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World File Search System介电材料
聚酰亚胺固化过程中产生的腐蚀性气体的分析
聚酰亚胺是半导体工业中广泛使用的介电材料。然而，固化反应过程中产生的气体会腐蚀电子电路，从而导致可靠性问题。可以使用 EGA-MS（使用 Double-Shot Pyrolyzer）（技术说明编号 PYA3-001）以及 TGA 研究这种气体释放。图 1 显示了聚酰亚胺薄膜的固化反应。首先，将 BPDA 和 3,3'-DDS 在较低温度下加热以生成聚酰胺酸。接下来，将材料进一步加热到较高温度以生成固化的聚酰亚胺。TGA 曲线（图 2）显示了固化过程中的重量损失。在 100~350ºC 和 350~450ºC 处可以清楚地看到两个不同的反应阶段。图 3 显示了 EGA-MS 对此过程的研究结果。图 2 中第一阶段 TGA 重量损失与图 3 区域 A 中演化的材料相匹配，第二阶段重量损失与区域 B 中的 EGA-MS 数据相匹配。EGA 产生的化合物通过 GC 分离和测定。使用 MS，选择离子监测显示图 3 中一些感兴趣的化合物的分布。这些结果表明，DMAc、CO2 和 H2O 是在固化过程的第一阶段产生的，而 CO2、SO2 和苯胺是在第二阶段产生的。正如这个例子所示，EGA 是解决聚合物材料问题的极其有用的工具。
ISO124 精密最低成本隔离放大器 - 所有产品
这种新测试方法代表了非破坏性高压可靠性测试的“最新技术”。它基于屏障退化期间异质介电材料中存在的非均匀场的影响。在空隙不均匀的情况下，电场应力在桥接整个高压屏障之前开始电离空隙区域。电离期间和之后的电荷瞬态传导可以从外部检测到，作为在每个交流电压周期重复的 0.01-0.1-µs 电流脉冲爆发。启动局部放电的最小交流屏障电压定义为“起始电压”。 在局部放电停止之前，需要将屏障电压降低到较低水平，并将其定义为“熄灭电压”。封装绝缘工艺经过特性和开发，可产生超过 2400 Vrms 的起始电压，因此低于此水平的瞬态过压不会损坏 ISO124。熄灭电压高于 1500 Vrms，因此一旦屏障电压降至 1500-Vrms（额定）水平，即使是过压引起的局部放电也会停止。较旧的高压测试方法依赖于施加足够大的过电压（高于额定值）来击穿边缘部件，但不会高到损坏好部件。与击穿/无击穿标准相比，我们的新局部放电测试让我们对屏障可靠性更有信心。
非线性光学元件的超低氮化硅波导
区域，从而增强了光学强度。然而，如此高的光学结构增加了纳米级不均匀性引起的散射损失的敏感性。氮化硅是一种介电材料，具有相对较大的非线性指数系数和一个从紫外线到中红外的宽带透明度窗口。其折射率与二氧化硅形成鲜明对比允许高分并控制波导几何形状的分散体。在过去几年中，这个材料平台作为依赖KERR效应的非线性光学应用程序的主力，从微型BOMB的生成到副标。在本文工作中，我们专注于开发高级制造技术，以实现氮化硅波导的实现。仪表长的高填充波导据报道，有1.4 db/m的阶段损失创纪录的低损失和分散工程的mi- croResonators，质量为1900万。基于这项技术，我们证明了带有光电检测的重复速率的八度跨度相干微膜和小鳄鱼的设备面积小于1毫米2，即比艺术的状态小的数量级。高产量和超损坏Si 3 N 4波导也使我们在整合波导中的第一次连续波参数放大器也可以实现，当以相位敏感的模式运行时，表现出9.5 dB的增益为9.5 dB，噪声效率为1.2 db。
无线局域网Koch分形天线的设计与分析
摘要 本文设计了一种用于无线局域网 (WLAN) 应用的 Koch 分形天线。Koch 雪花设计具有对称和自相似结构，可实现空间填充能力并改善天线的表面电流。整体分形天线结构由安装在介电材料（阻燃剂-4 (FR-4)，介电常数r=4.4，损耗角正切δ=0.02）两侧的铜箔（贴片和接地平面）组成。天线采用微带线馈电。Koch 分形天线的尺寸为 30 30 1.6mm3，是在高频结构模拟器 (HFSS) 平台上实现的紧凑尺寸设计。使用迭代函数系统 (IFS) 将模拟输出与贴片上实现的不同迭代进行内部比较，并比较三种不同迭代的辐射频率、回波损耗、带宽、增益和方向性的差异。三次迭代的谐振频率范围从 5.8GHz 到 7.47GHz，可用于 WLAN 应用。因此，所提出的 Koch 雪花分形天线设计随着迭代规模的增加而改善了天线参数，例如 S 11 从 -21.35dB 到 -36.32dB，平均增益为 3dB，阻抗带宽为 25.90%。关键词：天线设计、FR-4、接地平面、Koch 雪花、贴片、WLAN 应用
AI辅助发现用于储能的高温电介质
静电电容器在现代电气系统中作为储能设备起着至关重要的作用。能量密度是静电ca citor的功绩的形式，主要取决于介电材料的选择。大多数行业级聚合物电介质都是灵活的聚合物或刚性芳香剂，具有高能量密度或高热稳定性，但并非两者兼而有之。在这里，我们采用了人工智能（AI），建立的聚合物化学和分子工程，以发现聚元素和聚酰亚胺家族中的一组介电。许多发现的电介质在较大的温度范围内表现出较高的治疗稳定性和高能量密度。这样的介电在200°C下显示8.3 j cc -1的能量，这是该温度下任何市售聚合物介电的值11倍。我们还评估了进一步增强多元出生烯和聚酰亚胺家族的途径，从而使这些电容器能够在苛刻的应用（例如航空航天）中表现良好，同时在环境上可持续。这些发现在85 - 200°C温度范围内扩大了静电电容器的潜在应用，目前没有良好的商业解决方案。更广泛地，这项研究证明了AI对Che-Che-Che-Che-Che-Che-Che-Che-Che-Che-Chemitter结构产生和财产预测的影响，强调了静电电容器以外的材料设计发展的潜力。
INP和III-V化合物
III-V半导体材料组的生长特性与硅具有相似的生长特性，该特性在微电子学中已良好。III-V半导体材料是在单晶半导体底物上的外延生长的。主要区别在于光电特性中，大多数III-V半导体具有直接的带隙，这是制造有效激光器和光学放大器的先决条件，缺少属性硅。此外，几个III-V半导体（例如GAAS和INP）具有比硅具有更好的电子性能，这使它们适合于高端RF插图。各种III-V半导体之间的关键差异是波长范围，它们支持光学功能，例如发光，放大，传输和检测光。对于GAA，这是在半导体激光器中应用的第一种III-V材料，操作窗口的范围为800-1100 nm，使其适用于短期通信。GAAS垂直腔表面发射激光器（VCSELS）是短距离（<几百米）通信的主要光源。用于INP及其第四纪化合物Ingaasp和Ingaalas，可以在INP底物上生长，操作窗口范围为1200-1700 nm，范围涵盖了在更长距离（O波段，C-Band，C-Band和l频段）高速通信的最重要波长。因此，这是长时间和中距离高速通信的首选材料。这使其成为在复杂图片中使用的首选材料，在复杂图片中，必须将广泛的功能集成到单个芯片中。光过滤器）。INP及其化合物Ingaasp和Ingaalas的另一个优点是，它们的光学特性（增益，透明度，吸收和检测以及电光调制效率）可以在晶圆中进行本地设计，同时保留在宽波长范围内优化性能的可能性。示例是连贯的发射器和接收器，更一般而言，需要将激光器和光学放大器与有效调节器和检测器集成在一起的任何电路，以及低损坏的被动光元素（例如，用于钝化和隔离的介电材料与用于硅微电子的介电材料非常相似。电气间连接的金属不同。黄金由于其良好的电气和机械性能而经常用于III-V半导体，而由于它具有扩散到硅非常有害的风险，因此它没有应用于硅上。另一方面，铝和铜很少用于III-V材料。特别是铜杂质在III-V材料中降解电和光学特性。晶片小于硅。对于GAAS 4“，6”和8英寸的直径可在市售。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。 较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。
CP23 II SEM EMS
B第1部分.0回答以下2*8 = 16 1.1命名用于电源变压器核心的特殊类型的钢类型1.2定义术语电阻率。1.3涡流是什么意思？1.4提及绝缘材料的特性？1.5解释术语 - 强制性和磁滞损失。1.6什么是介电偏振？1.7列出碳纳米管的应用1.8我们在哪里使用Megger？1.9什么是超导性？1.10命名一些可以用作导电材料的合金。2.0回答以下六个3*6 = 18 2.1状态至少三个标准，以选择变压器芯和电旋转机的材料。2.2什么是“居里点？它提供了什么信息？2.3定义：残余磁性和磁饱和度。2.4区分“ Ferri”和“ Ferro”磁性材料。2.5什么是R值？2.6什么是介电常数？它对介电材料有什么影响？2.7解释术语：体积电阻和表面电阻2.8解释霍尔效应3.0回答以下四个4*4 = 16 3.1您通过“磁性材料”一词了解什么。命名材料分配的类别。3.2什么是不同类型的绝缘材料？列出可能的固体绝缘材料。3.3光电二极管如何在反向偏置中起作用？3.4纳米技术在农业及其可持续性中的作用是什么？3.5 What is Piezo-electric effect?解释。3.6说明术语：照片发射细胞，照片导电细胞和照片伏特细胞。
AL2O3/ZRO2/SIO2/ZRO2/AL2O3 M
金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容器对于集成电路（ICS）至关重要。它们可以通过多种方式使用，例如解耦和过滤。高电容密度，低泄漏电流和小二次电压系数（a）是MIM电容器良好电性能的信号。为了获得高电容密度，可以使用高介电常数（K）材料，例如TA 2 O 5，HFO 2，Al 2 O 3，TiO 2和ZRO 2 [1-4]。Zro 2薄膜被认为是这些高k材料中的强大候选者，可以替代传统的介电材料SIO 2和SI 3 N 4，因为它具有许多优势，例如，高击穿电场，高介电结构和较大的能隙宽度[4]。有人研究了单个ZRO 2电介质MIM电容器，并获得了高电容密度，但是泄漏电流和值很差[5]。在这里，我们介绍了Al 2 O 3和SiO 2层以改进上述两个参数，因为Al 2 O 3的较大带隙为8.8 eV，SIO 2的较大频带差距为负值，因此Al 2 O 3 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Al 2 O 3（Azsza）结构MIM Capicitors设计了。需要强调的是，AZSZA结构是在相同的原子层沉积（ALD）系统中制备的。这不仅降低了实验的复杂性和成本，还降低了污染和引入杂质的可能性。因此，这是一种在
用于高数据速率植入式脑的微型天线...
摘要 医疗保健技术的进步要求开发高效、微型的植入式医疗设备。本文介绍了一种用于头皮生物医学应用的超宽带植入式天线，涵盖工业、科学和医疗 (ISM)（2.4 − 2.48 GHz）频段。所提出的天线安装在 0.1 − mm 厚的液晶聚合物 (LCP) Roger ULTRALAM（tan δ = 0.0025 和 ε r = 2.9）上，用作覆盖层和基底层的介电材料。LCP 材料因其柔韧性、顺应性结构和生物相容性等理想特性而广泛用于制造电子设备。为了保持电气小辐射器的能力并实现最佳性能，所提出的天线的体积设计为 9.8 mm3（7 mm × 7 mm × 0.2 mm）。在辐射贴片中增加短路针和开口槽，以及在接地平面中增加封闭槽，有利于天线的小型化、阻抗匹配和带宽扩展。值得注意的是，该天线在 ISM 频段的峰值增益为 − 20.71 dBi，阻抗匹配带宽为 1038.7 MHz。此外，根据基于低特定吸收率的 IEEE C905.1-2005 安全指南，该天线可以安全使用。为了评估植入式天线的性能，在均质和异构环境中进行了有限元仿真。为了验证，在装满碎猪肉的容器中进行测量。模拟结果与测量结果一致。此外，还进行了链路预算分析，以确认无线遥测链路的稳健性和可靠性，并确定植入式天线的范围。
负电容在部分基于接地平面的SELBOX FET中的影响对电容匹配和SCES
摘要在这里，我们研究了PGP-SELBOX NCFET（在负电容FET中有选择性掩埋的氧化物上的部分接地平面）对FDSOI的负电容的影响。将铁电层放置在PGP-Selbox NCFET的栅极堆栈中，以产生负电容现象。铁电（Fe）材料与介电材料相似，但在其极化特性方面存在差异。fe-HFO 2由于其足够的极化速率具有高介电能力和更好的可靠性，因此将其用作铁电材料。分析了铁电材料参数的影响，例如强制场（E C）和恢复极化（P R）对NCFET的电容匹配的影响。模拟结果表明，R PE因子是P R与E C的比率，与更好的电容匹配密切相关。另外，还探索了铁电层厚度的变化对平均亚阈值摇摆（SS）的变化。还分析了PGP-Selbox NCFET的短通道效应（V Th rolo虫和DIBL）与铁电（T FE）的厚度之间的关系。模拟结果清楚地表明，PGP-SELBOX NCFET的SCES减少了，而I OFF fdsoi NCFET上的I OFF I OFF IN I ON IN I ON IN CES。对于拟议设备的铁罗 - 电动参数的优化值，在T Fe = 5nm时发现为50 mV/十年，比FDSOI NCFET（56 mV/十年）少。