XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemtrichalcogenides
准二维范德华过渡金属trichalcogenides
过渡金属三卡构基化（TMTC）是准二维（1D）MX 3-Type van der wa wa waals分层半导体，其中M是IV和V组的过渡金属元素，X表示chalcogen元素。由于独特的准1D晶体结构，它们具有多种新型的电气特性，例如可变的带镜，电荷密度波和超导性，以及高度各向异性的光学光学，热电和磁性。TMTC的研究在1D量子材料字段中起着至关重要的作用，从而在材料研究维度中实现了新的机会。目前，已经在材料和固态设备方面取得了巨大进展，证明了在实现纳米电子设备中的有希望的应用。本评论提供了一个全面的概述，以根据TMTCS调查材料，设备和应用程序的最新技术。首先，已经讨论了TMTC的符号结构，当前的主要合成方法和物理特性。其次，提出了各个领域中TMTC应用的示例，例如光电探测器，储能设备，催化剂和传感器。最后，我们概述了TMTC研究的机会和未来观点，以及基础研究和实际应用中的挑战。
通过原子层取代调整二维过渡金属磷三硫属化物中的自旋波
摘要 二维 (2D) 范德华过渡金属磷三硫属化物家族由于其固有的 2D 反铁磁性而重新引起了人们的关注，这证明它们是单层极限下自旋电子学和磁子学中前所未有且高度可调的构建块。在此，受 Janus 过渡金属二硫属化物中表现出的原子取代潜能的启发，我们从第一性原理研究了基于 MnPS 3 和 NiPS 3 的硒化 Janus 单层的晶体、电子和磁性结构。此外，我们计算了磁振子色散并进行实时实空间原子动态模拟，以探索自旋波在 MnPS 3 、NiPS 3 、MnPS 1.5 Se 1.5 和 NiPS 1.5 Se 1.5 中的传播。我们的计算预测磁各向异性将大幅增强，并会出现较大的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用，这是由于 2D Janus 层中诱导的反演对称性破缺所致。这些结果为开发 Janus 2D 过渡金属磷三硫属化物铺平了道路，并凸显了它们在磁子应用方面的潜力。
1二维石墨烯状的Beo片
trichalcogenides（例如SNP 2 S 6 [20]，SNP 2 SE 6 [21]，CUCRP 2 S 6 [22]，Cuinp 2 S 6 [23]），金属氧化物二甲替代
从绝缘体到超导体
摘要：过渡金属trichalcogenides（TMTC）通过修改化学成分，温度和压力来调整电子状态的机会。尽管对TMTC有很大的兴趣，但仍然存在有关其电子性质在压缩下的演变的显着知识差距。在这项研究中，我们采用实验和理论方法来全面探索跨各种温度范围TIS 3（准中二维（Q1D）半导体）的电子特性的高压行为。通过高压电阻和高压压力下的磁性测量，我们发现了TIS 3内的独特相变序列，包括从环境压力下的绝缘状态转变为在70 GPA以上的临时超导状态的出现。我们的发现提供了令人信服的证据，表明〜2.9 K的低温下的超导性是TIS 3的基本特征，这为TIS 3的有趣的高压电子特性提供了新的启示，并强调了我们对TMTC的更广泛含义。关键字：超导性，准二维材料，过渡金属三卡构基化，压力，晶体结构，相变
化学蒸气中的异常重掺杂...
纳米级过渡金属三卡构基化金属元素（TMTC）（例如TIS 3）对基本研究和应用开发都显示出很大的潜力，但是他们的自下而上的合成策略仍应实现。在这里，我们探索了TIS 3的化学蒸气沉积（CVD）合成，其晶格各向异性使B轴的优先生长使矩形纳米片或纳米虫具有具有生长温度可调节的长宽比的矩形纳米片或纳米骨。获得的纳米结构，同时保持光谱和结构特性，如原始的半导体TIS 3的特性，表现出较高的电导率和超低载体激活屏障，这是纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD生长的TIS 3中存在S 2 2-空缺，导致重型N型掺杂到退化水平。此外，预计将半导体特性通过从环境中用氧原子钝化S 2 2-空位来恢复。这项工作因此预示着使用缺陷工程的三卡氏菌元素半导体构建纳米级电子的诱人可能性。
化学气相沉积三硫化钛纳米结构中的异常重掺杂
纳米级过渡金属三硫属化物如 TiS 3 在基础研究和应用开发方面都表现出巨大的潜力，但它们的自下而上的合成策略尚未实现。在这里，我们探索了 TiS 3 的化学气相沉积 (CVD) 合成，其晶格各向异性使得其能够沿 b 轴优先生长，从而得到长宽比可通过生长温度调节的矩形纳米片或纳米带。所获得的纳米结构在保持与原始半导体 TiS 3 一样的光谱和结构特征的同时，表现出高电导率和超低载流子活化势垒，有望作为纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD 生长的 TiS 3 中 S 2 − 2 空位的存在是造成重 n 型掺杂直至简并能级的原因。此外，预计通过用环境中的氧原子钝化 S 2 − 2 空位可以恢复半导体性能。因此，这项工作预示着利用缺陷工程三硫属化物半导体构建纳米级电子器件的诱人可能性。