XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System介电材料
有限披露 使用新型硅缓冲电容器技术改进高压电源模块
• MIS SiCap 电容器的电容稳定性是除 ESL/ESR 之外的一个关键参数。由于矿物介电材料的性质和高品质，无需考虑会降低电容有效值的降额
幻灯片——用于先进晶圆级封装的苯并环丁烯基介电材料的图案化永久键合
Michael Gallagher、Rosemary Bell、Anupam Choubey、Hua Dong、Joe Lachowski、Jong-Uk Kim、Masaki Kondo、Corey O'Connor、Greg Prokopowicz、Bob Barr、陶氏电子材料
I B.E. -Nie
辐射的粒子性质：康普顿效应。粒子的波性质：de Broglie假设，物质波及其特性，海森堡的不确定性原理：其物理意义，应用。量子力学：波函数及其特性，独立的Schrödinger波程，Schrödinger波方程的应用，自由电子理论：经典自由电子理论的失败，量子自由电子理论，费米能，费米能，费米因子，状态密度，量子自由电子理论的优点。振动理论：自由振动，阻尼，强制振动，超声波，相对论，激光理论：爱因斯坦的同系，能量密度的表达，红宝石，He-ne激光器和应用，应用，光学纤维及其应用，应用及其应用，介电材料：介电材料：偏振材料，构造材料，元素，元素，超级构造，超级辅助，超级辅助。
两天的混合键合研讨会
混合键合是一种用于堆叠两个结构的技术，例如芯片，晶圆和底物，每个结构都由金属和周围的介电材料组成。在混合键合过程之后，金属互相键合，并且介电材料也无缝连接。混合键合被认为是3D IC整合中的最终技术之一。但是，在混合键合的出现之前，首先引入了Cu-to-Cu键合，以实现3D IC集成的概念。在1999年至2002年之间，REIF在麻省理工学院的小组提出了一种晶圆级3D集成方案，其中包括使用处理晶片（Si Carrier晶片），研磨技术和Cu-to-to-Cu直接键合，如图1 [1]所示。要键合的Cu结构由Cu垫组成，类似于当今使用的Cu凸起和CU支柱。
FCC-ee 的快速计时可能性
● 用连续的 n+ 层代替分段的 n++ 层 ● n+ 层中的电信号交流耦合到读出垫/条，它们之间用薄介电材料隔开。 ● 条/垫之间的电荷共享显著提高了空间分辨率并保持了时间分辨率！
以下出版物Zou，K.，Dan，Y.，Xu，H.，Zhang，Q.，Lu，Y.，Huang，H。，＆He，Y。（2019）。无铅介电材料F
以下出版物Zou，K.，Dan，Y.，Xu，H.，Zhang，Q.，Lu，Y.，Huang，H。，＆He，Y。（2019）。无铅介电材料的最新进展用于储能。材料研究公告，113，190-201可从https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2019.02.002获得。
具有超小照相和高可靠性的高密度RDL的新型光敏电介质材料
摘要本文提出了新开发的先进的超薄光敏电介电膜（PDM），其高分辨率，低CTE和低剩余应力，用于下一代高密度重新分布层（RDL），2.5D Interposer，以及高密度的风扇输出包装应用程序。对于高密度RDL，光敏电介质材料需要具有低CTE才能达到高包装可靠性。材料的CTE为30-35ppm /k。在保持低CTE时，我们成功地证明了5UM厚度中3UM的最小微型视野直径。PDM的固化温度为180 0 C x 60分钟。比目前在行业中使用的大多数高级介电材料低。低温固化过程会导致低压力。，我们通过4英寸晶圆的经经测量测量结果计算了固化的PDM中的残余应力。作为PDM材料在固化过程中的另一个好处，可以将PDM固化在空气烤箱中。大多数先进的照片介电材料都需要在N2烤箱中固化，这是由于防止材料氧化的。我们通过使用半添加过程（SAP）和溅射的Ti/Cu种子层展示了2UM线的铜痕迹，并在PDM上间隔。由于由于低温固化而引起的低CTE和低残余应力，它通过了温度周期测试（1,000个周期），其雏菊链结构在结构中具有400个VIA。可以得出结论，新开发的PDM是一种有前途的介电材料，用于2.5D interposers和Fan-Out Wafer级级别的应用程序，用于高度可靠的高密度重新分布层（RDL）。
先进IC封装及材料趋势
第一章 概要 1. 异质集成封装整体趋势 /2 2. 异质集成封装市场规模预测 /3 3. 类2.5D封装市场趋势 /4 4. FO-WLP/PLP市场趋势 /6 5. IC采用异质集成封装现状 /11 6. 主要IC技术路线图 /13 7. 异质集成封装技术路线图 /14 8. 封装材料市场趋势 /15 9. 介电材料市场趋势 /20 10. 主要材料供应链 /25
3D打印RF设备的纳米复合墨水
一种具有分级介电特性的3D打印成分的当前方法是构建两种空间分离的介电材料的成分。这些不同的材料之间的不同界面可能导致材料的热膨胀不同。另一种技术是将空隙放置在组件中以控制介电常数（即电能分配）。这两种技术通常都会产生机械不稳定的结构，这些结构限制了设备性能，尤其是对于在困难的环境条件下运行的小型卫星和飞机上的RF系统。
纳米级时间相关电介质击穿 (nanoTDDB ...
新沉积的介电材料的质量控制是 nanoTDDB 使用的另一个例子。具体来说，当使用原子层沉积 (ALD) 制备薄氧化膜时，需要对该过程进行微调以产生可重复的结果。这里用 ALD 制备二氧化硅膜，并用椭圆偏振法测量其厚度。由于在晶圆的不同位置观察到一些膜厚度变化，因此使用 Jupiter XR AFM 进行 nanoTDDB 测量以测量膜的电性能。使用 AFM 软件中编程的自动程序在晶圆的各个位置进行测量。