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沉积WS2
摘要：过渡金属二核苷（TMDS）吸引了广泛的各种设备应用的研究兴趣。原子层沉积（ALD）是一种CMOS兼容技术，可以使8至12英寸的高质量TMD纤维制备。用于大规模电路集成的晶圆。但是，ALD增长机制仍然尚未完全理解。在这项工作中，我们系统地研究了WS 2的生长机制，并发现它们与成核密度和纤维厚度有关。透射电子显微镜成像揭示了不同生长阶段下侧向和垂直生长机制的共存和竞争，并且获得了每种机制的临界厚度。当膜厚度保持小于5.6 nm（8层）时，平面内侧生长模式主导，而当厚度大于20 nm时，垂直生长模式占主导地位。从对这些生长机制的最终理解中，膜沉积的条件得到了优化，最大晶粒尺寸为108 nm。WS 2-基于效应的晶体管分别用电子迁移率和/o效率比分别为3.21 cm 2 v -1 s -1和10 5。，这项工作证明了TMDFIFM在晶状体尺度上具有出色的厚度和形态可控性的能力，从而使除晶体管以外的许多潜在应用，例如基于纳米或纳米丝的超级电容器，电池，传感器和催化。关键字：过渡金属二盐元化，原子层沉积，晶圆尺度，ws 2，fie fief-ect-exect transistors■简介
补充材料
在本节中，我们将研究对Sidis喷气生产的横截面生产的虚拟校正，考虑到三个主要目标：（i）为选择结果定义的（强大）依赖性（强）依赖于上一节所总结，（ii）证明了与tmd per the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the per the perifient in the per the the the perifient的限制（ii）。 （等效地，这是聚类条件B，等式（18）在当前材料中，选择β= 0），（ii）确定等式中显示的虚拟校正结果。（12）在字母中，确实与上面（ii）上提到的“物理”喷射定义相对应。我们回想起射流定义与TMD分解之间的兼容性至关重要，以确保忠实地测量的射流结构在扰动理论中忠实地测量了QCD过程的党派图片，包括自然的parton虚拟性。在我们进行之前，重要的是要强调，从图表的角度来看，我们感兴趣的“虚拟纠正”不仅包括真正的虚拟图（对振幅的一环校正），而且还包括现实的校正，还包括nlo恢复的一部分 - 涉及三个参与者（一个三个党派）（一个均匀的派别）如果Gluon射流与夸克射流没有很好地分开（这意味着Quark和Gluon由Jet算法组合在同一喷气机中）。这对于当前目的很重要，因为这种（可能的）实际NLO更正是唯一对实际
980系列48G视频分析仪/发电机模块...
•数据分析（音频，视频，数据岛） - 980将捕获所有音频数据包，视频数据和数据岛，时机数据和辅助数据，并将其显示为固定费率链接（FRL）数据包。•固定费率链接（FRL）数据分析 - 980将捕获固定速率链接（FRL）数据，并显示基础的TMDS数据元素。•TMDS数据分析 - 980只会捕获数据岛和视频帧。•协议分析 - 980将捕获TMD和固定速率链接（FRL）协议数据，例如序言和后卫频段数据。
位置描述
研究活动的描述： - TMD中的准2D超导性的研究以及在超导导体的集体模式的NBSE2和NBS2的薄层中观察到的自旋轨道耦合和单旋转旋转旋转的效果。-Calculation of Raman response functions and THz optical conductivity of thin layers of TMDs in the presence of a current flow -Investigation of strong and ultra-strong coupling of collective modes of a quasi-2D superconductor to THz metamaterials, assessing the possibility of a "Higgs polariton" condensate and other exotic phases.
Manodipan Sahoo博士的出版物清单，IIT（ISM）电子工程系副教授，Dhanbad
网页：https：//sites.google.com/view/nanolab-iitdhanbad书籍和书籍章节：1。在兰伯特学术出版商（2019）中出版了一本关于“ CNT和GNR互连的建模和模拟”的书。2。在IET书籍中发表了一章，上面有关“对未来VLSI电路应用的建模互连”，标题为“ VLSI和CMOS Electronics：设备，电路和互连”（2019年），DOI：10.1049/PBCS073G。3。在题为“下一代集成电路设计的纳米互连材料和模型”的书中发表了一章，上面写着“混合铜碳作为互连材料及其互连模型”（CRC Press，2023年）。国际期刊：J26。S. Bardhan，M。Sahoo，J。Samanta和H. Rahaman，“短通道单层单层石墨烯场效果晶体管的准核糖模型”，包括散射效果”，IETE Research Journal，Taylor和Francis Publishers，2024年，DOI：10.1080/03770/037772063.202244.244.2444。J25。 N. K. Singh和M. Sahoo，“对TMD Tunnel FET中不同掺杂技术的比较研究，用于子Deca纳米技术节点”，《电子材料杂志》，5月，2023年，doi：10.1007/s11664-023-1023-10505-8，链接：J25。N. K. Singh和M. Sahoo，“对TMD Tunnel FET中不同掺杂技术的比较研究，用于子Deca纳米技术节点”，《电子材料杂志》，5月，2023年，doi：10.1007/s11664-023-1023-10505-8，链接：
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RSC 进展 - 回顾
3此外，与块体材料相比，单原子层状二维纳米片具有更大的表面积、线性能带结构和增强的量子耦合效应，4,5因而具有高迁移率、金属性、狄拉克-费米效应等电子特性和电导率（包括交流电导率、直流电导率、光导率和超高热导率）、优异的柔性和高机械韧性等机械特性以及电导率等磁性特性。6,7这些特性使得二维纳米片在储能、自旋电子学、光子学、电子学、传感、生物医学等领域具有潜在的应用。8,9图 1（a）中所示的其他二维化合物包括过渡金属二硫属化合物（TMD）、10,11
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
过渡金属碳 - chalcogenides
发现石墨烯对2D材料引起了极大的兴趣，该材料呈现出具有高各向异性和可调节能带结构的超薄分层结构。有趣的是，它为开发2D材料家族的开发打开了大门，其中包括不同类别的2D材料。在其中，出现了过渡金属二甲化合物（TMD）和过渡金属碳化物MXENES（TMC）。tmds具有独特的分层结构，低成本，由地球丰富的元素组成，但是它们的电子电导率差，循环性较差，其在电化学测量过程中的结构和形态变化阻碍了其实际使用。最近，TMC MXENES在2D材料世界中引起了人们的关注，但是重新打包和聚合的问题限制了它们在大规模的能量转换和存储中的直接使用。为了应对这些挑战，基于导电TMCS MXENES和电化学活性TMD的杂种结构已成为有前途的解决方案。但是，了解异质结构材料中的固体/实心界面仍然是一个挑战。为了解决这个问题，高容量，低扩散屏障和良好的电子结构率的2D单个成分晶体非常寻求。过渡金属碳 - chalcogenides（TMCC）的出现提供了潜在的解决方案，因为这些2D纳米片由TM 2 x 2 C组成，其中TM代表过渡金属，X是S或SE和C原子。这种新的2D材料类是一种补救措施，避免了与异质结构中经常遇到的固体/实心接口相关的挑战。本综述着重于TMCC的最新发展，包括它们的合成策略，表面/接口工程以及电池，水分拆分和其他电催化过程中的潜在应用。还讨论了TMCC设计对电化学能量转换和存储的挑战和未来观点。
二硫化钼中纳米片和纳米花的抗菌活性：综合综述
与传统抗生素不同，由 2D 纳米材料制成的抗菌剂可以以较少的量使用，从而降低副作用和耐药性问题的风险。由于 MoS 2 等 TMD 具有移动性、稳定性、价格合理、与身体相容性、多功能性和易于生产等特点，它们在医学领域对抗癌症和细菌方面显示出良好的前景 [11]。研究人员正在探索 MoS 2 的各种应用，包括增强性能、医疗用途和电子产品。虽然 MoS 2 纳米材料具有显着的属性，但如果不进行适当修改，则在医学中使用它们会受到限制。通过加入其他功能来增强 MoS 2 可以扩展其潜在应用。此外，将 MoS 2 与其他抗菌材料结合可以大大提高其有效性 [12]。