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相互作用的能量依赖于硅NS激光扫描中的脉冲宽度
摘要：在过去的几十年中，对半导体硅的激光消融进行了广泛的研究。在超短脉冲结构域中，无论是在FS尺度还是PS尺度上，硅的消融中的脉冲能量阈值都非常依赖于脉冲宽度。然而，在NS脉冲量表中，对脉冲宽度的能量阈值依赖性尚不清楚。这项研究阐明了NS NIR激光消融硅的相互作用能量依赖性。通过脉冲能量沉积速率确定消融或熔化的水平，该脉冲能量沉积速率与激光峰值成正比。较短的脉冲宽度高峰值功率可能会引起表面消融，而较长的脉冲宽度可能会诱导表面熔化。随着脉冲宽度从26增加到500 ns，消融阈值从5.63增加到24.84 j/cm 2。随着脉冲宽度从26增加到200 ns，熔化阈值从3.33增加到5.76 j/cm 2，然后一直保持恒定直至500 ns，最长的宽度。与较短的脉冲宽度不同，较长的脉冲宽度不需要较高的功率水平来诱导表面熔化，因为可以在较低的加热时间较长的脉冲宽度时诱导表面熔化。表面熔化的线宽度小于聚焦点尺寸；该线在缓慢的扫描速度下以连续线的形式出现，或者以高扫描速度以隔离点的形式出现。相比之下，从消融中的线宽度显着超过了聚焦的点大小。
采用数字脉冲宽度调制的三级 DC-DC 降压转换器架构
提高稳压输出效率的现有方法之一是提高开关速度，而不考虑负载变化。这些转换器主要集中于高频功率转换电路，使用高频开关和电感器、变压器和电容器将开关噪声平滑为稳压直流电压。然而，这种方法很难在电池供电的便携式设备中采用，因为以前的同步降压型电池充电器由于其最大效率限制而无法充分利用高输入功率。便携式电子产品设计师面临的挑战是如何在小尺寸内安装高效电池充电解决方案，充分利用高输入功率实现快速和低温充电。
j.physletb.2024.138705.pdf
抽象的质子 - 普罗氏素碰撞数据由Atlas检测器在2011年以7 TEV为单位的质量能量记录，已用于改善W -Boson质量的测定，并在LHC处对W -Boson宽度进行了首次测量。最近对质子Parton分布函数的拟合量纳入了测量程序中，并使用改进的统计方法来提高测量精度。W -Boson质量的测量结果得出的值为M W = 80，366。5±9。 8（stat。） ±12。 5（Syst。） mev = 80，366。 5±15。 9 MeV，宽度为W = 2202±32（Stat。） ±34（Syst。） mev = 2202±47 Mev。 第一个不确定性组成部分是实用的，第二个不确定性成分对应于实验和物理模型的系统不确定性。 这两个结果都与从拟合到电cision数据的期望一致。 M W的当前测量与使用相同数据进行的先前测量相兼容并取代。5±9。8（stat。）±12。5（Syst。）mev = 80，366。5±15。9 MeV，宽度为W = 2202±32（Stat。）±34（Syst。）mev = 2202±47 Mev。第一个不确定性组成部分是实用的，第二个不确定性成分对应于实验和物理模型的系统不确定性。这两个结果都与从拟合到电cision数据的期望一致。M W的当前测量与使用相同数据进行的先前测量相兼容并取代。
基于正弦脉冲 - 调制基于Z -Source逆变器的定量谐波分析方法
摘要射击（ST）状态对于基于正弦脉冲宽度调制（SPWM）的Z-Source逆变器的运行至关重要。然而，不可避免地插入射门状态会导致输出谐波，这极大地受到其分布的影响，尤其是对双极调制方案。通过定量分析，本文提出了单相Z-Source逆变器的输出谐波与射击状态之间的数学关系。提出了一种基于双倍转化的调整 - 转换方案，以估计使用不同的射击状态插入方法的输出谐波。在两种双极调制控制方法下使用200 W单相Z-Source转换器进行的模拟和硬件实验验证了所提出的理论的精度。定量分析将有助于设计Z-Source Converter的控制策略和调制方案。
DNA/多核糖体相分离和细胞宽度限制将大肠杆菌中的核苷分离与细胞生长联系起来
。CC-BY 4.0 国际许可下可用（未经同行评审认证）是作者/资助者，他已授予 bioRxiv 永久展示预印本的许可。它是此预印本的版权持有者此版本于 2024 年 10 月 22 日发布。；https://doi.org/10.1101/2024.10.08.617237 doi：bioRxiv 预印本
通道宽度对顶门自我对准的Coplanar Igzo薄膜晶体管的电气性能降解的定量分析
Dong-Ho Lee 1 , Hwan-Seok Jeong 1 , Yeong-Gil Kim 1 , Myeong-Ho Kim 2 , Kyoung Seok Son 2 , Jun Hyung Lim 2 , Sang-Hun Song 1,* , and Hyuck-In Kwon 1,* Abstract —In this study, a quantitative analysis was conducted on the effects of channel width on electrical performance degradation induced by self-heating stress (SHS) in顶门自我对准的共蓝淀粉锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管（TFTS）。从SHS之前和之后获得的转移和电容 - 电压曲线，我们透露，TFT的电性能沿通道长度方向不均匀地降解，并且该降解的程度在具有较宽通道宽度的TFT中更为显着。在制成的Igzo TFT中，SHS下的阈值电压偏移（δVTh）主要归因于Igzo活性区域的浅供体状态的密度和受体样的深状态的增加，并且电子陷入了Sio X Gate Patectric中的快速和慢速陷阱。此外，我们使用基于状态δVTh Th Th的TFTs的TFTS的子仪密度来进行SHS诱导的δv Th起源于每个降解机制。尽管每种降解机制的每一个δv th都随着通道宽度的增加而增加，但增加了电子捕获到Sio X Gate中的慢陷阱
高红细胞分布宽度可减轻免疫检查点抑制剂治疗的有效性：使用临床数据仓库
这项回顾性研究采用了来自CDW的探索性队列，其中包括各种癌症来探索与Pembrolizumab治疗持续时间相关的因素，该因素在非小细胞肺癌（NSCLC）患者同胞中从电子医疗记录（EMR）（EMR）和CDW中进行了验证。CDW包含有关在2017 - 2022年间接受ICIS治疗的癌症患者的人口统计学，诊断，药物和测试的匿名数据。逻辑回归确定了预测2或5个pembrolizumab剂量的因素，作为无专业生存（PFS）的代理，并且使用接收器操作特征分析来检查其预测能力。这些因素通过将EMR队列中的PF与PF相关联并在CDW队列中与其他ICIS重新测试其重要性来验证这些因素。这种双重方法利用CDW进行发现和EMR/CDW队列来验证ICI治疗之前的Prog-Prog-抑制生物标志物。
3DD13005ED
注 ： pulse 电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle 10%. 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
JT010N065SED/CED/FED/WED
* 连续集电极电流由最高结温限制。 *Collector current limited by maximum Junction temperature. 注 1 ：脉冲宽度由最高结温限制。 Note1 ： The pulse width is limited by the maximum junction temperature.