多模态刺激引起的脑电图 (EEG) 信号可以驱动脑机接口 (BCI),研究表明可以同时使用视觉和听觉刺激来提高 BCI 性能。然而,还没有研究调查多模态刺激在快速串行视觉呈现 (RSVP) BCI 中的影响。在本研究中,我们提出了一种结合了人工面部图像和人工语音刺激的快速串行多模态呈现 (RSMP) BCI。为了阐明视听刺激对 RSMP BCI 的影响,分别应用了扰乱图像和掩蔽声音来代替视觉和听觉刺激。我们的研究结果表明,视听刺激提高了 RSMP BCI 的性能,并且 Pz 处的 P300 有助于提高分类准确性。 BCI 在线准确率达到 85.7 ± 11.5%。总之,这些发现可能有助于开发更好的注视独立 BCI 系统。
神经反馈 (NF) 是一种复杂的学习场景,因为任务包括尝试心理策略,同时处理反馈信号,该反馈信号表示大脑区域被激活,需要自我调节并充当潜在的奖励信号。为了剖析这些子组件,我们在两种范式中获得了与有效自我调节相关的全脑网络:并行,其中任务是同时执行的,将反馈与策略执行相结合;串行,其中任务是连续执行的,将反馈处理与策略执行分开。20 名参与者在 2 周的 18 个疗程中尝试使用功能性磁共振成像 (fMRI) NF 控制他们的前中扣带皮层 (aMCC),使用认知和情感心理策略。我们分析了串行和并行范式中 aMCC 激活最大的 NF 训练运行中的全脑 fMRI 激活。串行范式中策略执行和反馈处理周期的相等长度允许以相等的功率描述两个任务子组件。得到的激活图与功能注释的内在连接脑图 (BM) 在空间上相关。平行条件下的大脑激活与基底神经节 (BG) 网络、扣带回-岛叶网络 (CON) 和额顶叶控制网络 (FPCN) 相关;串行策略执行条件下的大脑激活与默认模式网络 (DMN)、FPCN 和视觉处理网络相关;而串行反馈处理条件下的大脑激活主要与 CON、DMN 和 FPCN 相关。额外的比较表明,BG 激活是平行范式的特征,而超缘回 (SMG) 和颞上回 (STG) 激活是串行范式的特征。
活动功率、待机功率和深度掉电模式当芯片选择 (CS#) 为低时,设备启用并处于活动功率模式。当芯片选择 (CS#) 为高时,设备禁用,但可以保持活动功率模式,直到所有内部周期(编程、擦除和写入状态寄存器)完成。然后设备进入待机功率模式。设备功耗降至 I CC1 。执行特定指令(进入深度掉电模式 (DP) 指令)时进入深度掉电模式。设备功耗进一步降至 I CC2 。设备保持此模式,直到执行另一条特定指令(从深度掉电模式释放、读取设备 ID (RDI) 和软件复位指令)。当设备处于深度掉电模式时,所有其他指令都将被忽略。当设备未处于活动使用状态时,这可以用作额外的软件保护机制,以保护设备免受意外写入、编程或擦除指令的影响。
半导体已将华邦的 SpiStack(系统)集成在 FRWY-LS1012A 开发板上,用于其边缘计算处理器 LS1012A。
在美国,法医实验室通常仅在对其进行了充分处理和审查以根据严格的质量管理协议对法院诉讼中使用并审查后才报告结果。然而,法医情报方法提供了一个机会,可以将现有的法医数据(初步和已确认结果)以及现有的情况和其他相关犯罪数据以及产生案例线索,链接案例或为调查,主动的战术,操作,操作和战略警务提供信息。为法医情报产生的法医数据不一定是在法庭上介绍所需的完整法医报告,但如果及时整合,它可能会为调查提供信息。例如,根据独特的作案手法,调查人员可能能够将犯罪A与犯罪B联系起来,并基于类似的鞋子印刷品将犯罪B与犯罪C联系起来。通过引入法医数据,研究人员现在对这些犯罪有了更全面的看法。
› 两个 AURIX™ 设备之间的高速通信速度高达 320 MBaud › 一些衍生产品上有两个 HSSL 实例(例如并行通信、双倍带宽)FPGA 支持的协议 › 低引脚数(2 x 2 LVDS、1 x 时钟) › 从远程触发中断
程序存储器是太空应用的关键组件。它们永久存储在微控制器上执行的程序或现场可编程门阵列 (FPGA) 的配置数据。它们在可靠性、容错性和抗辐射性方面具有最严格的要求。欧盟资助的 MNEMOSYNE 项目旨在展示新一代具有串行接口的抗辐射高密度非易失性程序存储器。该技术将基于最先进的商用嵌入式磁性 RAM,采用 22 nm FD-SOI 工艺。如果成功,该项目将推出第一款密度高于 64 Mb 的抗辐射非易失性程序存储器,用于太空应用。存储器是太空应用的关键组件。它们可分为三种类型:大容量、高速缓存和程序存储器。后者永久存储可作为 MCU 启动存储器或 FPGA 配置非易失性存储器 (NVM) 执行的程序。在太空应用中,程序存储器是需要最高可靠性、零错误容忍度和最高辐射强度的存储器,因为它与系统上电直接相关。另一方面,随着系统性能要求的提高,集成电路(IC)越来越密集。最近的太空程序存储器需要更高的速度和密度。例如,欧洲辐射硬化 FPGA BRAVE NG-Medium 至少需要 13Mb 的配置。下一代 NG-large 和 NG-Ultra 将需要 128Mb 和高达 512Mb 的高速、低引脚数配置存储器。目前,对于这种关键存储器,没有可用的欧洲辐射硬化存储器组件。MNEMOSYNE 项目旨在基于最先进和成熟的欧洲商用 22 nm FDSOI 磁性 RAM (MRAM) 技术开发(设计和原型)新一代具有串行接口的辐射硬化高密度 NVM。得益于 FDSOI 半导体结构,该工艺自然提供了良好的辐射耐受性。此外,MRAM 技术天然具有 SEU 免疫力。关键创新包括:• 第一个密度高于 1Mb 的欧洲 RHBD(抗辐射设计)空间 NVM;• 第一个密度高于 16Mb 的全球 RHBD 空间 NVM;• 第一个采用低于 65nm 工艺的欧洲嵌入式 RHBD 高性能空间 NVM IP 核;• 第一个用于空间应用的新一代自旋转移力矩 (STT) MRAM;• 第一个在 22nm FDSOI 上应用于数字和模拟 IP 的 RHBD,用于缓解 TID 和 SEE;高密度 MRAM 的开发将重塑航天工业及其他领域的整个存储器芯片市场。
(2) RoHS:TI 将“RoHS”定义为符合当前欧盟 RoHS 对所有 10 种 RoHS 物质要求的半导体产品,包括要求 RoHS 物质在均质材料中的重量百分比不超过 0.1%。如果设计用于高温焊接,“RoHS”产品适用于指定的无铅工艺。TI 可能会将这些类型的产品称为“无铅”。RoHS 豁免:TI 将“RoHS 豁免”定义为含铅但符合欧盟 RoHS 规定的特定欧盟 RoHS 豁免的产品。绿色:TI 将“绿色”定义为氯 (Cl) 和溴 (Br) 基阻燃剂的含量符合 JS709B 低卤素要求 <=1000ppm 阈值。三氧化二锑基阻燃剂也必须满足 <=1000ppm 阈值要求。
电源电压范围,V CC (见注释 1) –0.5 V 至 6.5 V ......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入电压范围,V I(任何输入)–0.3 V 至 V CC + 0.3 V 。.....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输出电压范围,V O –0.3 V 至 V CC + 0.3 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.....正参考电压,V ref+ V CC + 0.1 V ................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。负参考电压,V ref– –0.1 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。峰值输入电流,I I(任何输入)± 20 mA。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。峰值总输入电流,I I(所有输入)± 30 mA。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...............工作自然通风温度范围,T A :TLC2543C 0°C 至 70°C ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..TLC2543I –40 ° C 至 85 ° C ................................TLC2543M –55 ° C 至 125 ° C ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。存储温度范围,T stg –65 ° C 至 150 ° C 。.....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。......距外壳 1.6 毫米(1/16 英寸)处的引线温度持续 10 秒 260 ° C ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。