机构名称：
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在第二部分中，我们描述了 EEPROM 模拟结构并提供了校准方法，从而得出与实验结果高度一致的预测编程窗口。第三部分重点介绍耐久性，即在两种编程状态不再可区分之前可以承受的写入/擦除循环次数。通过在隧道体氧化物中插入负捕获电荷，可以重现实验编程窗口关闭。为了支持这种方法，我们表明总捕获电荷密度遵循常用的幂律 [6]。作为实际应用，我们建议使用此预测 TCAD 模型大幅缩短实验循环测试时间。最后，在第四部分中，我们展示了如何扩展此模型以包括高温对编程窗口关闭的影响。
不同温度下 EEPROM 耐久性下降
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