设计； 4）熟悉在高影响因子期刊上发表学术研究文章 研究兴趣领域：薄膜处理/纳米结构材料合成/器件制造
有机电子
5 聚合物薄膜晶体管的电气和环境稳定性 108 Alberto Salleo 和 Michael L. Chabinyc 5.1 简介 108 5.2 TFT 中的电荷捕获 109 5.2.1 一般考虑 109 5.2.2 有机晶体管中的偏置应力 111 5.3 聚芴和聚噻吩 TFT 中的偏置应力 112 5.3.1 可逆偏置应力 113 5.3.2 长寿命偏置应力 115 5.3.3 偏置应力对工作条件的依赖性；寿命预测 116 5.3.4 偏置应力的微观理论 118 5.4 化学对稳定性的影响 – 缺陷和杂质 119 5.4.1 简介 119 5.4.2 分子结构缺陷 120 5.4.2.1 合成缺陷 120 5.4.2.2 光致缺陷 121 5.4.3.1 热化学分析 123 5.4.3.2 氧 124 5.4.3.3 水 126 5.4.3.4 有机溶剂 127 5.4.3.5 无机杂质 127 5.4.3 杂质 123 5.4.4 TFT 寿命研究 128 5.5 结论 129 致谢 129 参考文献129
及时融合的基于方案的风险管理...
现代风险管理实践通常需要进行蒙特卡洛模拟，以可视化投资组合资产的未来实现。许多资产可能具有相互依存的路径，但是，将相当大的复杂性引入模拟。例如，鉴于共同行业因素，苹果和微软等公司的股票回报可能正在共同发展。目前，相互依赖性通常是通过Copulas模拟在模拟中建模的，这可能是从计算速度和平稳性假设中属于优势。代替了与Copulas的Monte-Carlo，在本文中，我们提出了一种基于注意力的模型，称为时间融合变压器（TFT）。我们表明，TFT模型可以通过在存在相互依存的因子和定性变量的情况下模拟资产的复杂动力学，从而为蒙特卡洛方法提供深度和广度等效的等效性。
平均收益 IPD 的良好无敌策略
重复囚徒困境 (IPD) 是研究理性主体长期行为的著名基准。许多著名策略都得到了研究，从简单的针锋相对 (TFT) 到更复杂的策略，如 Press 和 Dyson 最近研究的零决定因素和敲诈策略。在本文中，我们考虑所谓的无敌策略。这些策略在极限情况下的平均收益永远不会输给任何其他策略。我们对这类策略进行了简单的描述，并表明无敌策略也可以是好策略。我们讨论了它与一些重要策略的关系，并将我们的结果推广到一些典型的重复 2x2 博弈。众所周知，从实验上讲，像 TFT 这样的好策略和敲诈策略可以作为合作进化的催化剂。我们的实验表明，一些既不好也不敲诈的无敌策略也是如此。
通道宽度对顶门自我对准的Coplanar Igzo薄膜晶体管的电气性能降解的定量分析
Dong-Ho Lee 1 , Hwan-Seok Jeong 1 , Yeong-Gil Kim 1 , Myeong-Ho Kim 2 , Kyoung Seok Son 2 , Jun Hyung Lim 2 , Sang-Hun Song 1,* , and Hyuck-In Kwon 1,* Abstract —In this study, a quantitative analysis was conducted on the effects of channel width on electrical performance degradation induced by self-heating stress (SHS) in顶门自我对准的共蓝淀粉锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管（TFTS）。从SHS之前和之后获得的转移和电容 - 电压曲线，我们透露，TFT的电性能沿通道长度方向不均匀地降解，并且该降解的程度在具有较宽通道宽度的TFT中更为显着。在制成的Igzo TFT中，SHS下的阈值电压偏移（δVTh）主要归因于Igzo活性区域的浅供体状态的密度和受体样的深状态的增加，并且电子陷入了Sio X Gate Patectric中的快速和慢速陷阱。此外，我们使用基于状态δVTh Th Th的TFTs的TFTS的子仪密度来进行SHS诱导的δv Th起源于每个降解机制。尽管每种降解机制的每一个δv th都随着通道宽度的增加而增加，但增加了电子捕获到Sio X Gate中的慢陷阱
有机晶体管中降低接触电阻的批判性展望
有机半导体已用于各种电子设备，包括有机发光二极管 (OLED)、[1] 有机太阳能电池、[2] 有机光电探测器 [3] 和各种形式的有机晶体管 [4–7]。所有这些设备的根本要求是在有机半导体和电触点之间的界面上高效地注入和/或提取电荷。[8] 因此，对实现高效电荷注入/提取所需的活性材料和设备工程的广泛研究和开发对于实现 OLED 的商业化等至关重要。该领域的进展现已达到这样的程度，即与有效载流子和激子限制、能量转移、外耦合和寿命等其他方面相比，电荷注入和提取并不是限制 OLED 最新技术发展的最关键问题。 [9–12] 有机太阳能电池也是如此，最近其主要关注点和改进源泉与非富勒烯受体的开发更加紧密地联系在一起。[13] 另一方面，各类有机晶体管多年来一直被吹捧为新型大面积集成电路应用领域中基于无机半导体的晶体管的主要替代品，[14,15] 但尚未在消费电子产品中得到广泛采用。与无机晶体管相比，有机晶体管的几个缺点，例如电荷载流子迁移率通常较低、器件均匀性较差、可靠性降低[16]，随着时间的推移，这些缺点已经得到显着改善，因此现在一些利用有机薄膜晶体管 (TFT) 的商用器件已经面世。[17] 然而，接触电阻 (RC) 仍然是进一步开发基于有机晶体管的电路的主要障碍。 [18–21] 对于低功耗、高频应用（如移动有源矩阵显示器）的有机 TFT 的开发尤其如此，因为高 RC 限制了通过器件小型化可以实现的最大单位电流增益截止（传输）频率。[22] 尽管在扩展有机 TFT 的宽度和性能方面取得了重大进展，但有机 TFT 中的高接触电阻仍然是一个主要问题
基于氧化锌薄膜晶体管的多模态皮层脑电图有源电极阵列
图 2. ZnO-TFTs 阵列的电气、机械和光学特性。 (A) VD = 5V 时具有不同 W/L 比的 TFT 的传输曲线。 (B) W/L = 80/5 的 TFT 的输出特性，显示漏极电流 (ID) 与 VD 的关系，VG 从 -1 V 变化至 5 V（步长 = 1 V）。 (C) 一个阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的传输特性。红线为平均值。 (D) 来自同一阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的跨导。蓝线为平均值。 (E) ZnO-TFTs 电极在弯曲半径为 15 cm 的情况下经过 10 次弯曲循环后仍保持稳定的电气特性。 (F) ZnO-TFTs 阵列的透射光谱。插图是 3 × 4 ZnO-TFTs 阵列的光学图像，显示了其高透明度。白色框架标记电极阵列。比例尺：2 毫米。
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制