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改善串行通信系统中的电磁噪声免疫
引言在具有高电磁噪声的环境中运行的电子通信设备需要特殊考虑和测试，以确保连续交付未腐败的数据。通信设备容易受到工业，汽车，电信，医疗和测试实验室环境中的数据中断和腐败的影响，仅举几例。证明遵守国际免疫测试标准有助于确保在嘈杂的电磁环境中进行稳健的通信。是文章提供了超过电技术委员会（IEC）免疫测试标准的串行通信系统的关键建议。为了提供高度可靠的串行通信系统实现和测试的示例，对国家半导体的DP83640以太网物理层设备进行了测试，以达到IEC免疫测试合规性。包括这些测试的结果以供参考。本文的范围仅限于通信信号；不包括与AC和DC电源信号有关的免疫问题。
2 线串行温度传感器 - Microchip Technology
TCN75A 产品带有用户可编程寄存器，可为温度传感应用提供灵活性。寄存器设置允许用户选择 9 位至 12 位温度测量分辨率、配置省电关断和单次（关断时按命令进行单次转换）模式以及指定温度警报输出和滞后限值。当温度变化超出指定限值时，TCN75A 会输出警报信号。用户可以选择将警报输出信号极性设置为恒温器操作的低电平有效或高电平有效比较器输出，或设置为基于微处理器的系统的温度事件中断输出。
FM25256 256K 位 SPI 串行 EEPROM
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使用法医情报来打击串行和有组织的暴力犯罪
在美国，法医实验室通常仅在对其进行了充分处理和审查以根据严格的质量管理协议对法院诉讼中使用并审查后才报告结果。然而，法医情报方法提供了一个机会，可以将现有的法医数据（初步和已确认结果）以及现有的情况和其他相关犯罪数据以及产生案例线索，链接案例或为调查，主动的战术，操作，操作和战略警务提供信息。为法医情报产生的法医数据不一定是在法庭上介绍所需的完整法医报告，但如果及时整合，它可能会为调查提供信息。例如，根据独特的作案手法，调查人员可能能够将犯罪A与犯罪B联系起来，并基于类似的鞋子印刷品将犯罪B与犯罪C联系起来。通过引入法医数据，研究人员现在对这些犯罪有了更全面的看法。
航天级高性能串行持久性 SRAM 存储器
SRAM 闪存 EEPROM MRAM 非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟损失的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性和可扩展的非易失性存储器技术。ASx016A04 具有串行外设接口 (SPI)。SPI 是一种同步接口，它使用单独的数据和时钟线路来帮助保持主机和从机的完美同步。时钟告诉接收器何时对数据线上的位进行采样。这可以是时钟信号的上升沿（从低到高）或下降沿（从高到低）或两个沿；有关更多详细信息，请参阅本数据表中的指令序列。当接收器检测到正确的边沿时，它可以锁存数据。 ASx016A04 采用小尺寸 8 焊盘 WSON 和 8 引脚 SOIC 封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。ASx016A04 已在 -40°C 至 125°C 的工作温度范围内进行了测试，并在 125°C 下进行了 48 小时老化测试。
EN25QX64A (2CPU) 64 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 64 兆位（8,192K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 133MHz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532MHz（133MHz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
单串行输入 PLL 频率合成器 - SM0VPO
将 PS 引脚设置为低电平，IC 进入省电模式，因此电流消耗可限制为 10 µ A（最大值）。将 PS 引脚设置为高电平，则释放省电模式，IC 正常工作。此外，还包含间歇操作控制电路，有助于从省电模式平稳启动。一般来说，可以通过间歇操作（关闭或唤醒合成器）来节省功耗。在这种情况下，如果 PLL 不受控制地通电，则由于参考频率（fr）和比较频率（fp）之间未定义的相位关系，产生的相位比较器输出信号是不可预测的，并且在最坏的情况下可能需要更长的时间来锁定环路。为了防止这种情况，间歇操作控制电路在通电期间强制相位检测器输出有限的误差信号，从而保持环路锁定。在省电模式下，除省电功能必不可少的电路外，相应部分停止工作，然后电流消耗降至 10 µ A（最大值）。此时，Do 和 LD 变为与环路锁定时相同的状态。即，Do 变为高阻抗。VCO 控制电压自然保持在由 LPF 的时间常数定义的锁定电压。因此，VCO 的频率保持在锁定频率。
EN25QX128A (2V) 128 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 128 兆位（16,384K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 104Mhz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532Mhz（133Mhz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
第三代航天级串行双 QSPI P-SRAM™ ...
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