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揭开退休计划的神秘面纱
要计算您的房屋净值的美元金额，请从您房屋的当前市场价值中减去当前抵押贷款余额。还要减去您欠的房屋净值贷款或信用额度金额（在工作表中将其输入为负数）。持有抵押贷款的银行可以提供您剩余的抵押贷款余额。评估师或房地产专业人士可以为您提供当前市场房屋价值的估计值，或者您可以在互联网上查看您所在社区的近期销售情况（但是，房地产价值可能会发生变化，因此请不时检查您房屋的价值）。
克里斯汀（“克里斯”）L.多西
C12 S. Roberts、J. Forman、H. Ishii 和 KL Dorsey，“使用欠挤压导电丝的 3D 打印可穿戴设备中的机械感应”，美国希尔顿黑德岛希尔顿黑德研讨会，2022 年（即将出版）。(B) C11 N. Hanson、H. Hochsztein、A. Vaidya、J. Willick、KL Dorsey 和 T. Padır，“使用神经支配光纤光谱法对软夹持器进行手持物体识别”，IEEE RoboSoft，2022 年。(A)
揭开退休计划的神秘面纱
要计算房屋净值的美元金额，请从房屋的当前市场价值中减去当前抵押贷款余额。还要减去您欠的房屋净值贷款或信用额度金额（在工作表中将其输入为负数）。持有抵押贷款的银行可以提供您剩余的抵押贷款余额。评估师或房地产专业人士可以为您提供当前市场房屋价值的估计值，或者您可以在互联网上查看您所在社区的近期销售情况（但是，房地产价值可能会发生变化，因此请不时检查房屋价值）。
大数据技术在学前教育模式优化中的应用
从现有数据看，各地不少幼儿园在教育技术开发与实施上存在着不足，不同地区信息化发展水平不一。随着信息技术在学前教育的普及，学前教育各个领域已经有了一定的数据积累，但幼儿不安全行为数据具有不平衡性和稀疏性的双重特点。通过引入欠采样、特征选择、集成学习的集成模型，实现了不安全行为的集成识别，并将计算机编程计算应用到实际的学前教育模型中，也对大数据技术在优化学前教育模型中的应用进行了研究。
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斯特凡纳·西蒙内 (Stéphane SIMONNET) 拥有历史学博士学位，是自由法国和解放运动的专家，曾任卡昂纪念馆科学主任。他的论文主题是突击队基弗 (Commando Kieffer)。他是传记《菲利普·基弗、诺曼底登陆的法国人》和专辑《诺曼底登陆的 177 名法国人》的作者，他还创作了《大西洋的口袋》、《我们是基弗突击队的士兵》和《诺曼底-尼曼史诗》。我们还欠他一本法国解放地图。如今他是卡昂一所商学院的顾问和当代史老师。
Sudhansu Kumar Pati 博士- 硅谷科技学院
栅极金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管 (DG MOS-HFET)”，超晶格和微结构 - ELSEVIER Publishers，第 55 卷，第 8-15 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.12.002（SCI 影响因子 2.12）3. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“一种提取具有 NQS 效应的非对称 DG MOSFET 的 RF 参数的新方法”，半导体杂志- IOP Publishers，第 55 卷34，第 2 期，第 1-5 页，2013 年 11 月。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674-4926/34/11/114002（SCI - 影响因子 1.18）4. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“体和氧化物厚度变化对下重叠 DG- MOSFET 模拟和 RF 性能的影响研究”，Microelectronics Reliability-Elsevier Publishers，Vol. 54，第 6-7 期，第 1137-1142 页，2014 年。ISSN：0026-2714，DOI：10.1016/j.microrel.2014.02.008 5. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“欠重叠和栅极长度对 AlInN/GaN 欠重叠 MOSFET 器件性能的影响”，半导体杂志，IOP Science publishers，第 54 卷。 33, No. 12, 2012 年，第 1-7 页。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674- 4926/33/12/124001（SCI-影响因子 1.18） 6. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“研究 III-V 异质结构欠重叠 DG MOSFET 中栅极错位、栅极偏置和欠重叠长度导致的不对称效应”，Physica E：低维系统和纳米结构，Elsevier，Vol. 46，第 61-67 页，2012 年。ISSN：1386-9477，DOI：10.1016/j.physe.2012.09.011（SCI 影响因子 3.57） 7. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“III-V 异质结构与硅底搭接双栅极 MOSFET 的比较评估”，半导体，Springer，第 46 卷。 46，第 10 期，2012 年，第 1299–1303 页。ISSN：1090-6479，DOI：10.1134/S1063782612100119（SCI - 影响因子 0.641） 8. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于物理的 AlGaN/GaN HEMT 器件电荷和漏极电流模型”，Journal of Electron Devices，Vol. 14，第 1155-1160 页，2012 年。ISSN：1682-3427 9. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于极化的电荷密度漏极电流和纳米级 AlInGaN/AlN/GaN HEMT 器件的小信号模型”，超晶格和微结构，Elsevier，Vol. 54，第 188-203 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.11.020（SCI 影响因子 2.12） 10. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“势垒厚度对 AlInN/GaN 下重叠 DG MOSFET 器件性能的影响”，超晶格与微结构，Elsevier，第 60 卷，第 47-59 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2013.04.015（SCI 影响因子 2.12）
印度经济白皮书 - 图片
2012 年，这一数字为 390 亿卢比。此外，并非所有问题贷款都得到了确认。这背后隐藏着许多秘密。根据瑞士信贷 2014 年 3 月发布的一份报告，利息覆盖率低于 1 的前 200 家公司欠银行约 860 亿卢比。这些贷款中近 44%（380 亿卢比）尚未被确认为问题资产。仅此一项就将使 GNPA 比率再增加 6.7%。2018 年，印度储备银行前行长在对议会小组的书面回复中表示，
