增加受控原子和量子比特的数量的必要先决条件是允许应用相应数量信号的微结构,例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的,类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成,这些层彼此通过电介质隔开,并通过通孔选择性地相互连接。原则上,金属层的数量是不受限制的,因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料;此外,该结构的高频特性非常优异。
图2:NNME的神经网络结构。输入为w和y,输出是估计的回归函数f✓(x)。左绿色块是一个编码器,它由几个具有Relu激活函数的完全连接的层组成,最后一层具有线性函数;编码器的输出是提案分布的参数。右绿色块是一个解码器,它的网络结构与编码器相同;输入是x的随机样本,输出是f✓(x)的估计值。顶部的绿色块是另一个解码器,它由标准化流量的几个耦合层组成;输入是x的随机样品,输出是估计的x的先前密度。
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构,例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的,类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成,这些层彼此通过电介质隔开,并通过通孔选择性地相互连接。原则上,金属层的数量是不受限制的,因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料;此外,该结构的高频特性非常优异。
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构,例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的,类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成,这些层彼此通过电介质隔开,并通过通孔选择性地相互连接。原则上,金属层的数量是不受限制的,因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料;此外,该结构的高频特性非常优异。
多晶硅拉伸试样在北卡罗来纳州微电子中心 (MCNC) 制造,并在约翰霍普金斯大学应用物理实验室进行测试准备。MCNC 的 DARPA 支持的多用户 MEMS 工艺 (MUMP) 是制造表面微机械设备常用的典型工艺。两层多晶硅用于形成 MEMS 设备的结构元件。多晶硅层由磷硅酸盐玻璃 (PSG) 牺牲层隔开,并通过一层氮化硅与支撑硅基板隔离。最后的金属层定义了设备的电触点。当设备制造完成后,PSG 层会溶解在蚀刻溶液中以释放机械结构。
摘要在本文中,我们介绍了使用多物理学方法对定向能量沉积(DED)添加剂制造(AM)模拟的研究。我们在流体,固体力学和层流物理学中使用传热的组合来准确模拟DED过程。模拟提供了有关熔体池温度的详细信息,同时为沉积的每一层材料使用各种过程参数。的结果证明了多物理学方法在DED AM期间对各种物理现象之间复杂相互作用的洞察力的重要性。研究结果对DED AM过程的优化具有重要意义。关键字:添加剂制造,直接能量沉积,数学建模,模拟,comsol,温度
在当今技术驱动的社会中,许多重要的电子、磁性和光子器件的生产规模不断缩小。为了最大限度地提高元件密度并进一步减小尺寸,这些器件也被制造成多层、部分金属化的结构。一个众所周知的例子是微电子器件/集成电路,其结构可以有一层到五层或更多层,厚度可能只有 2-10 微米(图 1)。在该器件的各个层中,重要特征的尺寸范围可以从大约 100 微米到数十纳米。这种材料、厚度和分辨率超出了传统光学显微镜的范围,但对材料科学、微电子学和新兴的纳米科学界来说至关重要。
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构,例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的,类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成,这些层彼此通过电介质隔开,并通过通孔选择性地相互连接。原则上,金属层的数量是不受限制的,因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料;此外,该结构的高频特性非常优异。
移动设备、电动汽车、无人机和无线自主机器人的使用范围不断扩大,推动了对各种电池技术的需求增加。虽然每块电池的设计都是为了满足特定应用的需求,但所有电池都必须重量轻、结构紧凑、使用和存储时使用寿命长,并在运行时输出相对稳定的电压。虽然可以使用各种材料和工艺以多种方式实现这些目标,但许多电池设计使用多层结构来满足如此苛刻的性能要求。不幸的是,卷绕或堆叠成多层结构的材料中的小瑕疵或缺陷往往会随着每一层而累积,有可能在最终组装中变成更大甚至灾难性的缺陷。因此,检查是关键。