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通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
由静电掺杂驱动的单层MOTE2中的结构相变
过渡金属二盐元化（TMDS）的单层表现出许多具有不同结构，对称性和物理特性1-3的晶体相。在二维4中探索这些不同的结构阶段之间的过渡物理学可能会提供一种切换材料特性的方法，这对潜在的应用有影响。由热或化学方法5,6诱导；最近提出，通过静电掺杂对晶体相纯粹的静电控制是一种理论上的可能性，但尚未实现7,8。在这里，我们报告了单层钼二硫代硫醇的六边形和单斜阶段之间静电掺杂驱动的相变的实验证明（Mote 2）。我们发现相变显示了拉曼光谱中的滞后环，并且可以通过增加或降低栅极电压来逆转。我们还将第二谐波生成光谱与极化分辨的拉曼光谱结合在一起，以表明诱导的单斜相保持原始六边形相的晶体取向。此外，这种结构相变于整个样品同时发生。这种结构相变的静电掺杂控制为基于原子薄膜开发相变设备的新可能性开辟了新的可能性。分层TMD中通常研究的晶体形式是最稳定的六边形（2H）相。在这种情况下，如图有趣的是，实验研究报道了另一种分层晶体结构，即单斜（1T'）相。1a，每个单层由一层六角形的过渡金属原子组成，并将其夹在两个层的chalcogen原子1之间。与散装形式不同，单层2H TMD成为直接带隙半导体和断裂反转对称性，在布里远区域9,10的角落形成了不等的山谷。这种山谷的自由度，以及在低维度中的强烈激子效应，使该阶段成为二维谷LeTronics和Optoelectronics 11-13的独特平台。在这里，在每个层中，丘脑原子在过渡金属原子周围形成一个八面体配位，沿y轴14的晶格失真（图1b）。与半导体2H相不同，半金属或金属1T'单层TMDS保留反转对称性，预计将表现出非平凡的拓扑状态2,3。2H和1T'相之间过渡的动态控制可以揭示不同晶体结构的竞争，共存和合作，以及不同的物理特性之间的相互作用15。这种控制还导致广泛的设备应用，例如记忆设备，可重新配置的电路和拓扑晶体管在原子上较薄的限制为2,16,17。到目前为止，通过在500°C下的热合成进行了实验报告TMD中的2H到1T'相变（参考5），通过元素取代18和激光照射19。但是，这些相变仅在几层或
HOSTPLUS 年度报告 这是一个加分项
本报告于 2022 年 11 月发布，涵盖了 Hostplus 从 2021 年 7 月 1 日至 2022 年 6 月 30 日的运营情况。本报告中包含的信息仅作为一般建议，不考虑您的个人目标、财务状况或需求。在采取行动之前，您应该根据您的情况考虑这些信息是否适合您。在对 Hostplus 做出决定之前，请阅读相关的 Hostplus 产品披露声明 (PDS)，可在 hostplus.com.au 上找到。有关目标市场的描述，请阅读目标市场确定 (TMD)，可在 hostplus.com.au 上找到。过去的表现并不是未来表现的可靠指标，在选择超级基金时，绝不应将其作为唯一考虑因素。由 Host-Plus Pty Limited ABN 79 008 634 704、AFSL 244392 发行，作为 Hostplus 养老金基金（该基金）ABN 68 657 495 890、MySuper No 68 657 495 890 198 的受托人。
与患有Ehlers类型类型的患者的颞下颌疾病有关的治疗
与普通人群相比，在EDS的个体中，指示TMD的症状频率更高；假定这是与TMJ过度运动相关的，这是广义关节过敏的一部分[6，12，13]。TMJ功能障碍症状，例如在极端口腔张开期间的超动关节，咬入浓食物时的下颌锁定，咔嗒声，毛皮和永久的下巴锁在EDS患者中很常见[14]。TMJ功能障碍被认为与TMJ椎间盘和囊韧带附着的异常相关[15]。过度伸展后TMJ可以再次重新安置，但这可能会引起椎间盘的水泥疼痛和功能障碍，例如有限的下颌迁移率[16]。高频和长时间TMJ位错的持续时间会导致慢性疼痛评分[13]。 咀嚼性肌肉疼痛可能会导致受影响者的功能和生活质量较低[17，18]。 脊柱姿势和宫颈功能高频和长时间TMJ位错的持续时间会导致慢性疼痛评分[13]。咀嚼性肌肉疼痛可能会导致受影响者的功能和生活质量较低[17，18]。脊柱姿势和宫颈功能
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
2D过渡金属二硫化物中的高阶谐波生成
在本文中，我们探讨了MOS 2和WS 2 2D单层的能力，可通过产生高阶谐波在Terahertz范围内产生辐射。这种现象是通过基于Monte Carlo方法的粒子集合随机模拟方法研究了电子载体种群对应用电场的非线性响应的结果。对电场振幅，外部温度和激发频率进行了研究，研究了产生的谐波信号的功率。此外，模拟工具的随机性使得可以从扩散状态的固有载流子速度波动带来的背景光谱噪声中辨别出纯粹的离散谐波信号，从而允许设置带宽阈值以进行谐波提取。发现，与低温下的IIII-V半导体相比，两个TMD都显示出相似的阈值带宽，而WS 2将是迄今为止MOS 2的更好选择，用于利用7次和第9次谐波。
来自二维材料的可调谐单光子发射器...
量子通信背景：二维材料中的单光子发射器 (SPE) 已成为量子技术和量子通信的有前途的平台。这些发射器能够产生单个光子，这对于安全通信、量子计算和其他需要操纵量子态的应用至关重要。过渡金属二硫属化物 (TMD) 等二维材料由于其原子级薄性质、强激子效应以及与其他量子器件集成的潜力，为实现 SPE 提供了独特的环境。在这些材料中，缺陷、应变和局部激子可以捕获电子和空穴，从而导致单光子的发射。此外，二维材料提供可调的电子和光学特性，可以更好地控制发射特性，例如波长和偏振。此外，基于二维材料的 SPE 的可扩展性和与现有光子和光电器件的集成使其成为未来量子技术的有力候选者。
配方奶学生西班牙竞赛规则2024
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半导体过渡金属元素元素中的泵驱动的光磁特性：分析模型
半导体过渡金属二盐元素（TMDS）MX 2（M = MO，W; X = S，SE）的家族作为未来技术应用的最有希望的平台之一[1-4]。这些材料的确是存在许多自由度的特征（电荷，旋转，山谷，层，晶格，。。。），互相纠缠[5-11]，开放了通过外部磁或电场以受控，灵活和可逆的方式调整电子/光学/磁/传输特性的可能性。在单层级别隔离时，这些化合物在布里渊区的高对称点K，k'的山谷中呈现直接带隙，如光致发光探针所示[5,7,12-12-15]。与石墨烯中一样，蜂窝状晶格结构反映在特殊的光学选择规则中，该规则在圆形偏振光下诱导给定山谷中有选择性的频带间光学转变。这种情况提示了“ Valleytronics”的概念，即在单个山谷中选择性地操纵自由度的可能性[13，14]。在单层化合物中广泛探索了TMD中的这种光敏性[2，4，8，16 - 30]。一种常见的工具是观察光学二色性，即左手或右圆极化光子上的不同光学响应。这些化合物相对于石墨烯的一个显着差异是存在强的自旋轨道耦合，该耦合提供了价带的相当大的自旋分解。在这种情况下，循环极化的光不仅与给定山谷有选择地结合，而且还与给定的自旋连接，在传导带中产生自旋偏振电荷，以及价带中的相反旋转电荷[4、8、8、16-23、26、26、26、27、29、29、31-36]。可以通过观察有限的Kerr或Faraday旋转来方便地研究光线和自旋种群之间的纠缠[37-39]。这些效应表明样品中存在固有磁场的存在，在单层TMD中，它们可以自然触发，这是由于圆形极化泵的结果[40]，