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微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P6_49 **************** ****** 主电路从此处开始*************** Q1 VC VB 0 QECL RB VCC VB 12.1k TC=0,0 RC VC VCC 1.35k TC=0,0 V1 VCC 0 5Vdc ****** 主电路从此处结束******************************************* *********** ECL BJT 模型从此处开始******************************* .model QECL NPN(Is=0.26fA Bf=100 Br=1 Tf=0.1ns Cje=1pF Cjc=1.5pF Va=100) *********** ECL BJT 模型从此处开始*******************************
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P17_8 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VO VIN 0 0 NMOS0P065 + L=65n + W=130n + M=1 M2 VO VIN VDD VDD PMOS0P065 + L=65n + W=260n + M=1 V1 VDD 0 1Vdc V2 VIN 0 +PULSE 1 0 0.25n 0.001n 0.001n 0.5n C1 0 VO 4f ******* 主电路从这里结束**************
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********问题：P9_4 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD1 VG1 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 M2 VD2 0 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 R1 VSS VD1 4k TC=0,0 R2 VSS VD2 4k TC=0,0 I1 VDD VS DC 0.2mAdc V1 VDD 0 0.9Vdc V2 VG1 0 0.25Vdc V3 0 VSS 0.9Vdc ****** 主电路从这里结束**********************************************
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********问题：P5_59 **************** ****** 主电路从这里开始************** V_sup VCC 0 2 M4 VCC VCC V2 V2 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M1 V1 V1 0 0 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M2 VCC VCC V1 V1 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M3 V2 V1 0 0 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 ******* 主电路从这里结束**********************************************
微电子电路国际第 8 版
********问题：P 6.60 **************** ****** 主电路从这里开始************** Q2 VC VB VE QECL R1 0 VE 1k TC=0,0 R2 VB VCC 100k TC=0,0 R3 VC VCC 1k TC=0,0 V_sup VCC 0 3 ****** 主电路从这里结束****************************************** *********** ECL BJT 模型从这里开始******************************* .model QECL NPN(Is=0.26fA Bf=100 Br=1 Tf=0.1ns Cje=1pF Cjc=1.5pF Va=100) *********** ECL BJT 模型从这里开始******************************* ******* 分析从这里开始**************** .OP .END ******* 分析从这里结束****************
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P7_31 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD VG 0 0 NMOS0P18 + L=0.5u + W=12u + M=1 V2 VDD 0 1Vdc I1 VDD VD DC 200u R1 VG VD 22MEG TC=0,0 R2 0 VO 15k TC=0,0 C1 VD VO 1 TC=0,0 C2 VI VG 1 TC=0,0 V3 VI 0 AC 1 +SIN 0 10m 1k 0 0 0 ******* 主电路从这里结束********************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ************************************* .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.8 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=450 LAMBDA=0.05 TOX=4.08E-9 PB=0.9) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************
如何使用夏威夷电气位置值地图
*％可用的是根据主要托管能力模型在主电路上可用于太阳能的剩余空间的百分比。根据可用百分比，可能需要进行互连研究和升级。任何少于5％的电路，很可能需要进行互连研究。还可以在辅助电路上进行其他检查，以安全确保客户可以互连。
8.2 量子误差缓解 8.2.1 零噪声外推
在详细讨论 QEM 环境中的各种算法中的两种之前，我们先介绍一下 QEM 方法的总体思路。我们将主电路定义为理想情况下会产生完美输出状态 ˆ ⇢ 0 的过程。由于存在噪声，主电路会产生噪声状态 ˆ ⇢ 。为了解释电路的工作原理，我们考虑一个可观测量 ˆ O，其期望值就是我们寻求的输出信息。为了计算这个值，我们将运行电路 N 个样本，即电路执行的次数。同样，在无噪声的情况下，N 样本的有限值意味着估计平均值的有限不准确性。这就是所谓的散粒噪声。然而，在这种情况下，ˆ O 的期望值不会因噪声而出现系统性偏移，即偏差。QEM 旨在减少这种偏差。通常，这意味着相应的方差会增加。然后，需要增加电路运行次数 N > N 样本进行补偿。与无噪声电路相比，采样开销是 QEM 方法以重复次数计算的成本。
空气断路器 (ACB)
SENTRON WL 断路器配备以下标准功能：• 机械开启和关闭按钮• 带机械请求的手动操作• 开关位置指示• 准备合闸指示器• 记忆状态指示器• 辅助开关（2 个常开 + 2 个常闭）• 对于高达 5000 A 的固定安装和抽出式版本，后部水平主电路连接，以及对于 6300 A 应用的后部垂直主电路连接• 对于 4 极断路器，第四极（N）安装在左侧并 100% 可负载• 主触点的触点腐蚀指示器• 带有 SIGUT 螺钉型端子的辅助电路插头系统。交付包含符合内部规格的所有辅助电路连接器，包括用于防止固定安装断路器不正确安装的编码装置 • 电子过流脱扣器系统的机械“脱扣”指示器 • 脱扣操作后的机械闭合锁定 • 开关处于 ON 位置时无法取下控制面板 • CD-ROM 上的用户手册（对于印刷版本，请参阅选项）