3传感来自正交测量值10 3.1位移感测,并通过正交测量值传感。。。。。。。。。。。。10 3.1.1 fock状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 3.1.2相干状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 3.1.3高斯州。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。14 3.1.4猫状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。16 3.1.5 Fock状态叠加。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 3.1.6结果摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。19 3.2旋转传感,并进行正交测量。。。。。。。。。。。。。。。20 3.2.1 fock状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。21 3.2.2相干状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。22 3.2.3高斯州。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。23 3.2.4猫状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24 3.2.5结果摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24
具有非共线自旋结构的反铁磁体表现出各种特性,使其对自旋电子器件具有吸引力。其中一些最有趣的例子是尽管磁化可以忽略不计,但仍然表现出异常霍尔效应,以及具有不寻常自旋极化方向的自旋霍尔效应。然而,只有当样品主要处于单个反铁磁畴状态时,才能观察到这些效应。这只有当补偿自旋结构受到扰动并由于自旋倾斜而显示出弱矩时才能实现,从而允许外部畴控制。在立方非共线反铁磁体的薄膜中,这种不平衡以前被认为需要由基板应变引起的四方畸变。本文表明,在 Mn 3 SnN 和 Mn 3 GaN 中,自旋倾斜是由于磁性锰原子远离高对称位置的大量位移导致结构对称性降低。当仅探测晶格度量时,这些位移在 X 射线衍射中仍然隐藏,需要测量大量散射矢量才能解析局部原子位置。在 Mn 3 SnN 中,诱导净矩使得能够观察到具有不同寻常温度依赖性的异常霍尔效应,据推测这是由于 kagome 平面内类似块体的温度依赖性相干自旋旋转所致。
当前的癌症检测方法在很大程度上取决于相应癌症抗原的成分分析。缺乏卵巢癌筛查的有效且简单的临床方法,这阻碍了早期对卵巢癌及其治疗的鉴定。为了开发一种简单而快速的方法来定量分析卵巢癌,我们开发了一种基于DNA链位移的方法,并在5分钟内通过一步等温反应在5分钟内完成了miR-21的快速检测。荧光强度轨迹与miR-21浓度在100 fm – 100 nm的范围内具有良好的线性关系,下限为6.05 pm。这种检测方法简单,更快且准确。此外,它可以通过更改toehold的预设序列来检测其他癌症的miRNA生物标志物。
摘要:体内生物医学设备是振动能量收集研究最多的应用之一。在本文中,我们研究了一种新型高位移设备,用于收集心跳以驱动无导线植入式起搏器。由于位置特殊,设计此类设备时必须考虑某些限制。事实上,系统的总尺寸不得超过 5.9 毫米,才能在无导线起搏器内使用,并且它必须能够在低于 50 Hz 的频率下产生低于 0.25 m/s 2 的加速度。建议的设计是基于尺寸为 4.5 mm 的方形驻极体的静电系统。它基于准手风琴结构,具有非常低的 26.02 Hz 谐振频率和 0.492 N/m 的低刚度,使其在此类应用中非常有用。使用充电电压为 1000 V 的特氟隆驻极体,该装置能够在共振频率下以 0.25 m/s 2 的振动速率产生 10.06 μW 的平均功率。
摘要:在这项研究中,由压电堆栈供电的合规放大器旨在满足高性能分配操作要求。通过研究传统的桥梁型放大器机制的低频带宽问题,我们提出了一种位移放大器机制,混合桥梁 - 桥桥(HBLB),从而通过结合传统的桥梁型和杠杆机制来增强其动态性能。添加引导梁,以进一步提高其输出刚度,并保证了较大的放大比。已经开发出一种分析模型来描述HBLB机制的完整弹性变形行为,该机制考虑了输入末端的横向位移损失,然后通过有限元分析(FEA)进行验证。结果表明,HBLB的工作原理使用有限元方法优化了结构参数。最后,为性能测试制造了位移放大器的原型。静态和动态测试结果表明,所提出的机制可以达到223.2 µm的行进范围,并且频率带宽为1.184 kHz,它符合高性能压电射击器的要求。
位移损伤剂量 (DDD) 是预测在太空环境中使用且会受到辐射的半导体器件寿命的常用指标。DDD 通常根据 Norgett-Robinson-Torrens (NRT) 模型根据非电离能量损失估算,尽管所谓的有效 DDD 的新定义考虑了半导体中非晶化的分子动力学 (MD) 模拟。本研究开发了一个新模型,用于计算碳化硅 (SiC)、砷化铟 (InAs)、砷化镓 (GaAs) 和氮化镓 (GaN) 半导体的常规和有效 DDD 值。该模型是通过扩展粒子和重离子传输代码系统 (PHITS) 中实现的每原子位移计数获得的。这种新方法表明,由于直接撞击造成的非晶化,砷基化合物的有效 DDD 高于传统 DDD,而由于复合缺陷,SiC 的这种关系则相反。对于暴露于质子的 SiC 和 GaN,有效 DDD/传统 DDD 比率随质子能量的增加而降低。相反,对于 InAs 和 GaAs,该比率在质子能量高达 100 MeV 时增加到 1 以上,并且趋于稳定,因为缺陷产生效率(即 MD 模拟的碰撞级联末端稳定位移数量与 NRT 模型计算的缺陷数量之比)在损伤能量值高于 20 keV 时不会增加。通过计算低地球轨道上夹在薄玻璃盖和铝板之间的半导体的有效 DDD 值,证明了该模型的实际应用。结果表明,通过将玻璃盖厚度增加到 200 μ m,可以显著降低有效 DDD,从而证实了屏蔽太空中使用的半导体器件的重要性。这种改进的 PHITS 技术有望通过预测宇宙射线环境中具有复杂几何形状的各种半导体的有效 DDD 值来协助半导体设计。
本综述论文涵盖了柔顺机构放大器中的各种新兴技术。力放大和变形放大在柔顺机构中是可行的。由柔顺结构组成的位移放大机构在需要准确性、精密性、紧凑性和可靠性的 MEMS 应用中得到了更多的响应。我们可以使用各种类型的柔顺机构的力和位移放大。简要讨论了不同类型的位移机构,如双稳态、混合、斯科特-罗素、自导、比例、正交、棘轮、柔顺机构和力柔顺机构。简要研究了高效压缩模式能量收集器和压电能量收集器等柔顺机构的力放大。本文报告了各种类型的柔顺机构的应用。
尽管可以用卢瑟福背散射光谱法 (RBS) 和 X 射线衍射 (XRD) 高精度地测量材料成分和应变,但这些技术非常耗时,并且提供的信息是样品相对较大区域的平均信息,远大于典型的设备尺寸。这使得它们不适合表征亚微米级的成分和应变变化,这种变化发生在例如选择性半导体生长过程中或结构化之后。透射电子显微镜 (TEM) 结合能量色散 X 射线光谱法 (EDXS) 或电子纳米衍射可以提供具有纳米级分辨率的成分和晶格信息,但是这些技术需要破坏被分析的样品。相反,微拉曼光谱可以提供亚微米分辨率和高速,并且是非破坏性的。因此,微拉曼光谱可以成为研究 Si x Ge 1 − x − y Sn y 层中材料成分和应变的有效工具。为了通过拉曼光谱测量成分和应变,必须推导出拉曼光谱峰位置与材料成分以及应变之间的经验关系。之前对 Si x Ge 1 − x − y Sn y 合金拉曼位移的研究
1个技术灾难的例子包括1986年的切尔诺贝利核事故,2011年由地震和海啸引起的2011年福岛核电站灾难以及2020年贝鲁特港口的武器店的爆炸。2个受位移影响的社区(DAC)包括居住在发生内部流离失所的地区的任何人,可能包括IDP,主持人社区成员,难民,返回者,前战斗人员或其他人的生活条件受到IDP的影响。该术语鼓励一种基于社区和基于区域的流离失所的方法。
相干电子位移是处理量子信息的一种传统策略,因为它能够将原子网络中的不同位置互连。处理的效率依赖于对机制的精确控制,而这种机制尚未建立。在这里,我们从理论上展示了一种新方法,即利用阿秒单周期脉冲,在比电子波包动态扭曲更快的时间尺度上驱动电子位移。这些脉冲的特征依赖于向电子传递巨大的动量,导致其沿单向路径位移。通过揭示编码量子叠加态的位移波包的时空性质,说明了这一场景。我们绘制出相关的相位信息,并从原点远距离检索它。此外,我们表明,将一系列这样的脉冲应用于离子链,能够以阿秒为单位控制电子波包在相邻位置之间来回相干运动的方向性。扩展到双电子自旋态证明了这些脉冲的多功能性。我们的研究结果为使用阿秒单周期脉冲对量子态进行高级控制建立了一条有希望的途径,为超快速处理量子信息和成像铺平了道路。