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World File Search System低功耗
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构
Edinger, P.、Phong Van Nguyen, C.、Takabayashi, A Y.、Antony, C.、Talli, G. 等人 (2022) 具有低功耗 MEMS 调谐的分插硅环谐振器
硅光子学正迅速扩展到传感和微波光子学等新应用领域 [1]。此类应用需要可调谐滤波器，而可使用波导环形谐振器 (RR) 高效构建。此类无限脉冲响应 (IIR) 滤波器也可采用可配置的循环波导网格灵活实现，但由于光学长度较长且采用多个分立元件，因此品质因数 (Q) 和自由光谱范围 (FSR) 较低。此外，由于采用了热光驱动，当前代工平台中可用的有源元件功耗在 mW 级。基于 MEMS 的元件对于可编程电路而言颇具吸引力，因为它们可以在短光学长度内高效调整相位或功率，功耗低于 µW [2]。MEMS 执行器已用于可调 RR [3-5]，但尚未出现可控制相位和两个耦合器的紧凑型分插环。 Chu 和 Hane 展示了一种光学长度极短、谐振调谐范围大的 RR，但 Q 值限制为 1.6 × 103 [ 3 ]。Park 等人报道了完全可重构环，但 FSR 低于 0.2 nm [ 5 ]。这里，我们展示了一个分插环谐振器，其 FSR 为 4 nm，并且对相位（失谐）和两个定向耦合器均进行了模拟控制。该设备是在 IMEC 的 iSiPP50G 代工平台上实现的，经过了一些后处理步骤。
基于级联反相器结构的低功耗多级跨阻放大器
1 𝑔 𝑚5 ⁄ 和 [1 + (𝑔 𝑚4 + 𝑔 𝑚𝑏4 )𝑟 𝑜4 ]𝑟 𝑜2 + 𝑟 𝑜4 ≫ 1 𝑔 𝑚5 ⁄ ，低频下的方程 (5)、(6) 和 (10)
一种新型低功耗改进型 PPN SRAM 单元设计...
一种基于低功耗改进型 PPN SRAM 单元的存储器阵列的新型设计及其对高速缓存存储器的分析评论 Gavaskar K、Surendar N、Thrisali S、Vishal M 电子与通信工程系 Kongu 工程学院 Perundurai，Erode – 638060，泰米尔纳德邦，印度。邮件 ID：gavas.20@gmail.com 摘要 – 高速缓存存储器是存储重复数据和执行操作的指令所必需的存储空间。现代处理器的速度已经显著提高，但存储器增强主要集中于在更小的空间中存储更多数据并减少延迟的能力。本文提出的基于 PNN 反相器的 10 T SRAM 单元电路由 2 个交叉耦合的 PNN 反相器（1 个 PMOS 和 2 个 NMOS 晶体管）、单端独立读取电路（2 个 NMOS 晶体管）和 2 个存取晶体管（2 个 NMOS）组成。将不同的漏电流控制技术（如 LECTOR 和 KLECTOR）应用于 10T PPN 和 10T PNN SRAM 单元以提高其保持性能，并比较其结果。8X8 存储器阵列由存储器单元、行和列解码器、预充电电路、感测放大器和写入驱动器电路组成。测量了读取、写入和保持操作的各种参数（如延迟、动态功率、功率延迟积、漏功率和静态噪声裕度），并与其他 SRAM 单元进行了比较。CADENCE Virtuoso Tool 用于设计 90 nm 技术中的各种电路。模拟结果表明，与其他单元相比，所提出的 SRAM 单元具有更好的性能，因此它可用于创建阵列结构。与其他阵列结构相比，基于 8X8 10T PNN SRAM 单元的阵列具有更低的功率和更少的延迟。
适用于低功耗应用的基于级联反相器结构的多级 TIA
摘要 — 本文讨论了一种基于三级改进型反相器结构的多级互阻抗放大器 (TIA)。通过添加两个级联晶体管，传统反相器结构的性能得到了改善。与传统反相器相比，这种新结构的优点是消除了米勒电容，可以提供更高的速度和更宽的频率带宽。除了使用 G m / ID 技术外，本文还权衡了带宽、增益和功耗之间的平衡，介绍了一种用于光通信接收机系统中高比特率的低功耗互阻抗放大器。此外，还使用了有源电感器来减少占用面积并增加频率带宽。将改进电路的极点转移到更高的频率意味着在固定带宽范围内所需的直流电流更少，从而实现低功耗特性
适合低功耗应用的 2 V、32.13 nA 全 MOSFET 电压限制器
摘要：本文介绍了一种低电流消耗的全 MOSFET 直流电压限制器。在所提出的电压参考结构中，为了降低功耗，晶体管偏置在亚阈值区域。为了在电压参考电路中产生与绝对温度互补 (CTAT) 电压，仅使用 PMOS 晶体管，其漏极、栅极和源极端子连接在一起并充当二极管，以减少布局面积占用。为了进一步降低功耗，采样电路将整流器输出电压的一部分与参考电压进行比较。此外，四级反相器用作缓冲器，以提供更接近理想情况的 IV 限制特性。在第一个反相器中使用串联传输门晶体管也尽可能降低了功耗。
TMP112-Q1 汽车级高精度、低功耗数字温度传感器数据表 (Rev. F)
每次温度测量转换的数字输出都存储在只读温度寄存器中。TMP112-Q1 器件的温度寄存器配置为 12 位只读寄存器（在配置寄存器中将 EM 位设置为 0；请参阅扩展模式 (EM) 部分），或配置为 13 位只读寄存器（在配置寄存器中将 EM 位设置为 1），用于存储最新转换的输出。必须读取两个字节才能获得数据，如表 8-8 所示。字节 1 是最高有效字节 (MSB)，后跟字节 2，即最低有效字节 (LSB)。前 12 位（扩展模式下为 13 位）用于指示温度。如果不需要该信息，则不必读取最低有效字节。温度的数据格式如表 8-2 和表 8-3 所示。一个 LSB 等于 0.0625°C。负数以二进制补码格式表示。上电或复位后，温度寄存器读数为 0°C，直到第一次转换完成。字节 2 的位 D0 表示正常模式（EM 位等于 0）或扩展模式（EM 位等于 1），可用于区分两种温度寄存器数据格式。温度寄存器中未使用的位始终读取 0。
TinyML：在超低功耗物联网边缘设备上为人工智能应用启用推理深度学习模型
摘要：最近，物联网 (IoT) 引起了广泛关注，因为物联网设备被放置在各个领域。其中许多设备都基于机器学习 (ML) 模型，这使它们变得智能并能够做出决策。物联网设备通常资源有限，这限制了在其上执行复杂的 ML 模型（例如深度学习 (DL)）。此外，将物联网设备连接到云以传输原始数据并执行处理会导致系统响应延迟、暴露私人数据并增加通信成本。因此，为了解决这些问题，出现了一种称为微型机器学习 (TinyML) 的新技术，它为应对物联网设备的挑战铺平了道路。该技术允许在设备上本地处理数据，而无需将其发送到云端。此外，TinyML 允许推断 ML 模型，而设备上的 DL 模型则被视为资源有限的微控制器。本文的目的是概述 TinyML 的革命并对 tinyML 研究进行回顾，其中主要贡献是对 tinyML 研究中使用的 ML 模型类型进行分析；它还介绍了数据集的详细信息以及设备的类型和特征，旨在阐明最先进的技术并展望发展需求。
CC2540/41 蓝牙低功耗软件开发人员的...
5 低功耗蓝牙协议栈 ................................................................................................................ 27 5.1 概述 .............................................................................................................................. 27 5.2 通用访问配置文件 (GAP) ........................................................................................................ 27 5.2.1 概述 ...................................................................................................................... 27 5.2.2 GAP 抽象 ...................................................................................................................... 31 5.2.3 配置 GAP 层 ............................................................................................................. 31 5.3 GAPRole 任务 ............................................................................................................. 32 5.3.1 外围角色 ............................................................................................................. 32 5.3.2 中央角色 ............................................................................................................. 35 5.4 间隙绑定管理器 (GAPBondMgr) ............................................................................................. 37 5.4.1 低功耗蓝牙安全概述 ............................................................................................. 37 5.4.2 使用 GapBondMgr 配置文件 ............................................................................................. 38 5.4.3 各种安全模式的 GAPBondMgr 示例 ...................................................................................... 40 5.5 通用属性配置文件 (GATT) ...................................................................................................... 45 5.5.1 GATT 特性和属性 ...................................................................................................... 45 5.5.2 GATT 服务和配置文件 ................................................................................................ 46 5.5.3 GATT 客户端抽象 ...................................................................................................... 48
适合低功耗应用的全加器
摘要：在电子处理系统中，二进制数的加法是一项基本运算。通过分析并与其他传统加法器进行比较，展示了一位低功耗混合全加器的性能改进。与其他传统全加器电路相比，1 位低功耗混合全加器被认为是提高电路速度的好方法。在该分析论文中，使用 EDA 工具实现了一位低功耗混合全加器，并使用通用 90nm CMOS 技术在 5 伏电压下进行了仿真分析，并在各种电压下与其他传统全加器进行了比较。为了将 1 位低功耗混合全加器与其他传统加法器在各种参数（例如静态和动态功耗、延迟和 pdp（功率延迟积））下的比较，考虑了 1 位低功耗混合全加器最适合各种低功耗应用。