在过去的几十年中,数字和模拟集成电路的集成密度和性能经历了一场惊人的革命。虽然创新的电路和系统设计可以解释这些性能提升的部分原因,但技术一直是主要驱动力。本课程将研究促成集成电路革命的基本微制造工艺技术,并研究新技术。目标是首先传授构建微型和纳米器件的方法和工艺的实际知识,然后教授将这些方法组合成可产生任意器件的工艺序列的方法。虽然本课程的重点是晶体管器件,但许多要教授的方法也适用于 MEMS 和其他微型器件。本课程专为对硅 VLSI 芯片制造的物理基础和实用方法或技术对器件和电路设计的影响感兴趣的学生而设计。30260133 电子学基础 3 学分 48 学时
Dzade 博士是一位经验丰富、技术娴熟的计算材料和矿物科学家。他领导着材料和矿物理论小组,该小组专门开发和应用先进的理论方法来揭示固态材料的结构-性能-性能关系。Dzade 当前的研究通常与实验密切合作,重点是开发和使用从头算方法来理解 (i) 表面复杂的异质催化反应机制,(ii) 高度不同材料界面的化学反应动力学和传输过程,例如有机-无机和外延无机界面。他研究的一个重要背景是可再生能源,其中新材料、硫化物、氧化物、钙钛矿、有机物和界面占据突出地位。他是一位熟练的作家和有效的沟通者,具有互动式教学风格,可以促进有效的参与和热情,同时促进学习。组织性强,能够有效地优先考虑和协调多项任务,以创造性和热情完成项目。极其灵活,能够适应新情况和新环境,能够独立工作,并在团队环境中茁壮成长。教育
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在脑类器官中[58]。 (f)TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。 (g)成像在脑类器官中[58]。(f)TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。(g)成像
(b),6.000 nm(c),8.900 nm(d)和9.300 nm(e),其中颜色表示不同的局部晶体结构:蓝色-BCC,绿色-FCC,RED-HCP和White-Inninnown; (f)在1860 PS和d = 9.300 nm的纳米线内的应变分布,其中原子是通过其局部剪切应变颜色的。
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