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在电信频谱中施加了氮氧化铝波导，小于0.16 db/cm损失Radhakant Singh，1,2 Mohit Raghuwanshi，3 Balasubramanian Sundarapandian，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，1 Lutz Kirste，3 Stephan，3 Stephan，1 1 spehan。 GMBH，高级微电动中心亚当，52074，德国2 rwth Aachen University，Electronic Devices主席，52074德国亚兴3弗劳恩霍夫应用固态物理学IAF研究所IAF，79108 FREIBURG IM BREISGAU，德国，德国 *在电信频谱中施加了氮氧化铝波导，小于0.16 db/cm损失Radhakant Singh，1,2 Mohit Raghuwanshi，3 Balasubramanian Sundarapandian，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，1 Lutz Kirste，3 Stephan，3 Stephan，1 1 spehan。 GMBH，高级微电动中心亚当，52074，德国2 rwth Aachen University，Electronic Devices主席，52074德国亚兴3弗劳恩霍夫应用固态物理学IAF研究所IAF，79108 FREIBURG IM BREISGAU，德国，德国 *
2024年8月2024年，加拿大魁北克市魁北克市魁北克国会中心。
Key to Conference Abbreviations B = Bragg Gratings, Photosensitivity and Poling in Optical Materials and Waveguides (BGPP) I = Integrated Photonics Research, Silicon and Nanophotonics (IPR) Ne = Photonic Networks and Devices (NETWORKS) No = Novel Optical Materials and Applications (NOMA) Np = Nonlinear Photonics (NP) S = Solar Energy and Light Emitting Devices (SOLED) So =特种光纤（SOF）SP =光子通信中的信号处理（SPPCOM）J =关节编程
高功率微波
4.1 Introduction 93 4.2 Basic Concepts in Electromagnetics 93 4.3 Waveguides 95 4.3.1 Rectangular Waveguide Modes 97 4.3.2 Circular Waveguide Modes 101 4.3.3 Power Handling in Waveguides and Cavities 104 4.4 Periodic Slow-Wave Structures 110 4.4.1 Axially Varying Slow-Wave Structures 110 4.4.2 Azimuthally Varying Slow-Wave Structures 113 4.4.3分散工程的超材料117 4.5空腔119 4.6强度的相对论电子束122 4.6.1二极管中的空间充电限制流123 4.6.2高电流二极管在高电流二极管中夹住125 4.6.6.6.3 4.6.3空间充电的限制量限制在drift trube Tube 125 4.6 4.6 4.6 Diode 127 4.6.5 Beam Rotational Equilibria for Finite Axial Magnetic Fields 128 4.6.6 Brillouin Equilibrium of a Cylindrical Electron Beam 129 4.7 Rotating Magnetically Insulated Electron Layers 130 4.8 Microwave-Generating Interactions 132 4.8.1 Review of Fundamental Interactions 132 4.8.2 O-Type Source Interactions 133 4.8.3 M-Type Source Interactions 137 4.8.4空间充电设备138 4.9放大器和振荡器，高和低电流操作机制140 4.10相和频率控制141 4.10.1相相一致来源143 4.11多光谱源143 4.12摘要144问题144问题145参考146
电击疗法后突触密度变化
摘要 - 通过利用亚波长等离子设备来实现紧凑的光学整合电路，需要设计紧凑和有效的光子对等离激元模式转换器的设计。尤其是对于需要多个转换器的等离子多输入设备，例如逻辑门，可以在很大程度上通过光子波导将足迹构成，这应该在设计中考虑。在这项工作中，我们为应用多输入等离子体设备的应用模拟和基准五个Photonic to for等离子体模式转换器拓扑。我们的设计包括等离子波导的定向和末端耦合方案，以及线和插槽构造的Si光子波导。考虑到光子波导和等离子波导，总足迹以及模式转换效率之间的音高不匹配，我们优化了转换器的性能。
一种有条不紊的方法设计绝热波导耦合器，用于异质综合光子学
硅光子学在过去十年中已成为未来应用的有前途的解决方案，例如5G Fronthaul，工业自动化，自动驾驶汽车，数据中心，计算机记忆分解和超越[1]的高速光学互连。通过利用互补的金属 - 氧化物 - 塞体导体（CMOS）制造技术先前是为电子工业开发的，已经开发了各种高速主动的光学组件，例如调制器和光电遗传学器[2，3]。此外，在各种FAB中，已优化了被动光学组件（例如光栅耦合器[4]和波导[5]）的生产方法。为了进一步增强从/到光子积分电路（PIC）的被动组件和活动组件之间的光学连接，互连波导的正确设计和形状起着至关重要的作用。随着新的光子构建块的引入，例如硅芯片上III – V光源的异质整合，需要连续改进。有三种通用方法可以在两个波导之间实现光耦合：对接耦合，方向耦合和绝热耦合。对接耦合方法是指直接连接的两个波导的模式曲线匹配。通过最大化模式字段重叠来优化其耦合效率。因此，对于异质整合，在彼此之间需要在不同的组件之间耦合光，对接耦合不是首选选项。此外，定向耦合器的带宽有限，因为节拍长度取决于波长。在定向耦合方法中，当输入波导处的模式耦合到耦合区域的超级模型的叠加时，光耦合在两个平行波导之间。该模式以半节拍的长度从一个波导到另一个波导完全耦合，而节拍长度可以设计为短[6]。但是，在实践中很难精确确定确切的节拍长度，从而使功率传输效率和设备性能不确定。在绝热耦合方法中，
宽带光子晶体波导中近变换极限量子点线宽
摘要：平面纳米光子结构能够实现嵌入量子点的宽带、近乎统一的辐射耦合，从而实现理想的单光子源。电荷噪声限制了单光子源的效率和相干性，从而导致辐射光谱变宽。我们报告了通过在包含嵌入 ap - i - n 二极管的量子点的砷化镓膜中制造光子晶体波导来抑制噪声的方法。波导附近的局部电接触可最大限度地减少漏电流，并允许快速电控制（≈ 4 MHz 带宽）量子点谐振。耦合到光子晶体波导的 51 个量子点的谐振线宽测量在 6 nm 宽的辐射波长范围内表现出接近变换极限的辐射。重要的是，局部电接触允许在同一芯片上独立调谐多个量子点，这与变换极限辐射一起成为实现基于多发射器的量子信息处理的关键组成部分。关键词：光子晶体波导、量子点、单光子、共振光谱、纳米光子学、半导体异质结构
Adriano Muzzio教授的课程 div>
自2001年以来的研究兴趣集中在硅（SIGE）异质结构和设备的外延生长和应用上。Over almost 20 years of activity, I had the chance to explore the wealth of possibilities offered by strain and bandgap engineering in SiGe heterostructures in a variety of application fields including: quantum transport in Ge quantum wells (QW), near- and mid- infrared integrated optics in SiGe waveguides and MQW modulators, thermoelectric generation in low-dimensional semiconductors, spintronics in Ge异质结构，在图案化底物上的外延生长，浓度掺杂的GE的等离激子效应以及基于GE的孔状态的Qubits的发展。总的来说，我的研究活动导致了国际期刊上280多个同行评审出版物的出版物（H-Index 40）。
低弯曲损失，高指数，复合形态超级...
该块由直的波导组成，这些波导具有增量缩短长度的多通段，范围从8 mm到2 mm，以未修改的参考波导结尾；这类似于削减测量。通过测量该块中所有波导的插入损失并提取插入损耗和复合段长度之间的线性关系的斜率，从而获得了复合波导的线性传播损失。y轴截距的损耗曲线表示耦合损耗的总体贡献以及与Athermal终止锥度相关的散射损失。在图中显示了测量模式场曲线的比较。1。耦合损失是从成像纤维的重叠积分中获得的
抛物面介质反射器，用于宽带宽的极端片上光斑尺寸转换
光斑转换器是实现不同尺寸波导间光高效耦合的关键。虽然绝热锥形非常适合小尺寸差异，但当扩展因子达到 × 100 左右时，它们会变得太长，这在耦合集成波导和自由空间光束时通常需要。在这种情况下可以使用衰减耦合器和布拉格偏转器，但它们的操作本质上受到带宽的限制。这里，我们提出了一种基于抛物面电介质界面的解决方案，该界面将光从 0.5 µ m 宽的波导耦合到 285 µ m 宽的波导，即扩展因子为 × 570 。我们通过实验证明了前所未有的超过 380 nm 的带宽，插入损耗低于 0.35 dB 。此外，我们提供了针对任意扩展因子设计此类抛物面光斑转换器的解析表达式。