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模块化线性驱动低温冷却器电子设备
Iris Technology Corporation 开发的模块化高级低温冷却器电子设备 (MACE) 系统将可配置的高功率电机驱动器与精确遥测功能相结合，其设计可承受辐射加固。位于低温冷却器附近的遥测聚合单元 (TAU) 通过在本地数字化传感器数据以传输回控制器，最大限度地减少了敏感低温冷却器反馈的衰减和污染，而主控制单元 (MCU) 中的多个 500 W 驱动通道可提供高达 95% 效率的功率波形。模块化设计概念允许在需要更多通道时添加驱动卡，或移除驱动卡以减小尺寸、重量和功耗。TAU 集成了多达 14 个外部传感器，总数据速率高达每秒 800,000 个样本，由控制软件动态分配给任何遥测组合。可以通过安装商用组件或利用替代控制方案来降低抗辐射控制器组件的成本，从而实现电子设备的低成本版本。雷神公司进行了一次演示，演示中驱动了高容量 RSP2 (HC-RSP2) 低温冷却器，温度和振动控制环路在高功率和低低温下关闭。本文讨论了 MACE 的开发、测试和经验教训。
适用于太空应用的光学低温冷却器
尽管在抑制微振动方面取得了重大进展，但仍然需要真正无振动的替代性低温冷却技术。例如，这已在欧空局制定的欧洲空间领域空间技术需求路线图（即欧洲空间技术协调进程）中有所体现。主要驱动力之一是高质量卫星数据的市场不断增长，这些数据服务于无数的经济、科学和社会目标。虽然这一趋势起源于传统的政府资助的空间计划，但市场上新空间技术公司的数量和活动正在呈指数级增长。除了消除微振动之外，新空间趋势还需要更小、更便宜、更可靠的低温冷却器。因此，小型化、降低成本和可靠性也是关键挑战。
肾脏捐献者的低温疗法或机械灌注
结果 共计 725 名捐献者，共移植肾脏 1349 个：低温组 359 个、机械灌注组 511 个、联合治疗组 479 个。低温组有 109 名患者（30%）出现移植功能延迟，机械灌注组有 99 名患者（19%）出现移植功能延迟，联合治疗组有 103 名患者（22%）出现移植功能延迟。低温治疗与机械灌注相比，移植物功能延迟的校正风险比为 1.72（95% 置信区间 [CI]，1.35 至 2.17），低温治疗与联合治疗相比，校正风险比为 1.57（95% CI，1.26 至 1.96），联合治疗与机械灌注相比，校正风险比为 1.09（95% CI，0.85 至 1.40）。1 年后，三组移植物存活率相似。共报告了 10 起不良事件，包括 9 名供体的心血管不稳定和 1 名供体的器官因灌注功能障碍而丢失。
第 19 届低温探测器国际研讨会
22. “高阻抗、低耗散和超低噪声 HEMT 1K 前端电子器件和读出器，用于未来 RICOCHET 实验的 Cry-oCube 探测器阵列” Jean-Baptiste Filippini - IP2I/IN2P3/CNRS
模块化线性驱动低温冷却器电子设备
公司将可配置、高功率电机驱动器与精确遥测功能相结合，设计易于抗辐射。位于低温冷却器附近的遥测聚合单元 (TAU) 通过在本地数字化传感器数据以传输回控制器，最大限度地减少了敏感低温冷却器反馈的衰减和污染，而主控制单元 (MCU) 中的多个 500 W 驱动通道以高达 95% 的效率提供功率波形。模块化设计概念允许在需要额外通道时添加驱动卡，或移除驱动卡以减小尺寸、重量和功耗。TAU 包含多达 14 个外部传感器，总数据速率高达每秒 800,000 个样本，由控制软件动态分配给任何遥测组合。可以通过安装商用组件或利用替代控制方案降低抗辐射控制器组件的成本来实现低成本版本的电子设备。在雷神公司进行了一次铜板演示，其中驱动了高容量 RSP2 (HC-RSP2) 低温冷却器，温度和振动控制回路在高功率和低温下关闭。本文讨论了 MACE 的开发、测试和经验教训。
低温加热银介导的 MoS2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过
铝薄膜传输线的低温损失测量
在本文中，我们研究了由溅射技术在低温下沉积的铝薄膜制成的平面微波结构。通过考虑导电线中的停止距离，已经分析了沉积在硅底物上的这些铝传输线中的损耗机制。表明，线的衰减取决于传输线的材料特性和边缘形状。使用低温恒温器系统，使用1-12 GHz频率范围的矢量网络分析仪对结构的两端微波传输测量进行测量。这项工作表明，铝可能是各种应用的潜在候选者，即MKID，并且可以替代其他用于低温应用的常规超导体。此外，可以继续基于硅基板的微带线中停止距离分析，以分析由于传输线的台阶边缘制造而导致的精确损失。然后可以使用此分析来估计损失测量中的不确定性。这项工作将有助于开发各种尖端技术的传输线，包括量子计算，物联网和高速通信系统，其中损失参数起着至关重要的作用。
低温动态逻辑的温度-频率边界
云计算正在增加对大规模、节能和快速计算系统的需求。满足这些目标的 CMOS 电路样式是动态逻辑。由于云计算中心不需要可移植性，因此这些系统可以支持低温操作。低温操作消除了动态电路的根本问题，即由于漏电流导致的逻辑状态丢失。在较高温度下，静态逻辑电路是首选，因为这些电路不受漏电流的影响。因此，工作温度会影响电路样式的选择：动态还是静态。本文讨论了动态 CMOS 电路在不同温度下的运行以及动态逻辑优于静态逻辑的温度。在 1.209 GHz 以上运行的动态逻辑可用于高达 300 K 的温度下，对于 160 nm 技术节点，温度为室温。在较低频率下，应使用静态电路。在 77 K 以下（液氮温度），动态逻辑在 29.7 MHz 以上稳定。在低于 11 K 的温度下，可以使用运行在 1 赫兹以上的动态逻辑电路。由于动态逻辑电路在 4.5 K 以下的直流下工作，因此在低于此温度的任何频率下，包括液氦温度 4.2 K，动态逻辑都是可取的。
低温加热银介导的 MoS 2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过