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摘要:过渡金属trichalcogenides(TMTC)通过修改化学成分,温度和压力来调整电子状态的机会。尽管对TMTC有很大的兴趣,但仍然存在有关其电子性质在压缩下的演变的显着知识差距。在这项研究中,我们采用实验和理论方法来全面探索跨各种温度范围TIS 3(准中二维(Q1D)半导体)的电子特性的高压行为。通过高压电阻和高压压力下的磁性测量,我们发现了TIS 3内的独特相变序列,包括从环境压力下的绝缘状态转变为在70 GPA以上的临时超导状态的出现。我们的发现提供了令人信服的证据,表明〜2.9 K的低温下的超导性是TIS 3的基本特征,这为TIS 3的有趣的高压电子特性提供了新的启示,并强调了我们对TMTC的更广泛含义。关键字:超导性,准二维材料,过渡金属三卡构基化,压力,晶体结构,相变

从绝缘体到超导体

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