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![arxiv：2406.13102v1 [cond-mat.supr-con] 2024年6月18日](/simg/g:\will\search\icon\source\7\7b0c08feb49c782fadd5e72f1e751d8cefcbe510.webp)
arxiv：2406.13102v1 [cond-mat.supr-con] 2024年6月18日
测量被困的（remanent）磁矩M陷阱（H），当在超导导向过渡温度下方冷却下方的小磁场H之后，在零磁场中冷却后，在冷却后上下倾斜磁场时，将磁场上下倾斜时，在困难的小样本中提供了相关的液态，并在零磁场中提供了很大的益处。 （UHTS）。直到最近，由于所涉及的物理学的简单性，对于众所周知的临界状态模型，还不需要在被困的磁通量上单独的纸张。但是，最近的出版物表明需要进行这种分析。本说明总结了具有恒定临界电流密度的Bean模型的期望，并且具有与场相关的临界电流的KIM模型。表明，如果将被困的力矩拟合到功率定律，m trap ∝hα，则固定指数α= 2对于bean模型来说是精确的，而KIM模型显示了可能值的很大的间隔，2≤α≤4。此外，考虑可逆磁化的考虑将可能的指数的范围扩展到1≤α≤4。此外，撤电因子至关重要，并且即使在各向同性材料中也使捕获的力矩方向取决于。作为一种具体的应用，可以通过这种广义方法很好地描述了在H 3 S UHTS化合物上进行的通量捕获实验，从而对II型在超高压力下H 3 s的超导性质提供了进一步的支持。
通过测量捕获离子运动退相干...
被捕获的离子可以通过用激光激发其内部电子态形成有效的量子二能级系统，从而充当有前途的可扩展量子比特，而离子在谐波势阱中的量化运动状态使我们能够通过库仑力与相邻离子相互作用。因此，高保真操作需要精确了解系统的运动退相干时间，即离子的运动状态不再可靠地被知道或不再能被控制的时间。现有的运动相干性测量通过将运动状态与激光驱动的内部跃迁耦合来间接控制和测量运动状态，因此，它们可能容易出现电子状态退相干和激光幅度或频率波动。在本论文中，我们应用了之前提出的直接电场操纵被捕获离子运动相干态的机制，在一种新的自由进动序列中测量运动相干时间。该序列由连续谐振子相空间中两个相位差可变的相干位移组成，由可变的延迟时间分隔。在 4 开尔文的超高真空室中，使用位于铌表面电极阱上方 50 微米处的锶-88 + 离子，我们测量了 (24 ± 5) 𝑠 − 1 的运动退相干率。该测量速率与系统的预期退相干率相匹配，其中捕获离子加热在幅度上超过其他形式的退相干，这很可能是我们系统的情况。
基于 MEMS 的微离子阱阵列用于量子模拟缩放
桑迪亚国家实验室的线性离子阱芯片采用金属 MEMS 工艺进行微加工。平面金属阱电极（W 表面涂有 Au）和穿过 Si 基板的孔定义了捕获区域，并允许激光以 3D 光学方式访问在孔上纵向延伸的 RF 引线之间捕获的离子。孔边缘的控制电极定义了七个捕获段。空气桥接金属引线减少了电容和 RF 耗散到基板。捕获离子图像来自上面显示的 ITC。
利用电磁感应透明三脚架方案实现大型捕获离子链的高效基态冷却
将机械振荡器用激光冷却到其运动基态是量子计量、模拟和计算领域的一个持续研究方向[1-4]。特别是，将单个原子定位到远低于光波长（“Lamb-Dicke”机制）是实现原子系统高保真量子控制的先决条件[1,5]。在大的捕获离子晶体中，量子纠缠门利用离子的集体运动[6,7]。这种运动必须在基态附近制备，冷却过程与耦合到环境的加热相竞争[8,9]。因此，开发新方法来实现所有运动模式的高带宽和快速冷却至关重要，这些运动模式用作量子信息处理的量子总线。解析边带冷却（RSC）是冷却机械振荡器的通用工具，对于捕获离子，它是冷却到基态的标准方法[1,10-12]。然而，RSC 时间通常随着振荡器的总质量或链中捕获离子的数量线性增长。通过实施具有单离子寻址的并行 RSC 策略，可以改善大型链的这种缩放比例 [13] 。捕获离子和原子的电磁诱导透明 (EIT) 冷却是另一种众所周知的基态冷却方法 [14 – 20] 。它利用三能级 Λ 系统中的量子干涉 [21] 来创建针对原子运动量身定制的可调窄光谱特征，以实现高效冷却。应用于捕获离子，EIT 冷却允许在很大一部分运动光谱上同时进行基态冷却，而无需单离子寻址 [22 – 24] 。EIT 冷却在简单的三能级系统之外的扩展已经激发了一些理论 [25 – 27] 和实验 [28 – 30] 研究。这种扩展对于量子
矩形Y-BA-CU-O块的脉冲场磁化，单粒超导体
机器，磁共振成像（MRI）和核磁共振（NMR）。我们报告了由两个矩形Y-BA-CU-O（YBCO）散装单晶粒组成的大容量组件的脉冲场磁化（PFM）的系统研究，并在各种温度下紧邻。由数值分析支持的磁通量密度的动态变化的测量结果表明，脉冲场兴起的诱导筛选电流可能会大大增强连接处的区域的磁通密度，从而导致不均匀的通量渗透，并增加了该区域磁通量的增加。场和电流之间的这种耦合可促进磁通量穿透，并将峰值捕获的场从3.01 t提高到散装单晶粒的3.01 t到30 K时的大容量组件的3.11 t，从而将磁化效率从80％提高到90％。通过使用两步的多脉冲PFM工艺，单个散装单粒和散装组件的峰值捕获场分别为单个散装单粒和散装组件进一步增强至3.39 t和3.31 t。关键字：通量跳跃，高温超导体，磁通量繁殖，捕获的场磁铁1。简介
通过单个 Landau-Majorana-Stückelberg-Zener π/2 脉冲在量子比特链中生成 Greenberger-Horne-Zeilinger 态
N 量子比特系统的多体纠缠态。我们在本文中提出的实验方案基于一个新的可精确解的时间相关 N 量子比特模型。[33] 参考文献 [33] 具有更多的推测性，它的范围集中在一个时间相关的多体自旋模型的呈现上，该模型主要侧重于 N 量子比特之间设计的 N 向耦合的特性。在本文中，我们使用一个时间相关的模型，该模型经过量身定制，可以牢牢锚定在最适用于量子信息和计算的两个最突出的物理系统上：囚禁离子和超导量子比特。事实上，该模型的设计首先考虑了所有完善的协议，用于有效地再现涉及系统所有量子位的 N 体相互作用（ N 向相互作用），无论是在囚禁离子 [34,35] 还是超导量子位系统 [36] 中；其次，能够在超导量子位的情况下仅执行单量子位操作 [36]，并在囚禁离子的情况下通过扫描隧道显微镜 (STM) 技术，原则上随意将有效的时间相关场施加到一个量子位上。[37–39]
不同温度下 EEPROM 耐久性下降
在第二部分中，我们描述了 EEPROM 模拟结构并提供了校准方法，从而得出与实验结果高度一致的预测编程窗口。第三部分重点介绍耐久性，即在两种编程状态不再可区分之前可以承受的写入/擦除循环次数。通过在隧道体氧化物中插入负捕获电荷，可以重现实验编程窗口关闭。为了支持这种方法，我们表明总捕获电荷密度遵循常用的幂律 [6]。作为实际应用，我们建议使用此预测 TCAD 模型大幅缩短实验循环测试时间。最后，在第四部分中，我们展示了如何扩展此模型以包括高温对编程窗口关闭的影响。
脑损伤后的数值认知：亚列表和算术能力之间是否存在关系？
被困的离子提供了具有非常长的连贯时间的量子，可以用高填充性初始化，操纵，纠缠和读出[25-30]。更重要的是，被困的离子很容易与光场相互作用，在其电子状态（固定量子存储器 - 固定量子内存）和光子 - “浮动”量子信息载体之间提供了自然接口[31]。包含一个sin- gle物种的一个量子的被困的离子网状节点已通过光子链接连接，用于执行铃铛测试[7]，状态传送[18] [18]，随机数生成[19]，量子密钥分布[21]和频率比较[22]。捕获的离子系统也证明了最新的单一和双Quibent Gate有限量，但是将它们集成到量子网络节点中仍然是一个挑战，因为适合量定通信的离子物种不一定还可以提供具有与网络活动的良好隔离的良好的存储量值。原子种（例如133 ba +或171 yb +）已被提议绕过这一问题[26，32]，但是，所需的实验技术的发展仍在进行中。neverthe，每个角色都有可能被不同的物种填补[33]。此外，使用多种原子物种具有最小化串扰的优势，可以在中路测量和冷却[34]中最小化串扰[34]。