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薄玻璃切割中时间空气脉冲的效率
薄玻璃切割中的时间空气脉冲效率 Madalin-Stefan Radu、Cristian Sarpe、Elena Ramela Ciobotea、Bastian Zielinski、Radu Constantinescu、Thomas Baumert 和 Camilo Florian* *通讯作者电子邮件：camilo.florian@uni-kassel.de。这是以下文章的预印本：Radu、Madalin-Stefan、Sarpe、Cristian、Ciobotea、Elena Ramela、Zielinski、Bastian、Constantinescu、Radu、Baumert、Thomas 和 Florian、Camilo。 “时间艾里脉冲在薄玻璃切割中的效率” Zeitschrift für Physikalische Chemie，2024 年。最终认证和印刷版本可在线获取：https://doi.org/10.1515/zpch-2024- 0911 超短脉冲激光源是用于微和纳米加工大带隙介电材料的有用工具。这些脉冲的最大优势之一是能够达到高强度峰值，即使在对激光波长透明的材料中也能促进吸收。此外，如果修改脉冲时间分布，能量吸收可以烧蚀直径小、深度大的孔。在这项工作中，我们提出了初步结果，将三种类型的脉冲作为玻璃切割的前体：带宽受限（785 nm 时为 30 fs）、正色散和负色散时间艾里脉冲 (TAP)。所选材料为厚度为 170 μm 的钠钙玻璃，在不同激光能量和扫描速度下，以 1 kHz 的重复率在紧密（50 倍物镜）和松散（20 倍物镜）聚焦条件下进行刻划。激光加工后，使用自制的四点弯曲台通过机械应力对玻璃进行切割。我们分析了三种激光脉冲在表面和横截面上的刻划线质量以及断裂后所需的断裂力。我们报告称，与其他实施的脉冲相比，正 TAP 在玻璃样品上产生了整齐、平整的切割边缘。关键词：玻璃切割；超短脉冲激光；高纵横比结构；激光加工；时间脉冲整形；薄玻璃
杂次la- ...
宽带间隙（WBG）碱性晶酸盐透明氧化物半导体（TOSS）近年来引起了越来越多的关注，因为它们的高载流子迁移率和出色的光电特性，这些特性已应用于诸如Flat-Panel显示器等广泛的应用。然而，大多数碱性地球酸盐是由分子束外延（MBE）生长的，有关锡源的问题存在一些棘手的问题，包括带有SNO和SN源的波动性以及SNO 2源的分解。相反，原子层沉积（ALD）是具有精确的化学计量控制和原子尺度上可调厚度的复杂stannate钙钛矿生长的理想技术。在此，我们报告了la-srsno 3 /batio 3 perovskite异质结构异质集成在SI（001）上，该结构使用ALD种植的La掺杂的Srsno 3（LSSO）作为通道材料，并用作MBE生长的Batio 3（BTO）作为介电材料。反射性高能电子衍射和X射线衍射结果表明每个外延层的结晶度为0.62，全宽度最高（FWHM）。原位X射线光电子光谱结果证实，ALD沉积LSSO中没有SN 0状态。这项工作扩展了当前的优化方法，用于减少外在LSSO/BTO钙钛矿异质结构中的缺陷，并表明过量的氧气退火是增强LSSO/BTO异质结构的电容性能的强大工具。Besides, we report a strategy for the post-treatment of LSSO/BTO perovskite heterostructures by controlling the oxygen annealing temperature and time, with a maximum oxide capacitance C ox = 0.31 μF/cm 2 and a minimum low- frequency dispersion for the devices with 7 h oxygen annealing at 400 C. The enhancement of capacitance properties is primarily attributed to a在额外的异位过量氧气退火过程中，膜中氧空位的减少和异质结构界面中的界面缺陷。
TLY - 低损耗层压板系列
认为短切纤维增强 2.2 层压板确实是随机的，这种说法过于乐观，甚至可能具有误导性。目视观察 5 mil 短切纤维 2.2 层压板，其外观不均匀，有深色和浅色区域（图 A）。为了确定短切纤维增强材料的均匀性，使用了 X 射线荧光。玻璃纤维的化学成分主要是氧化硅 (SiO 2 )，其次是 CaO 2 、Al 2 O3、MgO 和 B 2 O 3 。XRF 对重元素的敏感度高于碳或氟。因此，使用 XRF 追踪明暗区域中重 Si 和 Ca 的相对成分。第一个观察结果是，暗区和明区具有不同的密度（未显示表面分析）。散射强度与轻元素和重元素的浓度成正比。需要进行更详细的分析，以获得有关两个区域之间密度差异的定量信息。众所周知，PTFE 的 Dk 取决于高温致密化过程中从 PTFE 复合材料中压缩出来的空气量。图 B 显示了浅色和深色区域的 XRF 散射强度重叠（亚表面体分析）。深色区域的硅含量是深色区域的 2.35 倍，钙含量是深色区域的 1.34 倍。氧化硅（二氧化硅）的 Dk 为 3.28，明显高于 PTFE 的 2.1 Dk。硅和钙的不均匀分布表明制造过程容易产生非均匀的介电材料。目前尚不清楚哪种材料更均匀 - 短切纤维或连续编织增强的 2.2 Dk PTFE 复合材料。但必须指出的是，短切纤维层压板上的浅色和深色区域的域尺寸非常大，肉眼可见，并且肯定与编织玻璃纤维 PTFE 层压板（TLY-5）相当。真正随机短切纤维增强层压板的 x、y 和 z CTE 值相等。具有不同 Si 和 Ca 浓度的浅色和深色区域的大区域尺寸表明，层压板内可能存在具有波动 CTE 值的不同区域。
条纹形状对单片高对比度光栅反射率的影响
摘要：单片高对比度光栅 (MHCG) 由单片层中图案化的一维光栅组成，可提供高达 100% 的光功率反射率，并且可以在现代光电子学中使用的几乎任何半导体和介电材料中制造。MHCG 可实现单片集成、偏振选择性和多功能相位调谐。它们可以比分布式布拉格反射器薄 10 到 20 倍。MHCG 的亚波长尺寸大大降低了确保 MHCG 条纹侧壁光滑度的可能性，并使在蚀刻过程中精确控制 MHCG 条纹横截面的形状变得困难。问题在于，改进蚀刻方法以获得设计所假设的完美横截面形状是否更有利，或者是否有可能使用给定蚀刻方法提供的形状找到能够实现高光功率反射的几何参数。在这里，我们进行了一项数值研究，该研究由使用多种常见的表面纳米级成型方法在不同材料中制造的 MHCG 的实验表征支持。我们证明具有任意横截面形状的 MHCG 条纹都可以提供接近 100% 的光功率反射率，这大大放宽了它们的制造要求。此外，我们表明，对于准梯形横截面的 MHCG，可以实现超过 99% 的光功率反射率和超过 20% 的创纪录光谱带宽。我们还表明，如果波纹幅度小于 MHCG 周期的 16%，MHCG 条纹的侧壁波纹对 MHCG 光功率反射的影响很小。使用最新的表面蚀刻方法可以实现这种条纹制造精度。我们的研究结果对于设计和生产采用 MHCG 的各种光子器件具有重要意义。横截面形状的灵活性有利于可靠地制造高反射率亚波长光栅镜。这反过来又将使制造单片集成的高品质因数光学微纳腔器件成为可能。关键词：单片高对比度光栅、亚波长光栅、光功率反射
基于碳化聚酰亚胺薄膜的三维微结构频率选择表面用于太赫兹应用
频率选择表面 (FSS) 由周期性排列的一维或二维金属结构组成，由于其频率谐振特性而备受关注。FSS 可以根据其尺寸、形状、厚度和其他参数在特定频率范围内选择性地反射 (带阻) 或透射 (带通) 入射电磁波，这是 FSS 的识别特征。[1] 金属和介电材料结构被广泛用于设计太赫兹 FSS 或滤波器，因为它们具有高机械强度，有助于产生功能化设计。金属 FSS 可以通过反射或吸收电磁干扰来屏蔽，但是，制造所需结构的成本很高，并且正在被碳基材料取代，以获得高频电磁特性，具有合适的成本、重量轻、无腐蚀等特点。[2] 通常，碳基材料以 sp、sp 2 和 sp 3 键合，形成相互连接的碳-碳键的长链，从而产生不同的物理和电性能。 [3] 因此，这类材料可归类为半金属或非电介质材料（如石墨烯、石墨、碳纳米管、碳纳米纤维）[4,5]，因此通过在磁场和电场中应用飞秒激光脉冲产生 THz 脉冲，其纳米复合材料可表现出 THz 光跃迁、光电特性和介电特性。[6–11] 由于存在非局域 π 键电子，这些碳基材料表现出优异的 EMI 屏蔽性能。自由移动的电子与电磁波相互作用，导致反射，在共振频率下具有最大回波损耗值。[12] 过多的电磁能量会损坏周围的电路并引起不必要的噪声脉冲。Liang 等人。报道了竹状短碳纤维@Fe3O4@酚醛树脂和蜂窝状短碳纤维@Fe3O4@FeO复合材料作为高性能电磁波吸收材料，在4-18 GHz范围内成功实现了反射损耗-10 dB。[13]然而，在文献中对碳基材料在THz范围内的表征仍然没有很好的解释，关于碳基材料FSS特性的报道很少。最近，一种利用3D打印制造的碳基FSS吸收器
通过离子传输减缓实现室温卤化物钙钛矿场效应晶体管
该通道是通过电容耦合和在栅极电极上施加适当的偏压来实现的。然而，在传统 FET 架构中，卤化物钙钛矿在室温和低频（尤其是直流操作）下的电流调制具有挑战性，这主要是由于钙钛矿层的混合离子-电子特性。[2] 溶液处理的 FET 通常以累积模式工作，而传统的 Si 基晶体管则以反转模式工作，其中耗尽层将导电通道与半导体块体隔离。为了实现电流的栅极调制和累积模式下的大开关电流比，需要具有低离子浓度的钙钛矿层。在高离子浓度下，如图 1a 所示，无法形成累积通道，因为栅极场被移动离子屏蔽，如图 1b 所示。只有当栅极偏压足够大以至于离子无法完全屏蔽栅极场时，才能观察到场效应电流。因此，形成一个积累层，如图 1c 所示。溶液处理的钙钛矿中可移动离子的浓度估计为 10 25 m − 3 的数量级，[3,4] 导致表面电荷密度为几个 μ C cm − 2，例如甲基铵卤化铅的表面离子密度为 5 μ C cm − 2。[3] 当使用厚度为 200 nm 的典型 SiO 2 栅极电介质（相对介电常数，k = 3.9）时，如此大的密度需要施加大于 300 V 的栅极电压才能感应积累通道，但这是不切实际的，因为它会导致电介质击穿。因此，钙钛矿 FET 中的电流调制主要在低温下实现，此时离子电导率显著降低，或者在高频下使用脉冲模式操作，此时离子无法响应电场的快速变化。[5] 低温或高频操作严重限制了钙钛矿 FET 的实际应用。为了解决这些问题，人们尝试了材料改性，例如合成单晶微板、[6] 准二维纳米片 [7] 或多组分钙钛矿 [8,9]。然而，这些方法可能会损害高通量制造、可重复性或高效电荷传输。因此，减轻或补偿离子迁移率对于实现实用的钙钛矿基 FET 至关重要。在这里，我们建议使用能够诱导大表面电荷密度的介电材料，例如
C2W 混合键合联盟
情况说明书 A*STAR 微电子研究所与八家半导体公司合作成立芯片到晶圆混合键合联盟 2021 年 2 月 11 日 A*STAR 微电子研究所 (IME) 与领先的半导体公司合作开发芯片到晶圆 (C2W) 混合键合，用于高密度 2.5D 和 3D 集成电路 (IC) 集成。新成立的竞争前 C2W 混合键合联盟由国际和本地行业供应链公司组成，将利用 IME 在 2.5D 和 3D IC 集成和键合技术方面的专业知识来开发 C2W 混合键合工艺并演示 4 个芯片堆叠且间距 ≤10um 互连。请参阅附件 A 以获取联盟成员的完整列表。 IME 牵头的 C2W 混合键合联盟由全球领先的工业企业和新加坡的一家中小企业组成，包括设备制造商、设备和材料供应商。设备制造商为设计、工艺和可靠性要求做出贡献，而设备供应商则通过带来新的先进工具和能力以及开发和修改专用于混合键合和模块工艺开发的硬件来做出贡献。材料供应商将带来用于混合键合的新型介电材料以及用于薄晶圆处理的临时粘合剂。本地中小企业 Capcon Singapore 为该联盟带来了其在制造倒装芯片键合机方面的强大专业知识；主要是高精度高生产率芯片键合机和倒装芯片键合机、晶圆上芯片键合机和封装上封装键合机的能力。作为该联盟的成员，Capcon 能够加速其在芯片到晶圆混合键合领域的研发并缩短其开发周期。IME 将与联盟成员一起领导开发和流程集成，以实现高产量多堆栈 C2W 混合键合。由于数据中心和高性能计算 (HPC) 应用需要大量数据存储和数据处理，对更高速度和更大内存容量的需求不断增长。此外，片上系统 (SoC) 正朝着具有高密度 2.5D/3D 集成的“小芯片”发展。混合搭配功能小芯片能够通过重复使用现有 IP 和芯片来降低设计成本和时间，而传统的 2D 缩放不再能降低芯片成本。基于对高密度 3D 堆叠内存和 2.5D/3D 异构集成的强烈需求，细间距芯片间连接引起了半导体行业的极大兴趣。使用混合键合的 C2W 堆叠是满足这些需求以及细间距互连和小尺寸的关键。
为什么需要 EMI 滤波器？| WEMS Electronics
电磁兼容性 (EMC) 工程师使用“噪声”的概念来描述降低电子设备性能的有害信号。在航空电子应用中，外部和内部 EMI 噪声源都可能干扰敏感的导航和战术设备，甚至可能破坏飞机的控制。航空母舰的大型电子设备舱可能会造成干扰，导致飞机起飞或降落失败。影响卫星传输的 EMI 可能导致战场上的通信故障。出于这些原因，EMI 被认为是一个严重的问题，并且已经开发出许多技术和技巧来确保数据传输系统中的电磁兼容性 (EMC) - 从船上到海底，从航空电子设备到太空，从航空母舰到微型无人机。 EMI 源 EMI“噪声”源可分为三类：1) 由物理系统内的随机波动引起的固有噪声，例如热噪声和散粒噪声；2) 来自电机、开关、电源、数字电子设备和无线电发射器的人为噪声；3) 来自自然干扰的噪声，例如静电放电 (ESD)、闪电和太阳黑子。 固有噪声源可能非常微妙，通常无法识别。所有电气系统都是固有噪声的潜在来源，包括便携式收音机、MP3 播放器、手机等常见设备。这些设备只要开启就会造成干扰。这是因为导电介质或半导体器件中的电子在受到外部电压激发时会产生电流。当外部施加的电压停止时，电子会继续移动，随机地与其他电子和周围材料相互作用。即使没有电流，这种随机电子运动也会在导电介质中产生噪声。人为 为了保护航空电子系统免受人为噪音的影响，商业航班上完全禁止使用故意的射频 (RF) 发射器，如手机、蓝牙配件、CB 无线电、遥控玩具和对讲机。笔记本电脑、手持式扫描仪和游戏机虽然不是故意的发射器，但会产生 1 MHz 范围内的信号，从而影响航空电子设备的性能。导航电缆和其他关键线路沿着机身铺设，乘客坐在几英尺远的地方。由于构成客舱内部的薄介电材料片（通常是玻璃纤维）根本不提供任何屏蔽；而且由于商用客机包含长达 150 英里的电线，这些电线可能像一个巨大的天线一样，因此乘客必须注意有关使用潜在破坏性电子设备的规定。显然，这些内部 EMI 源对飞机来说非常危险，因为它们离它们可能影响的系统非常近。但外部来源，地面上的无线电和雷达发射器，或过往军用飞机的雷达，驾驶舱航空电子设备容易受到多种 EMI 源的影响，包括 iPhone 和其他 PED 的人为干扰，由于这些设备的高功率和高频率，干扰可能更大。如果许多外部和内部 EMI 源还不够令人担忧，铝制机身本身在某些情况下可以充当 1 到 10 MHz 范围内的谐振腔。机身的行为与卫星天线非常相似，可以通过集中人为和自然发生的瞬态信号并将干扰广播到附近的设备来加剧内部和外部 EMI 的影响。一家大型飞机制造商最近发布的一份报告说明了人们对乘客携带的便携式电子设备 (PED) 的持续担忧。商用飞机上这些设备的数量激增，尤其是随着 Apple iPad 等新型笔记本电脑设备的出现。使用 PED 会产生
《纳米材料和生物结构文摘》第 18 卷，第 1 期，2023 年 1 月 - 3 月，第 55 - 68 页琥珀酸物种的影响
纳米材料和生物结构文摘第 18 卷，第 1 期，2023 年 1 月 - 3 月，第 55 - 68 页琥珀酸物种对甘氨酸单晶的结构、光谱、光学、Z 扫描、倍频、光电导和抗菌性能的影响 NS Priya a、SA Chudar Azhagan b、* a 印度哥印拜陀尼赫鲁工程技术学院物理系 b 印度哥印拜陀政府技术学院物理系以琥珀酸为添加剂，通过传统溶剂缓慢蒸发路线生长甘氨酸单晶。研究了琥珀酸对甘氨酸同质异形体的生长、光学和介电性能的影响。通过振动 FTIR 光谱光度计鉴定了功能团的存在。较高频率范围内的低介电常数和介电损耗证明生长的晶体可用于倍频应用。计算了生长晶体的激光损伤阈值能量。通过 Z 扫描实验评估了添加琥珀酸的甘氨酸晶体的三阶非线性磁化率 χ (3) (esu)。 (2022 年 8 月 14 日收到；2023 年 1 月 12 日接受) 关键词：γ-甘氨酸、琥珀酸、介电材料、光子应用 1. 简介寻找新的复杂 NLO 材料是当前研究扩展科学和通信技术的基本部分。铁电材料在光电子领域具有广泛的工业应用，例如电容器、军事服务、执行器、电信、非易失性存储设备、自动门禁系统、高性能栅极绝缘体和医疗设备等 [1-2]。铁电材料因其明确的介电、压电和热电特性而成为广泛电子和机电一体化设备中的首选材料。近年来，具有非线性光学 (NLO) 特性的铁电材料因其在光电子和光子技术领域的潜在应用而备受关注。铁电琥珀酸具有良好的热电性能。琥珀酸是一种天然存在的有机材料，属于二羧酸，是三羧酸循环的中间体。它通常用于生物和工业应用，也用作红外 (IR) MALDI 分析方法中的基质 [3-4]。目前，琥珀酸晶体广泛用于制造高电子迁移率晶体管 (HEMT)。琥珀酸与有机材料的结合提高了其铁电性能 [5]。在多晶型晶体中，氨基酸甘氨酸是最简单的晶体，在环境条件下表现出三种不同的多晶型，即 α-甘氨酸、β-甘氨酸和 γ-甘氨酸。甘氨酸的有机和无机复合物最近因其铁电、介电和非线性光学特性而受到科学界的关注。γ-甘氨酸晶体表现出强压电和非线性光学效应 [6-8]。甘氨酸同质异形体的非线性和介电响应是器件制造应用的重要参数。为了制造非线性光学器件，材料应在高频区域具有低介电常数和低介电损耗。此外，还要减少微电子工业中的 R c 延迟。如今，各种研究人员报告了 γ-甘氨酸单晶的一些重要特性 [9-12]。因此，在目前的研究中，已从琥珀酸添加剂环境中收获了 γ-甘氨酸单晶。
西西里岛2024年联合国会的行为和...
开发新的和先进的材料，其特征是多功能但可量身定制的特性以及改善的环境兼容性是科学界面临的最大挑战之一，即满足不断发展的现代现代，更可持续的技术以及未来的突破性。朝这个方向发展，近年来已经出现了基于高渗透方法的材料设计的新概念，成为材料科学领域的热门趋势之一。这种概念的应用导致了广泛的有趣材料的发展，即所谓的高渗透材料（HEMS），具有出色的物理和化学特性，从高渗透合金（HEAS）开始，首次引入了Cantor等人的研究。1和Ye等。2在2004年。下摆由等摩尔或接近等摩尔比的多个主元素（通常为五个或更多元素）组成，它们是由高构型驱动的实体溶液的一个同质单相结构中随机分布的。在下摆中，高渗透氧化物（HEO）是非常有吸引力的纳米材料，可以通过利用大量可能的元素组合来获得惊人的特性，从而使它们有可能适合多种应用，包括能量存储，包括储能，包括K型，大型K介电材料，水分拆卸，水分析，催化，催化，热保护和绝缘。最后，我们目前研究的一些例子报告为3,4。参考文献1 B. Cantor，I.T.H。Chang，P。Knight，A.J.B。 Vincent Mater。 SCI。Chang，P。Knight，A.J.B。Vincent Mater。SCI。SCI。在本次演讲中，将介绍一般概述高渗透材料，尤其关注HEO，这不仅是其合成和表征，而且还涉及其功能性能以及实际应用。eng。A 2004，375-377，213-218。2 J.-W。 Yeh，S.-K。陈 Lin，J.-Y. gan，T.-S。 Chin，T.-T。 Shun，C.-H。 Tsau，S.-Y. Chang Adv。 eng。 mater。 2004，6，299-303。 3 B.Petrovičovà，W。Xu，M.G。 Musolino，F。Pantò，S。Patané，N。Pinna，S。Santangelo，C。TrioloAppl。 SCI。 2022，12，5965。 4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。 SCI。 2023，13，721。2 J.-W。 Yeh，S.-K。陈Lin，J.-Y. gan，T.-S。 Chin，T.-T。 Shun，C.-H。 Tsau，S.-Y. Chang Adv。 eng。 mater。 2004，6，299-303。 3 B.Petrovičovà，W。Xu，M.G。 Musolino，F。Pantò，S。Patané，N。Pinna，S。Santangelo，C。TrioloAppl。 SCI。 2022，12，5965。 4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。 SCI。 2023，13，721。Lin，J.-Y.gan，T.-S。 Chin，T.-T。Shun，C.-H。 Tsau，S.-Y. Chang Adv。 eng。 mater。 2004，6，299-303。 3 B.Petrovičovà，W。Xu，M.G。 Musolino，F。Pantò，S。Patané，N。Pinna，S。Santangelo，C。TrioloAppl。 SCI。 2022，12，5965。 4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。 SCI。 2023，13，721。Shun，C.-H。 Tsau，S.-Y.Chang Adv。 eng。 mater。 2004，6，299-303。 3 B.Petrovičovà，W。Xu，M.G。 Musolino，F。Pantò，S。Patané，N。Pinna，S。Santangelo，C。TrioloAppl。 SCI。 2022，12，5965。 4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。 SCI。 2023，13，721。Chang Adv。eng。mater。2004，6，299-303。 3 B.Petrovičovà，W。Xu，M.G。 Musolino，F。Pantò，S。Patané，N。Pinna，S。Santangelo，C。TrioloAppl。 SCI。 2022，12，5965。 4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。 SCI。 2023，13，721。2004，6，299-303。3 B.Petrovičovà，W。Xu，M.G。 Musolino，F。Pantò，S。Patané，N。Pinna，S。Santangelo，C。TrioloAppl。 SCI。 2022，12，5965。 4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。 SCI。 2023，13，721。3 B.Petrovičovà，W。Xu，M.G。Musolino，F。Pantò，S。Patané，N。Pinna，S。Santangelo，C。TrioloAppl。SCI。 2022，12，5965。 4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。 SCI。 2023，13，721。SCI。2022，12，5965。4 C. Triolo，S。Santangelo，B。Petrovičovà，M。G。Musolino，I。Rincón，A。Atxirika，S。Gil，Y。BelausteguiAppl。SCI。 2023，13，721。SCI。2023，13，721。