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二维范德华与三维常规超导体之间的超导接触与量子干涉
原子级厚度的二维 (2D) 过渡金属二硫属化物 (TMD) 超导体能够实现均匀、平坦和干净的范德华隧穿界面，这促使它们被集成到传统的超导电路中。然而，必须在 2D 材料和三维 (3D) 超导体之间建立完全超导接触，才能在这种电路中采用标准微波驱动和量子比特读出。我们提出了一种在 2D NbSe 2 和 3D 铝之间创建零电阻接触的方法，这种接触表现为约瑟夫森结 (JJ)，与 3D-3D JJ 相比具有更大的有效面积。由 2D TMD 超导体形成的器件受到薄片本身的几何形状以及与块体 3D 超导引线的接触位置的强烈影响。我们通过金兹堡-朗道方程的数值解提出了 2D-3D 超导结构中超电流流动的模型，并与实验结果非常吻合。这些结果表明我们向新一代混合超导量子电路迈出了关键一步。
冰箱温度记录 – 摄氏度 - C
CDC 建议使用数字数据记录器 (DDL) 来监测疫苗温度。使用 DDL 或其他适当的温度监测设备 (TMD)，使用以下选项之一检查并记录每个工作日的存储单元温度。每月的日志保存 3 年，除非州/地方司法管辖区要求更长的时间。
ReS2 中堆叠顺序驱动的光学特性和载流子动力学
外场的电子屏蔽[1]、拉曼振动[2]和电子传输。[3]然而，在过渡金属二硫属化物 (TMDs) 这一丰富的二维半导体家族中，堆垛序的影响很少被探索，[4,5] 尽管第一性原理计算表明堆垛序驱动价带分裂和激子结合能变化。[6]TMD 拥有许多有趣的量子现象，可用于新型电子器件。[7–9] ReS 2 是 TMD 中的一颗新星，近年来备受关注。ReS 2 具有扭曲的 1T 三斜晶体结构，其中 Re 原子的额外 d 价电子形成与 b 轴平行的锯齿状 Re 链，大大降低了其对称性。尽管自 1997 年起人们就开始研究块体 ReS 2 的性质[10–21]，但对二维 ReS 2 的研究直到 2014 年左右才开始兴起。[22] 与其他 TMD 相比，ReS 2 的层间耦合要弱得多。[22] ReS 2 的独特之处在于其面内各向异性性质，这早在 2001 年就已在块体中得到证实。[15] 在二维 ReS 2 中，观察到的性质包括偏振相关的激子[23,24]、非线性吸收[25]、电子传输和 SHG 发射[26,27]等。比较
Motruk，Johannes等。 kagome手性旋转液体中的过渡金属二分法莫伊尔双层。在：物理审查研究，2023年，第1卷。 5，n°2， 2H- ... 中的结构相变和超导性 新辅助化学免疫疗法，用于早期非... 新颖的β-... 的档案欧弗特unige unige in-vitro活性 PTPN2删除的成人和小儿T细胞的临床和生物学特征 微生物群体驱动的疗法发生 - 与内存功能有关的全身细胞因子6-9个月... 磁对撞机的磁铁 - 需要和计划 内皮细胞转录的见解
简介。最近的Moiré材料激增已大大扩大了具有强相关电子的实验平台的数量。虽然相关的绝缘状态和扭曲双层石墨烯中的超导性[1-4]的超导能力启动，但过渡金属二分法（TMD）材料的双层中电子相关性的强度超过了石墨烯cousins中的材料[5]。在TMD中进行的实验揭示了Mott绝缘子的特征[6-10]，量子异常的霍尔效应[11]和 - 在杂词中 - 分数纤维上的莫特 - 木晶体[7，12-16]。当电子电荷定位时，只有自旋程度仍然存在，并且在最近的实验中开始研究TMDMoiréBiLayers中的杂志[17-19]。Heterobilayers在三角形晶格上意识到了一个诱导的Hubbard模型[20-23]，因此，局部旋转非常沮丧。这种挫败感可能会导致旋转液相，这是一种异国情调的物质，其物质实现一直在寻求[24，25]。在这封信中，我们表明n =±3 /4的通用Mott-Wigner状态报告了WSE 2 / WS 2双层[12，13]的填充状态，可以实现手性旋转液体[26，27]和Kagome Spin液体（KSL）[28-33]。在这种特殊的填充下，电子位于有效的kagome晶格上，该晶格以其高度的几何挫败感而闻名。TMD双层的可调节性 - 更换扭曲角度，栅极调整，材料在这里，我们证明了现实的模型参数如何导致该kagome晶格的有效自旋模型，并使用广泛的最新密度矩阵构造组（DMRG）模拟研究模型[34，35]。
膀胱癌治疗免疫疗法的最新进展
颞下颌疾病（TMDS）是影响颞下颌关节（TMJ），咀嚼肌肉和相关结构的普遍状况，导致疼痛，受限运动和关节噪声。这些疾病的起源是多因素，涉及结构，功能和心理成分。本综述深入研究了TMD中疼痛感知的神经生理机制，重点是外周和中心过程，包括神经可塑性在慢性疼痛中的作用。外围机制涉及TMJ中的伤害感受器，被炎症介质，机械应力和组织损伤激活，导致疼痛。由细胞因子和神经肽等因素驱动的外周敏化，增强了伤害感受器的敏感性，导致了慢性疼痛状态。三叉神经在向中枢神经系统（CNS）传输伤害性信息方面至关重要，c纤维和a- delta纤维参与疼痛感知。中央敏化是TMD的慢性疼痛的标志，涉及中枢神经系统的神经塑性变化，包括发条和长期增强（LTP），增强了疼痛感知并促进疼痛持久性。神经可塑性，无论是中央还是周边，在慢性疼痛的发展中起着至关重要的作用。中央可塑性包括突触变化和大脑连通性的改变，这在TMD患者的功能成像研究中观察到。外周可塑性涉及离子通道和神经递质的上调，以维持疼痛信号。此外，小胶质细胞，星形胶质细胞和疼痛途径之间的神经免疫性相互作用是中央敏化不可或缺的。了解这些机制对于开发针对周围和中心疼痛过程的有效治疗至关重要。新兴疗法，包括瞬态受体电位（TRP）通道阻滞剂和神经免疫调节剂，为管理TMD疼痛提供了新的途径，强调需要采用多方面治疗方法。
![arxiv：2501.02996v2 [cond-mat.mes-hall] 2025年1月8日](/simg/g:\will\search\icon\source\7\760d8454e06f11ad30abd69d2a84d33ee046b2b0.webp)
arxiv：2501.02996v2 [cond-mat.mes-hall] 2025年1月8日
在使用量子动力学理论的短距离疾病的情况下，研究了双层过渡金属二核苷（TMD）中固有和外在轨道霍尔的效应（OHE）。bi-layer TMD提供了一个理想的平台，可以研究由于其独特的结构和电子特性，因此在转移特性上破坏了反转对称性。虽然双层TMD自然反转对称，但使用有限的栅极电压来在层之间产生偏置，从而破坏了这种对称性。我们的发现表明，远离带边缘，extrinsic ohe成为反与对称和不对称情况的主要贡献，其突出性随着费米能量的增长而显着增加。此外，我们证明打破反演对称性大大增强了外部OHE。这种增强源于中心对称系统中轨道角动量（OAM）的根本不同的行为，在该系统中，由于对称性约束，内标成分消失了。因此，在trosymmortric系统中，密度矩阵的对角线成分仅有助于外部OHE。相比之下，在非中心对称系统中，对角线和对角线成分都起作用。我们的研究表明，在实验相关的，高度掺杂的系统中，OHE本质上是外在的，无论该系统是中央对称还是非中心对称。重要的是，我们推断，即使是反演对称性的微弱破裂也会导致OHE的戏剧性增强，这是对实验研究的明显影响。
通过质子交换预处理实现 HxCrS2 的高容量和快速 Na+ 扩散
C /2 倍率下。 [5] 已证明，添加 FEC 的 Sn4P3 具有比锑 (718 mAh g −1) 更高的容量，尽管倍率较低，约为 C/10。 [6] 许多过渡金属氧化物和硫化物也因其高循环稳定性而被研究。与 Na2O 相比，硫化物电极转化为 Na2S 的可逆性更好，因此人们对其兴趣日益浓厚。[7–9] 这些电极有望实现高容量，但由于循环过程中体积膨胀，库仑效率低。 [5] 我们通过预处理来避免这种膨胀，形成限制体积变化的新相。过渡金属二硫属化物 (TMD) 如 TiS2 ，是锂离子电池初期开发过程中最早作为插层正极研究的材料之一。 [10] 客体离子与硫族化物发生转化反应形成 A2X（A=Li、Na；X=S、Se、Te），导致体积膨胀，限制容量。[11–14] 然而，客体与硫族化物主体之间较大的间隙体积和较弱的静电相互作用仍然是使用 TMD 电极的优势，尤其是在超锂离子电池的开发中。[15] 与氧化物相比，过渡金属硫化物中的钠电荷存储动力学有所改善，因此研究工作取得了进展。[7] 范德华 CrS2 被预测为 Na 和 Mg 的良好插层主体，它可以避免困扰 TMD 电池的副反应，但尚未分离为体相。[7,16]
通过子频带光吸收
抽象过渡金属二甲化合物（TMD）分层半导体在光子，电子，光电和传感器设备的设计中具有巨大的潜力。然而，从近红外（NIR）到短波长红外（SWIR）的TMD的子频率光吸收不足以超出带隙极限。在此，我们报告说，MOS 2 /AU异质结构的子频率光响应可以通过所采用的电极制造方法进行牢固调节。我们在MOS 2 /AU异质结构中观察到多达60％的亚带gap吸收，其中包括杂交界面，其中通过溅射沉积应用了AU层。sub-Bandgap光的吸收大大增强是由于MOS 2和AU形成的平面腔。因此，可以通过改变MOS 2层的厚度来调整吸收光谱。在SWIR波长范围内的光电流增加，由于吸收增加而增加，这意味着可以从可见到SWIR的宽波长检测。我们还以1550 nm的激发波长达到了快速的光响应（〜150 µs）和高响应性（17 mA W -1）。我们的发现展示了一种使用金属电极工程的光学性质调制方法，并在宽带2D材料中实现SWIR光电进行。
Janus 铬二硫族化合物中的无场自旋轨道扭矩切换
摘要：我们预测磁性铬基过渡金属二硫属化物 (TMD) 单层在其 Janus 形式 CrXTe（其中 X = S、Se）中具有非常大的自旋轨道扭矩 (SOT) 能力。Janus 结构固有的结构反演对称性破坏导致巨型 Rashba 分裂产生较大的 SOT 响应，相当于在非 Janus CrTe 2 中施加 ∼ 100 V nm −1 的横向电场所获得的响应，这完全超出了实验范围。通过对精心推导的 Wannier 紧束缚模型进行传输模拟，发现 Janus 系统表现出与最有效的二维材料相当的 SOT 性能，同时由于其平面内对称性降低，还允许无场垂直磁化切换。总之，我们的研究结果表明，磁性 Janus TMD 是超紧凑自感应 SOT 方案中终极 SOT-MRAM 设备的合适候选者。关键词：自旋轨道扭矩、过渡金属二硫属化物、二维材料、范德华铁磁体