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表征深神经网络中子诱导的断层模型
摘要 - 在图形处理单元（GPU）上执行的深神经网络（DNN）的可靠性评估是一个具有挑战性的问题，因为硬件体系结构非常复杂，软件框架由许多抽象层组成。虽然软件级故障注入是评估复杂应用程序可靠性的一种常见且快速的方法，但它可能会产生不切实际的结果，因为它对硬件资源的访问有限，并且采用的故障模型可能太幼稚（即单位和双位翻转）。相反，用中子光束注射物理断层提供了现实的错误率，但缺乏故障传播可见性。本文提出了DNN故障模型的表征，该模型在软件级别结合了中子束实验和故障注入。我们将运行一般矩阵乘法（GEMM）和DNN的GPU暴露于梁中子，以测量其错误率。在DNNS上，我们观察到关键错误的百分比可能高达61％，并表明ECC在减少关键错误方面无效。然后，我们使用RTL模拟得出的故障模型进行了互补的软件级故障注入。我们的结果表明，通过注射复杂的断层模型，Yolov3的误导率被验证为非常接近通过光束实验测得的速率，该速率比仅使用单位倒换的断层注射测量的频率高8.66倍。
适用于多群中子扩散方程的混合有限元离散化的笛卡尔网格的自适应网格改进
自适应网状修复基于基本要素：后验估计。在中子中，后验错误控制是一个正在进行的研究主题。AMR。在[16，第3.3节]中，作者解决了A后验估计中使用的规律性假设的问题。在[21，22，25]中，A后验估计值基于双重加权残差方法，其中保证的估计器涉及确切的伴随溶液。在[17]中，他们设计了一个可靠的估计，该估计依赖于双重问题的定义，并突出了由于这个双重问题缺乏稳定性而缺乏效率。严格的估计值不需要过剩的规律性以及适应性网格重新确定策略，以解决运输方程式上的源问题[9]。在这项工作之后，[10]中已经解决了有关特征值问题的理论方面。在这些论文中，作者设计了一种数值策略，该策略依赖于精确控制的操作员评估，例如在[9]中用于解决源问题。在反应堆核心尺度上，使用简化的模型在核工业中很常见。准确地说，简化的模型可以是中子分歧模型或简化的传输模型。在[7]中，我们对中子差异方程的混合有限元离散量进行了严格的后验误差估计，并提出了一种自适应网格重新填充策略，以保留Carte-sian结构。在[13]中执行了这种方法对临界问题的第一个应用，尽管具有次级估计器。关于工业环境和特定的数字模拟，我们的方法是在Apollo3®代码[23]中开发混合有限元求解器[4]的一部分。
中子星的种群超X射线源
具有中子星（NS）增生器的超X射线源（ULX）对传统的积聚模型构成了挑战，引发了关于几何光束和强磁场（B）的作用的争论。在存在强B的情况下，汤姆森横截面的还原导致了爱丁顿极限的修改；因此，预计它会显着影响NS-ulxs的观察性外观。我们使用种群合成模型研究了这种修饰的作用，并探索了其对观察到的NS-ulxs的X射线光度函数，旋转速率和流量能量的影响。我们的结果表明，与以前相比，新的处方允许NS-ulxs实现具有温和束缚的超级仪表，从而改善了与观察的一致性。此外，它扩大了旋转速率的范围，从而使NS-ULX的条件更加多样化，从而在增生速率和磁场上。更重要的是，减少的光束会增加观察到风力驱动星云（例如NGC 5907 ulx-1）内NS-ulxs的可能性。我们的发现强调了需要考虑B效应的必要性，独立于基于几何光束或强b的通常方法。最后，我们呼吁磁层积聚处方，这些处方可以集成在种群合成代码中。
基于Fe的偏光多层中子光学
封面显示了我们对Fe/Si + 11 B 4 C（前）和Fe/Si（后）多层的研究结果。可以比较电子衍射图像，Gisaxs原始数据和X射线反射率（也可以用于艺术目的）。也可以在反射率曲线之间的区域内显示多层的示意图。，fe/si + 11 b 4 c（前）代表未来，而fe/si（背面）描绘了过去。此外，艺术品也可以看作是电子衍射图像中心中的中子源，而gisaxs和XRR则展示了更改梁特性的外向光束和光学元件，在梁的末端，您会找到样品本身，模仿我研究的中心部分。封面的脊柱还显示了Fe/Si + 11 B 4 C（上）和Fe/Si（下图）多层的TEM图像。
大气中子诱导的单个事件倦怠的失败分析
摘要。必须研究用于陆地环境中高可靠性应用的电子设备，必须研究中子引起的单个事件效应。在本文中，在ISIS-Chipir辐射后，对包装商业SIC Power MOSFET的大气样中性诱导的单事件倦怠（SEB）进行了实验性观察。建立了SEB在MOSFET的电性能中的影响，并通过扫描电子显微镜观察到SIC损坏的区域。基于在模具级别的失败分析，可以定义SEB机制期间的不同阶段。敏感体积，其中二级粒子沉积了足够的能量以触发SEB机制，并位于SIC N-Drift外延层附近附近的SIC N-Drift外延层中。
中子技术进展：朝着改进能源设备用聚合物电解质膜的方向发展
摘要 设计和实施用于选择性传输离子和分子种类的先进膜配方对于创造下一代燃料电池和分离装置至关重要。有必要了解与设备操作相关的时间和长度尺度上的详细传输机制，无论是在实验室模型中还是在实际操作条件下的工作系统中。中子散射技术包括准弹性中子散射、反射率和成像，在世界各地的反应堆和散裂源设施的光束线站实施。随着新的和改进的仪器设计、探测器方法、源特性和数据分析协议的出现，这些中子散射技术正在成为设计、评估和实施燃料电池和分离装置先进膜技术的主要研究工具。在这里，我们以 ILL 反应堆源（法国格勒诺布尔劳厄-朗之万研究所）和 ISIS 中子和介子散裂源（英国哈威尔科技园区）为例，描述了这些技术及其开发和实施。我们还提到了世界各地其他设施正在进行的类似开发，并描述了一些方法，例如将光学和中子拉曼散射、X 射线吸收与中子成像和断层扫描相结合，并在专门设计的燃料电池中进行此类实验，以尽可能接近实际操作条件。这些实验和研究项目将在实现和测试新的膜配方以实现高效和可持续的能源生产/转换和分离技术方面发挥关键作用。
中子缺乏的 Yb 同位素的质量测量和 N = 82 壳层极质子富集侧的核结构
1 二.物理研究所，Justus-Liebig-Universit¨at，35392 Giessen，德国 2 GSI Helmholtzzentrum f¨ur Schwerionenforschung GmbH，64291 Darmstadt，德国 3 TRIUMF，温哥华，不列颠哥伦比亚省 V6T 2A3，加拿大 4 曼尼托巴大学物理与天文系，温尼伯，曼尼托巴省 R3T 2N2，加拿大 5 波兰科学院核物理研究所，PL-31 342 Krak´ow，波兰 6 玛丽居里大学物理研究所，PL-20 031 Lublin，波兰 7 维多利亚大学物理与天文系，维多利亚，不列颠哥伦比亚省 V8P 5C2，加拿大 8 不列颠哥伦比亚大学物理与天文系，温哥华，不列颠哥伦比亚省 V6T 1Z1，加拿大 9 物理与爱丁堡大学天文学系，爱丁堡 EH9 3FD，苏格兰，英国 10 西蒙弗雷泽大学化学系，本拿比，不列颠哥伦比亚省 V5A 1S6，加拿大 11 麦吉尔大学物理系，H3A 2T8 蒙特利尔，魁北克省，加拿大 12 斯特拉斯堡大学，CNRS，IPHC UMR 7178，F-67 000 斯特拉斯堡，法国 13 约克大学物理系，约克 YO10 5DD，英国 14 卡尔加里大学物理与天文学系，卡尔加里，艾伯塔省 T2N 1N4，加拿大 15 胡阿里布迈丁科技大学物理学院，BP 32，El Alia，16111 Bab Ezzouar，阿尔及尔，阿尔及利亚 16 Academy of Sciences, BG-1784 Sofia, Bulgaria 17 Helmholtz Forschungsakademie Hessen fr FAIR (HFHF), GSI Helmholtzzentrum fr Schwerionenforschung, Campus Gieen, 35392 Gieen, German 18 郑州大学物理与微电子学院，郑州 450001，中国（日期：2021 年 7 月 20 日）
混合短脉冲场中的中子检测，具有强烈的光子闪光，用于利纳克的主动询问应用
高能光子审讯已成为检测特殊核材料和表征核废料的宝贵工具。先前的研究主要使用大约9-MV线性电子加速器（Linac）作为光子源和有限的探索，并且在使用有机闪光器的使用时，在光子和中子辐射中确定沉积的能量，并分离光子和中子辐射，当光子疑问是基于中子构度的测量值时，至关重要的。挑战是由电子加速器通常产生的强烈光子通量引起的，导致脉搏堆积，检测器饱和度和次优信号背景比等问题。这项研究旨在通过引入一种新方法来扩展常规活动光子询问（API）技术的适用性，从而使检测能够除核材料外，对光元素（特定的氮，氧气和碳）（特定于氮气，氧气和碳），以常规的炸药，Narcotics和化学武器的形式存在。该方法依赖于高于12 MeV的高能量的活动光子询问，并加上光欧图隆光谱法。使用有机液体闪烁体的22兆瓦电子LINAC，脉冲形状歧视表现出有希望的性能。我们的结果表明，有机闪光灯的常规脉冲形状歧视能力和快速的时间尺度操作可以使（γ，XN）反应的快速中子检测，即使在具有强烈光子闪光的光子和中子辐射的混合短脉冲中，也能够检测到中子。关键字：国土安全性，中子，闪烁体，脉冲歧视，LINAC，BC501A对高能量光子诱导的光onutron检测的初始实验方面的探索为检测非法材料的新方法建立了基础。
基于 COTS 28 纳米 SRAM 的 FPGA 在热中子和不同入射角下的 SEE 灵敏度
本文对不同入射角下 28 纳米块状商用现货 (COTS) Xilinx Artix-7 FPGA 的单粒子翻转 (SEU) 抗热中子辐射敏感性进行了实验研究。实验结果表明，配置 RAM (CRAM) 单元、触发器 (FF) 和块 RAM (BRAM) 上存在 SEU。还分析了多重事件 (范围从 2 位到 12 位) 的形状，以及它们对粒子束对设备表面的入射角的依赖性。还研究了 128 位和 384 位多重事件的可能形状，揭示了遵循字线的趋势。将前入射角的结果与 14.2 MeV 中子进行比较，表明该装置对两种辐照源的灵敏度存在相当大的差异。最后，使用名为 MUSCA-SEP3 的建模工具来预测该装置在相同环境条件下的灵敏度。获得的实验结果将以非常准确的方式与预测结果显示出良好的一致性。
关于超椅子中子气体中玻色 - 符合体形成的可能性
建议从中子陷阱中超冷的中子的异常泄漏可能与其中的多核子形成有关。表明，即使在没有二氧化酮作为游离稳定颗粒的情况下，温度t小于10 -3 k的超低中子的气体也应形成培养基bose冷凝物。考虑了中子星中葡萄球子的稳定性的假设而产生的后果。讨论了在其中和沉重的核中形成bose冷凝物的条件。